ASML中國(guó):讓摩爾定律重?zé)ü獠剩?nm不是難事
時(shí)間:2022-05-19
來(lái)源:21ic
導(dǎo)語(yǔ):ASML自信滿滿地指出“在元件方面,目前的技術(shù)創(chuàng)新足夠?qū)⑿酒闹瞥掏七M(jìn)至至少1納米節(jié)點(diǎn),包括gate-all-around FETs(環(huán)繞柵極晶體管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”。
5月16日是聯(lián)合國(guó)教科文組織定義的“國(guó)際光日”,ASML中國(guó)官方在一篇微信推送中寫道“創(chuàng)新,讓摩爾定律重?zé)ü獠省薄?/p>
ASML中國(guó)強(qiáng)調(diào),過(guò)去15年,摩爾定律依然生效且狀況良好,未來(lái)十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)將繼續(xù)保持勢(shì)頭。
ASML自信滿滿地指出“在元件方面,目前的技術(shù)創(chuàng)新足夠?qū)⑿酒闹瞥掏七M(jìn)至至少1納米節(jié)點(diǎn),包括gate-all-around
FETs(環(huán)繞柵極晶體管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”。
此外,光刻系統(tǒng)分辨率的改進(jìn)(預(yù)計(jì)每6年左右縮小2倍)和邊緣放置誤差(EPE)對(duì)精度的衡量也將進(jìn)一步推動(dòng)芯片尺寸縮小的實(shí)現(xiàn)。
據(jù)了解,納米之后將進(jìn)入埃米時(shí)代,臺(tái)積電、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工藝早期路線圖。也許,技術(shù)創(chuàng)新之所以彌足珍貴,內(nèi)核要義就在于不會(huì)被困難打倒。
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