傳三星正將平澤128層NAND閃存產(chǎn)線轉(zhuǎn)為236層?

時間：2023-08-31

來源：全球閃存市場

導語：據(jù)此前報道，三星已制定生產(chǎn)計劃，目標年底NAND庫存正?；?，即6-8周。其晶圓投入量將較上半年減少10%，目前該公司減產(chǎn)的主要目標是128層第6代V-NAND(V6)，該產(chǎn)品庫存較多。

       據(jù)韓媒《Etnews》引述業(yè)內(nèi)人士29日透露，三星電子正在將平澤第一工廠的NAND閃存生產(chǎn)線從128層工藝轉(zhuǎn)換為236層工藝。這是三星電子減少庫存較多的128層NAND閃存的產(chǎn)量，專注于尖端產(chǎn)品的策略。

　　據(jù)此前報道，三星已制定生產(chǎn)計劃，目標年底NAND庫存正?；?，即6-8周。其晶圓投入量將較上半年減少10%，目前該公司減產(chǎn)的主要目標是128層第6代V-NAND(V6)，該產(chǎn)品庫存較多。

　　雖然具體規(guī)模尚未確認，但據(jù)悉三星電子將改變平澤的許多P1NAND生產(chǎn)線。多位熟悉三星情況的業(yè)內(nèi)人士表示，“據(jù)了解，轉(zhuǎn)產(chǎn)政策已經(jīng)確定，工作已經(jīng)開始”。

　　P1工廠是三星電子的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)能為每月10萬片DRAM和19萬片NAND基于12英寸(300毫米)晶圓。

　　據(jù)稱，三星正試圖減少產(chǎn)品產(chǎn)量，并將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到目前商用產(chǎn)品中最先進的236層NAND。由于半導體工藝轉(zhuǎn)換需要相當長的時間，設備更換期間的減產(chǎn)效果顯著，意味著可以快速減少128層NAND的庫存。

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