近日,第11屆EEVIA年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)在深圳隆重開(kāi)啟。兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理張靜受邀出席,以“持續(xù)開(kāi)拓,兆易新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題,分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域的廣泛布局,以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考,共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)周期”下的存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)。
GD Flash的開(kāi)拓之路:十四載達(dá)成212億顆出貨成就
眾所周知,F(xiàn)lash是一種非易失性的存儲(chǔ)器,在斷電和掉電的情況下,存儲(chǔ)的內(nèi)容不會(huì)發(fā)生丟失,是絕大多數(shù)電子系統(tǒng)必備的元器件。作為一家以存儲(chǔ)器為起點(diǎn)的公司,兆易創(chuàng)新從2009年推出國(guó)內(nèi)第一顆SPI NOR Flash,經(jīng)過(guò)多年的產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)拓展,目前Flash產(chǎn)品的累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò)212億顆,且市場(chǎng)占有率穩(wěn)步提升。
“十年前,F(xiàn)lash的應(yīng)用場(chǎng)景是U盤(pán)、DVD、液晶電視等消費(fèi)產(chǎn)品;十年后,汽車(chē)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域成為了Flash的熱門(mén)應(yīng)用場(chǎng)景?!睆堨o在演講環(huán)節(jié)表示:“緊隨技術(shù)變革的步伐,兆易創(chuàng)新Flash持續(xù)引領(lǐng)突破,現(xiàn)已提供27大產(chǎn)品系列、16種產(chǎn)品容量、4個(gè)電壓范圍、7款溫度規(guī)格和29種封裝方式的產(chǎn)品家族,覆蓋了幾乎所有需要存儲(chǔ)代碼的應(yīng)用場(chǎng)景?!?/p>
現(xiàn)場(chǎng)展示的兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器產(chǎn)品
那么,開(kāi)發(fā)者如何挑選合適的Flash產(chǎn)品呢?張靜從不同應(yīng)用對(duì)Flash容量、讀取性能、封裝等幾個(gè)角度進(jìn)行了解讀。
在容量上,針對(duì)不同應(yīng)用與系統(tǒng)復(fù)雜程度,不同的嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)代碼所需的Flash容量差別很大,例如消費(fèi)電子所需Flash容量在512Kb~4Gb,而物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備所需Flash容量為1Mb~256Mb。目前,兆易創(chuàng)新NOR Flash系列提供從512Kb至2Gb容量范圍,其中512Mb、1Gb、2Gb的大容量SPI NOR Flash產(chǎn)品更是填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)NOR Flash的空白;SLC NAND Flash系列提供1Gb至8Gb容量范圍,賦能消費(fèi)電子、PC周邊、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)/工業(yè)等領(lǐng)域?qū)τ诖笕萘看鎯?chǔ)數(shù)據(jù)的需求。
在性能上,兆易創(chuàng)新GD25T/LT系列是業(yè)界首款超高性能、超高可靠性的車(chē)規(guī)級(jí)4口SPI NOR Flash產(chǎn)品,數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)200MB/s,內(nèi)置ECC算法和CRC校驗(yàn)功能,可以滿(mǎn)足車(chē)載應(yīng)用的嚴(yán)苛要求。GD25X/LX系列則進(jìn)一步拓展,是8口SPI NOR Flash產(chǎn)品,數(shù)據(jù)吞吐量可以達(dá)到400MB/s,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超高水平的產(chǎn)品性能,賦能廣泛的汽車(chē)電子應(yīng)用。
在封裝上,兆易創(chuàng)新更是存儲(chǔ)行業(yè)的引領(lǐng)者,例如在64Mb容量上,兆易創(chuàng)新推出了業(yè)界超小尺寸的3 x 2 x 0.4 mm FO-USON8封裝產(chǎn)品,與傳統(tǒng)3 x 2 mm USON8封裝完全兼容,而傳統(tǒng)3 x 2 USON8封裝的最大可支持容量是32Mb。這意味著開(kāi)發(fā)者無(wú)需改動(dòng)PCB,僅僅換一顆兆易創(chuàng)新FO-USON8封裝的Flash即可實(shí)現(xiàn)容量翻倍。不僅如此,今年5月兆易創(chuàng)新重磅推出采用3 x 3 x 0.4 mm FO-USON8封裝的GD25LE128EXH芯片,這是目前業(yè)界在128Mb容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品,與傳統(tǒng)3 x 4 mm USON8封裝完全兼容,而傳統(tǒng)3 x 4 mm USON8封裝的最大支持容量是64Mb,開(kāi)發(fā)者無(wú)需改動(dòng)PCB,換上GD25LE128EXH芯片便可實(shí)現(xiàn)容量翻倍,能夠很好地滿(mǎn)足可穿戴電子產(chǎn)品對(duì)“輕、薄、小”的追求。
探索先進(jìn)制程SoC的高能效應(yīng)用,1.2V超低電壓Flash為綠碳貢獻(xiàn)力量
隨著雙碳理念的發(fā)展,高能效、低功耗的應(yīng)用需求在半導(dǎo)體領(lǐng)域愈發(fā)凸顯。與此同時(shí),移動(dòng)設(shè)備、云計(jì)算、汽車(chē)電子、可穿戴等應(yīng)用的SoC主芯片也在走向7nm及以下的先進(jìn)工藝制程;一般而言,制程節(jié)點(diǎn)越先進(jìn),SoC主芯片性能越高、功耗越低。此時(shí),SoC的核心供電電壓也降到了1.2V,若使用常規(guī)1.8V的NOR Flash,外圍電路設(shè)計(jì)將變得復(fù)雜,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)難度也會(huì)提升。
如下圖所示,左側(cè)的方案是核心電壓1.2V的SoC與1.8V的NOR Flash進(jìn)行通信,SoC設(shè)計(jì)需要增加升壓電路,將內(nèi)部1.2V電壓提升至1.8V,才能匹配外部NOR Flash的1.8V電壓水平,這顯然增加了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和提升了整體的功耗。右側(cè)的方案則是NOR Flash核心供電和IO接口供電電壓均為1.2V,與SoC核心電壓1.2V保持一致,這樣可以簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)、SoC省去升壓電路,并且降低系統(tǒng)功耗。
應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì),兆易創(chuàng)新推出了1.2V SPI NOR Flash——GD25UF產(chǎn)品系列,在1.2V工作電壓下的數(shù)據(jù)傳輸速度、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,可以輕松適配核心電壓1.2V的先進(jìn)制程SoC。同時(shí),相比1.8V NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal模式下,相同電流情況下的功耗降低33%;在Low Power模式下,相同頻率下的功耗更是降低70%。這些出色的特性使得GD25UF系列成為下一代可穿戴和可移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)先之選。
另外針對(duì)于高性能低功耗的雙重需求,兆易創(chuàng)新提出了核心供電1.8V、IO接口電壓1.2V的NOR Flash解決方案——GD25NF產(chǎn)品系列。這款產(chǎn)品為先進(jìn)制程SoC的電路設(shè)計(jì)提供了新的解決方案:Flash的IO接口電壓為1.2V,核心電壓1.2V的SoC與其通信無(wú)需增加升壓電路,簡(jiǎn)化了SoC電路設(shè)計(jì);Flash的核心供電為1.8V,可以保持超高讀取和擦寫(xiě)性能,而整體來(lái)看,讀取功耗相比常規(guī)1.8V方案最多可以降低40%。因此該方案也受到了集成商、OEM的廣泛關(guān)注,目前GD25NF產(chǎn)品系列正處于送樣階段。
作為嵌入式存儲(chǔ)的領(lǐng)導(dǎo)者,兆易創(chuàng)新不僅在容量、性能、封裝、電壓等關(guān)鍵要素發(fā)力,也持續(xù)聚焦存儲(chǔ)器至關(guān)重要的可靠性、安全性等諸多方面,使得新一代存儲(chǔ)芯片能夠滿(mǎn)足千行百業(yè)的應(yīng)用需求,助力行業(yè)加速創(chuàng)新。
在研討會(huì)同期,E維智庫(kù)首屆“年度硬科技產(chǎn)業(yè)縱橫獎(jiǎng)”評(píng)選活動(dòng)及頒獎(jiǎng)典禮圓滿(mǎn)舉行,兆易創(chuàng)新GigaDevice榮獲“中國(guó)技術(shù)開(kāi)拓獎(jiǎng)”以及“‘E’馬當(dāng)先新品獎(jiǎng)”兩座獎(jiǎng)杯!