中國在下一代光電芯片制造領域獲重大突破

時間：2022-09-15

來源：手機中國

導語：最近幾年，國產芯片面臨“卡脖子”的危險。有專家討論，中國要么沿著國外的技術路線打造國產芯片；要么另辟蹊徑，開辟全新的賽道，實現彎道超車。顯然，后一條路線更難。目前來看，這兩條路線是并行的，而且各自有所突破。

　　9月14日晚，中國科學家在國際頂級學術期刊《自然》發(fā)表最新研究，首次得到了納米級光雕刻三維結構，在下一代光電芯片制造領域獲得了重大突破。這一重大發(fā)明未來或可開辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調制器、聲學濾波器、非易失鐵電存儲器等關鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計算、人工智能等領域有廣泛的應用前景。

　　據悉，南京大學張勇、肖敏、祝世寧領銜的科研團隊，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內部，通過控制激光移動的方向，在晶體內部形成有效電場，實現三維結構的直寫和擦除。

　　這一新技術的難度在于，它突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結構的尺寸，從傳統(tǒng)的1微米量級(相當于頭發(fā)絲的五十分之一)，首次縮小到納米級，達到30納米，大大提高了加工精度。


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