復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，清純半導(dǎo)體研發(fā)基地啟用

時(shí)間：2023-02-06

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語(yǔ)：清純半導(dǎo)體消息顯示，清純半導(dǎo)體研發(fā)基地總面積4600平米，建設(shè)四大實(shí)驗(yàn)平臺(tái)：一樓建設(shè)器件性能測(cè)試平臺(tái)、晶圓測(cè)試及老化平臺(tái);三樓建設(shè)可靠性及應(yīng)用平臺(tái);四樓建設(shè)器件測(cè)試及老化平臺(tái)。

       2月3日，復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目——清純半導(dǎo)體研發(fā)基地舉行啟用儀式。

　　清純半導(dǎo)體消息顯示，清純半導(dǎo)體研發(fā)基地總面積4600平米，建設(shè)四大實(shí)驗(yàn)平臺(tái)：一樓建設(shè)器件性能測(cè)試平臺(tái)、晶圓測(cè)試及老化平臺(tái);三樓建設(shè)可靠性及應(yīng)用平臺(tái);四樓建設(shè)器件測(cè)試及老化平臺(tái)。實(shí)驗(yàn)室總規(guī)劃面積超2500平米，配備了國(guó)際領(lǐng)先的功率器件參數(shù)測(cè)試及可靠性設(shè)備，平臺(tái)總投入近億元，具備支撐月產(chǎn)近千萬(wàn)顆碳化硅器件的測(cè)試及篩選能力。

　　清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，是一家碳化硅功率器件設(shè)計(jì)和供應(yīng)商。寧波前灣新區(qū)消息顯示，清純半導(dǎo)體已正式量產(chǎn)首款國(guó)產(chǎn)15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET，推出國(guó)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同時(shí)獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證并通過(guò)HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。

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