如今哈工大公布新成果，光刻機關鍵技術突破，很可能國產7nm手機芯片要來了!那么究竟發(fā)生了什么?

　　眾所周知，我國由于半導體領域發(fā)展比較晚，所以針對于芯片方面并沒有優(yōu)勢，反觀老美基于20世紀“科學無國界”的口號，招募到的人才替其建立了美國在半導體領域的地位。

　　而由于在70年內發(fā)展迅速，不僅成為了世界第二經濟體，還在軍事實力、尖端科技和綜合國力均排行第二，僅次于美國，成績輝煌閃耀。

　　這令老美不得不感到忌憚，因此其為了鞏固自己國際主導地位的身份，防止被我國在科技領域超越，對大陸進行了多次且多方面限制。

　　比如說華為、中芯國際、長江存儲和中興通訊等中企均受到過限制，不過最重要的還是半導體領域的斷供限制。

　　早在2018年，ASML的13.5nm波長EUV光刻機在市面上首次出現，中芯國際也是直接選擇了訂購一臺。

　　但很可惜，基于老美在EUV光刻機研發(fā)團隊“EUV LCC聯盟”的主導地位，加上美零件與核心技術在EUV光刻機產品中占比超過30%，所以最終老美并不同意將EUV光刻機向中國市場供應。

　　以至于如今國內代工廠商沒有任何一款7nm以下制程的電子硅基芯片進行量產，整體量產能力也并沒有突破至先進工藝制程。

　　可令人憤然的是老美再次盯上了大陸市場的DUV光刻機供應渠道，聯合日本與荷蘭組成“美日荷聯盟”，通過世界名列前茅的ASML、東京電子、尼康對中國市場進行斷供。

　　在確定協議之后，ASML率先宣布協議達成，并將會在一段時間后落地實施，所以呼吁中企們加速購入DUV光刻機，由此可見ASML對限制出貨的態(tài)度。

　　不過即便ASML沒有被限制，可以一直實現供應，那終究不是自主可控的，存在著“卡脖子”的風險，所以自主研發(fā)才是“正道”。

　　那么好消息來了，如今哈爾濱工業(yè)大學公布新突破，那就是“高速超精密激光干涉儀”，這項技術能夠解決DUV光刻機的關鍵問題，屬于是整體的核心部分。由此可見，“高速超精密激光干涉儀”確實是不小的突破，帶來了我國半導體制造設備自研的一大推進。

　　這項技術還得到了全世界認可，榮獲世界光子大會“金隧獎”的金獎，并且還排行在金獎第一的位置，從這一點上就可以看出該技術的重要性了。

　　知情郎認為按照目前國產光刻機部件的生產，針對于DUV光刻機的研發(fā)推進相信已經不遠了，或許我國半導體領域也將很快踏入先進制程芯片領域。

　　值得一提的是其實也可以通過別的方式實現7nm制程芯片的量產，此前臺積電曾通過DUV光刻機進行“多重曝光”工序進行實現7nm工藝芯片制造。

　　基于國內近幾年的“多重曝光”技術已經頗為完善，目前正準備使用在14nm制程DUV光刻機上，將波長進行壓縮，實現對7nm制程芯片的制造甚至量產。

　　加上中芯國際具備7nm制程量產技術，配合哈工大的半導體領域技術支持，相信年內可能將會迎來國產7nm手機Soc芯片。

　　雖說目前針對于手機Soc芯片這方面，7nm制程并不算是高水平，較比臺積電和三星也有一定程度的差距，但是踏入7nm制程先進工藝無疑是中企在半導體領域的一種里程碑式的進步。

　　當然，目前電子硅基芯片這條賽道已經快要達到盡頭，根據摩爾定律顯示，此類芯片的物理極限是1nm制程。

　　這意味著如今臺積電的3nm工藝之后，預計只有2nm和1nm，并且代工價格將進一步提升，面對走進“死胡同”的賽道，跟上其工藝發(fā)展無疑只是時間問題。

　　反觀全新的光子芯片、量子芯片、量子計算機等方面均已經有著小規(guī)模突破，甚至部分領域已經有著領先水平。

　　總體來說，中企們在雙工件臺，物鏡、光源，掩膜板、光刻膠等半導體核心系統(tǒng)和材料等方面的突破，證明了我們在芯片制造自主研發(fā)的道路上越走越遠、越來越自信，在國內企業(yè)團結合作，分工明確的環(huán)境下，在國家的大力扶持之下，國產芯片的未來是可期的。