未來1TB智能手機(jī)將搭載QLC NAND?

時(shí)間:2024-01-19

來源:全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語:近期,媒體報(bào)道蘋果可能會(huì)改變存儲(chǔ)容量,不再使用主流三層單元(TLC)NAND 閃存,而是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上使用四層單元(QLC)NAND閃存。

       近期,媒體報(bào)道蘋果可能會(huì)改變存儲(chǔ)容量,不再使用主流三層單元(TLC)NAND 閃存,而是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上使用四層單元(QLC)NAND閃存。

  報(bào)道指出,目前QLC NAND主要應(yīng)用于PC OEM和消費(fèi)級SSD領(lǐng)域。

  與TLC相比,QLC的優(yōu)勢在于每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)四位數(shù)據(jù),在使用相同數(shù)量的單元時(shí)比TLC儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù),或者使用更少的單元儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù),而這可以降低生產(chǎn)成本。

  不過,業(yè)界指出,在閃存可靠性,以及寫入周期壽命方面,QLC不及TLC。

  因此,一些開發(fā)QLC的存儲(chǔ)廠商往往會(huì)通過超額單元配置和更好的寫入周期管理功能來補(bǔ)償QLC較低的寫入周期壽命。

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