2023年第二屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)

時(shí)間:2023-03-30

來(lái)源:鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司

導(dǎo)語(yǔ):2023年第二屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)由半導(dǎo)體在線主辦,本屆會(huì)議于2023年3月30-31日在中國(guó)-蘇州合景萬(wàn)怡酒店召開。 第二屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)提供協(xié)同創(chuàng)新的高質(zhì)量交流平臺(tái),推動(dòng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,展示業(yè)內(nèi)精英企業(yè),凝聚行業(yè)發(fā)展共識(shí)。 在此次會(huì)議,鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司(簡(jiǎn)稱:鵬城半導(dǎo)體)將帶來(lái)納米技術(shù)及高端制造設(shè)備跟大家見(jiàn)面,其中包括多功能磁控濺射解決方案、熱絲CVD金剛石制備設(shè)備、分子束外延系統(tǒng)MBE、等離體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積PECVD、高真空電子束蒸鍍儀等。

2023年第二屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)由半導(dǎo)體在線主辦,本屆會(huì)議于2023年3月30-31日在中國(guó)-蘇州合景萬(wàn)怡酒店召開。

第二屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)提供協(xié)同創(chuàng)新的高質(zhì)量交流平臺(tái),推動(dòng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,展示業(yè)內(nèi)精英企業(yè),凝聚行業(yè)發(fā)展共識(shí)。

在此次會(huì)議,鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司(簡(jiǎn)稱:鵬城半導(dǎo)體)將帶來(lái)納米技術(shù)及高端制造設(shè)備跟大家見(jiàn)面,其中包括多功能磁控濺射解決方案、熱絲CVD金剛石制備設(shè)備、分子束外延系統(tǒng)MBE、等離體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積PECVD、高真空電子束蒸鍍儀等。

多功能磁控濺射是用磁控濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。

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熱絲CVD金剛石制備設(shè)備:研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備,分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。

設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。

可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片,用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉;可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層;環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的耐腐蝕金剛石導(dǎo)電電極等。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備,也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

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分子束外延系統(tǒng)MBE:可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝,實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造。

分子束外延系統(tǒng)MBE在薄膜外延生長(zhǎng)時(shí)具有超高的真空環(huán)境,是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長(zhǎng),它可以排除在薄膜生長(zhǎng)時(shí)的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜。

我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)設(shè)備,分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ,配置合理,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作方便,技術(shù)先進(jìn),性能可靠,用途多,實(shí)用性強(qiáng),性價(jià)格比高,可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。

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等離體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積PECVD:主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng);采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

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高真空電子束蒸鍍儀:是在高真空條件下,采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法,在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導(dǎo)電薄膜、光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點(diǎn)材料。

可用于生產(chǎn)、科學(xué)實(shí)驗(yàn)及教學(xué),可根據(jù)用戶要求專門訂制。

可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動(dòng)控制及光學(xué)膜厚自動(dòng)控制兩種方式, 通過(guò)PLC 和工控機(jī)聯(lián)合實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)鍍膜過(guò)程的全程自動(dòng)控制, 包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過(guò)程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。

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鵬城半導(dǎo)體核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與高端精密制造,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。在本屆會(huì)議中所呈現(xiàn)的方案及設(shè)備,將有工作人員給您詳細(xì)講解,希望可以在線下和大家產(chǎn)生更多的技術(shù)交流及思想碰撞。

3月30日-31日,歡迎大家到會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)打卡體驗(yàn)

期待與您相遇!

我們不見(jiàn)不散~

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