12月1日，據(jù)報道，意法半導體和Soitec宣布下一階段的碳化硅(SiC)襯底合作，意法半導體計劃在未來18個月內(nèi)對Soitec的SiC襯底技術(shù)進行認證。

　　此次合作的目標是意法半導體在未來的8英寸襯底制造中采用Soitec的SmartSiC?技術(shù)，為其器件和模塊制造業(yè)務(wù)提供動力，預(yù)計將在中期量產(chǎn)。

　　“向8英寸SiC晶圓的過渡將為我們的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大的優(yōu)勢，因為他們加速了向系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的過渡?！耙夥ò雽w汽車和分立器件業(yè)務(wù)部總裁Marco Monti表示。

　　“隨著電動汽車的出現(xiàn)，汽車行業(yè)正面臨重大顛覆。我們尖端的SmartSiC?技術(shù)使我們獨特的SmartCut?工藝適應(yīng)碳化硅半導體，將在加速其采用方面發(fā)揮關(guān)鍵作用，“Soitec首席運營官Bernard Aspar說。Soitec的SmartSiC?襯底與意法半導體業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)和專業(yè)知識相結(jié)合，將改變汽車芯片制造的游戲規(guī)則，樹立新的標準。

　　SiC是一種具有內(nèi)在特性的顛覆性化合物半導體材料，在電動汽車和工業(yè)流程等關(guān)鍵、高增長的功率應(yīng)用中提供優(yōu)于硅的性能和效率。它可實現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換、更輕、更緊湊的設(shè)計，并節(jié)省整體系統(tǒng)設(shè)計成本，這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和因素。

　　從6英寸晶圓過渡到8英寸晶圓將大幅提高產(chǎn)能，制造集成電路的有用面積提升幾乎兩倍，每個晶圓可以提升1.8-1.9倍的工作芯片。

　　值得注意的是，今年10月，意法半導體表示將在意大利建造一座價值7.3億歐元(約合人民幣50.28億元)，年產(chǎn)超過37萬片的襯底項目，借此實現(xiàn)40%碳化硅襯底的自主供應(yīng)。

　　此前，為了提高歐洲的生產(chǎn)能力，歐盟推出了《芯片法案》，歐盟擬動用超過430億歐元的公共和私有資金，用于支持芯片生產(chǎn)、試點項目和初創(chuàng)企業(yè)。通過增加投資、加強研發(fā)，擴大歐盟芯片產(chǎn)能在全球市場占比，并防止對國際市場過度依賴。

　　意法半導體表示，新的集成SiC襯底制造設(shè)施將滿足汽車和工業(yè)客戶在向電氣化過渡期間不斷增長的需求。這項為期五年的投資將于2026年完成，將得到意大利2.925億歐元的公共資金的支持，作為該國國家恢復(fù)和復(fù)原計劃的一部分，并獲得歐盟委員會的批準。