東芯股份回應(yīng)19nm閃存進(jìn)度及3D NAND研發(fā)問(wèn)題

時(shí)間:2022-08-24

來(lái)源:全球閃存市場(chǎng)

導(dǎo)語(yǔ):在高可靠性方面,由于公司本身就具備開(kāi)發(fā)更高容量NAND的基礎(chǔ),因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的產(chǎn)品,如車(chē)規(guī)級(jí)的SLC NAND。目前公司也是國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家有做車(chē)規(guī)級(jí)的SLC NAND能力的企業(yè)。

       近日,東芯股份在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司19nm先進(jìn)制程的NANDFlash產(chǎn)品已完成了首輪流片,目前正在產(chǎn)品調(diào)試的過(guò)程中。

  針對(duì)3D NAND閃存研發(fā)問(wèn)題,東芯股份表示,公司目前聚焦于中小容量通用型存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售,暫不涉及3DNAND業(yè)務(wù)。

  車(chē)規(guī)級(jí)芯片方面,東芯股份稱,車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品對(duì)產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)都有更高的要求,因此產(chǎn)品認(rèn)證及導(dǎo)入時(shí)間較長(zhǎng),目前相關(guān)產(chǎn)品正在積極研發(fā)和導(dǎo)入過(guò)程中。

  此前6月,東芯股份曾強(qiáng)調(diào),SLC NAND是進(jìn)入NAND Flash的必經(jīng)之路,在SLC NAND的布局上,公司目前有兩個(gè)方向,分別是高可靠性和更新工藝。

  在高可靠性方面,由于公司本身就具備開(kāi)發(fā)更高容量NAND的基礎(chǔ),因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的產(chǎn)品,如車(chē)規(guī)級(jí)的SLC NAND。目前公司也是國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家有做車(chē)規(guī)級(jí)的SLC NAND能力的企業(yè)。

  在更新工藝方面,公司不斷更新制程,從38nm、24nm,再到現(xiàn)在正在開(kāi)發(fā)的19nm的工藝。通過(guò)更新工藝來(lái)為客戶帶來(lái)更具性價(jià)比、更高容量的產(chǎn)品。

  作為Fabless芯片企業(yè),東芯股份擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),聚焦中小容量存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售,是國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM等主要存儲(chǔ)芯片完整解決方案的公司。

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