臺積電董事長稱美光的存儲技術(shù)已超過三星,美光的技術(shù)如何?

時間:2021-12-14

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導(dǎo)語:據(jù)公開資料顯示,在 NAND Flash 領(lǐng)域,美光確有后來居上的態(tài)勢,美光的 176 層堆疊 3D NAND Flash 開始大量生產(chǎn),但三星目前仍停留在 128 層。

       近日,臺積電董事長劉德音在出席活動時表示,美光的存儲技術(shù)已經(jīng)超越三星,引來臺積電與美光加深合作的猜測。

  據(jù)公開資料顯示,在 NAND Flash 領(lǐng)域,美光確有后來居上的態(tài)勢,美光的 176 層堆疊 3D NAND Flash 開始大量生產(chǎn),但三星目前仍停留在 128 層。

  在 DRAM 技術(shù)方面,美光原落后三星,但如今追趕速度加快。今年第一季已領(lǐng)先三星、SK 海力士導(dǎo)入 1α 制程量產(chǎn),更預(yù)計搶先在 2022 年推進(jìn)到 1β 制程。臺媒表示,美光與三星的存儲龍頭之爭,未來幾年將很有看頭。

  在代工方面,三星一直是臺積電的最大競爭對手,但在存儲方面,三星擁有優(yōu)勢,以至于一些業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,如果三星能夠在代工過程中充分整合存儲優(yōu)勢,將會在與臺積電的對抗中保持競爭力。

  智慧芽專家表示,截至最新,美光半導(dǎo)體及其關(guān)聯(lián)公司在126個國家/地區(qū)中,共有5萬余件專利申請。而根據(jù)智慧芽專利技術(shù)構(gòu)成數(shù)據(jù)顯示,美光半導(dǎo)體以及關(guān)聯(lián)公司的專利中有17,818件專利是與 “專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備”有關(guān),有9,266件專利是與 “由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件”有關(guān)。

  此外,根據(jù)智慧芽專利目標(biāo)市場國的數(shù)據(jù)可知,美光半導(dǎo)體專利主要分布于以下國家/地區(qū),它們分別是美國、韓國、德國、新加坡、日本等國家。

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