據(jù)外媒Bits & Chips報(bào)道，ASML首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink日前受訪時(shí)表示，目前公司正有序推行其路線圖，在EUV之后是High-NA EUV技術(shù)。ASML正在準(zhǔn)備向客戶交付首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，大概會(huì)在明年某個(gè)時(shí)間點(diǎn)完成。
與現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)相比，High-NA EUV光刻機(jī)將更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因?yàn)楣庠?，High-NA使用了相同的光源需要額外0.5兆瓦，ASML還使用水冷銅線為其供電。
據(jù)Martin van den Brink介紹，開發(fā)High-NA EUV技術(shù)的最大挑戰(zhàn)是為EUV光學(xué)器件構(gòu)建計(jì)量工具，配備的反射鏡尺寸為此前產(chǎn)品的兩倍，同時(shí)需要將其平整度控制在20皮米內(nèi)。
至于High-NA EUV技術(shù)之后的技術(shù)方案，Martin van den Brink表示，ASML正在研究降低波長(zhǎng)，但其懷疑Hyper-NA將是最后一個(gè)NA，可能是接下來半導(dǎo)體光刻技術(shù)發(fā)展出現(xiàn)問題的地方，其制造和使用成本都高得驚人，且不一定能真正投入生產(chǎn)，當(dāng)前半導(dǎo)體光刻技術(shù)之路或已走到盡頭。
眾所周知，ASML是全球最大的光刻機(jī)設(shè)備廠商，2021年，ASML曾2次提高生產(chǎn)目標(biāo)，希望到2025年，其年出貨量能達(dá)到約600臺(tái)DUV(深紫外光)光刻機(jī)以及90臺(tái)EUV(極紫外光)光刻機(jī)。
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