半導體材料，主要分為基體材料、晶圓制造材料、封裝材料和關(guān)鍵元器件材料。本文聚焦在晶圓制造材料，梳理全球相關(guān)市場供需狀況，以及本土相關(guān)市場、產(chǎn)品、企業(yè)區(qū)域分布和關(guān)鍵領(lǐng)域龍頭企業(yè)的狀況，希望籍此分析國內(nèi)的晶圓制造材料產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。

　　全球市場供需兩旺

　　全球半導體材料市場持續(xù)增長，自2018年以來每年超過500億美元。芯片發(fā)貨量的增加以及芯片制造和封裝廠對先進工藝不斷增長的需求成為主要推手。2020年，全球半導體材料市場增長了5%，銷售收入達到553億美元，創(chuàng)下了新的行業(yè)記錄。盡管疫情的影響還在持續(xù)，但這一增長勢頭在整個2021年一直持續(xù)。據(jù)TECHET統(tǒng)計數(shù)據(jù)，今年全球半導體材料市場將超過570億美元，預計到2025年，所有半導體材料的年復合增長率不低于5.3%，其中增長最快的包括硅晶圓、清洗材料、拋光液材料和光刻膠這些晶圓制造材料。

　　從2020年的情況看，晶圓制造材料的收入增長了6.5%，達到349億美元，其中，光刻膠和配套試劑、濕化學制品和化學機械拋光CMP(漿料和墊子)的增長最為強勁。

　　就晶圓制造材料市場結(jié)構(gòu)而言，硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比為12.6%，其后分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、濺射靶材，比分別為7.2%、6.9%、6.1%、4%和3%。

　　在光刻膠類別中，先進制程的光刻膠在2020年出現(xiàn)了22%的增長，這主要是因為先進光刻技術(shù)工藝對縮放的持續(xù)追求，擴大了EUV的使用和關(guān)鍵層的多圖案化，以刺激193 nm和13.5nm光刻膠的更高消耗，推動了需求。特別是，EUV正在快速應用于高吞吐量生產(chǎn)的前沿邏輯器件，使用了超過85個沉積和蝕刻工具，并在2020年年底前投入量產(chǎn)。

　　相較而言，硅片市場過去一直是周期性的，通常對供求動態(tài)很敏感。2020年，全球硅片出貨量比2019年增長了5%，但由于2020年上半年的軟定價，硅市場收入與2019年持平。SEMI預計，隨著市場對300 mm外延晶圓的強勁需求，以及200 mm和300 mm拋光晶圓的增長，硅片市場在今年得到強勁反彈，預計硅片出貨面積同比增長13.9%，達到近140億平方英寸(MSI)的創(chuàng)紀錄高點。而在2024年，全球硅片出貨量將實現(xiàn)強勁增長。

　　國內(nèi)材料產(chǎn)業(yè)增勢迅猛

　　由于和制造產(chǎn)業(yè)高度相關(guān)，半導體材料市場的集中度也非常高。從區(qū)域角度來看，十多年來，臺灣地區(qū)一直是全球最大的半導體材料消費市場。而隨著半導體制造業(yè)的擴張，中國大陸也在2020年成為全球第二大原材料市場，韓國排名第三。

　　2015-2019年，國內(nèi)半導體材料市場規(guī)模逐年增長，從2015年的61億美元增長至2019年的87億美元，年復合增長率為9.3%。2019年在全球半導體材料下行趨勢下，中國大陸是唯一半導體材料市場規(guī)模增長的地區(qū)。預測2021年中國半導體材料市場規(guī)模將達99億美元。

　　隨著半導體材料市場規(guī)模的擴大，國產(chǎn)化已是大勢所趨，目前，國內(nèi)的上游晶圓制造材料廠商包括硅晶圓、光刻膠及配套試劑、超凈高純化學試劑、光掩膜版、拋光液、光刻膠和特種氣體。并且在這些領(lǐng)域形成了一批龍頭企業(yè)，如光刻膠領(lǐng)域中目前唯一具備ArF光刻膠生產(chǎn)能力的南大光電，該公司也是特種氣體的頭部企業(yè);布局半導體光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈的晶瑞股份，以及KrF光刻膠企業(yè)彤程新材、上海新陽等;特種氣體領(lǐng)域除南大光電外，還有雅克科技，華特氣體、金宏氣體等;濕電子化學品龍頭企業(yè)江化微。

　　根據(jù)與非研究院統(tǒng)計，目前，國內(nèi)晶圓制造材料企業(yè)約128家，從分布區(qū)域看，十分廣泛。按集中度排名前五的省份依次是江蘇省26家，上海12家，北京10家，山東、浙江和廣東各9家，河南7家。具體分布詳見下圖(詳細統(tǒng)計名錄見附錄)。

　　在晶圓制造材料中，光刻膠、靶材和特種氣體因為在半導體器件制造過程中發(fā)揮關(guān)鍵作用，因此尤為重要。作為芯片制造的核心流程，光刻工藝通過將具有細微幾何圖形結(jié)構(gòu)的光刻膠留在襯底上，再通過刻蝕等工藝將該結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到襯底上。光刻膠作為影響光刻效果的核心材料，成為國內(nèi)企業(yè)重點布局的電子產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料之一，目前國產(chǎn)替代趨勢正勁。

　　從光刻膠市場看，中國大陸領(lǐng)跑全球。根據(jù)Cision數(shù)據(jù)，2019年，全球整體光刻膠市場規(guī)模為91億美元，而到 2022年則有望達到105億美元，年均復合增速5%，其中中國占據(jù)光刻膠最大的市場份額。SEMI預計，2015-2020 年中國光刻膠市場規(guī)模將由100億元增長至176億元，年均復合增速12.0%。

　　雖然市場需求強勁，但目前我國半導體光刻膠制造能力仍較弱，中國光刻膠企業(yè)主要生產(chǎn)技術(shù)水平較低的PCB用光刻膠，占整體生產(chǎn)結(jié)構(gòu)中的94%，半導體光刻膠則主要依賴進口。目前，在全球半導體光刻膠領(lǐng)域，主要由日本合成橡膠(JSR)、東京應化(TOK)、羅門哈斯、日本信越和富士材料等頭部廠商所壟斷。其中，在高端半導體光刻膠市場上，全球的EUV和ArF光刻膠主要是JSR、陶氏和信越化學等供應商，占有份額最大的是JSR、信越化學，TOK也有研發(fā)。

　　從國內(nèi)的光刻膠市場來看，低端的中g(shù)線/i線光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴進口，是國內(nèi)半導體的卡脖子領(lǐng)域。

　　不過，這一情況正在改變，除了國家對半導體產(chǎn)業(yè)的政策支持，下游廠商也從供應鏈安全角度考慮開始扶持國產(chǎn)光刻膠，而全球晶圓廠的擴產(chǎn)潮也帶來了爆發(fā)的需求和新一輪的認證窗口期。

　　另外，今年2月，日本福島東部海域發(fā)生7.3級地震導致信越化學福島工廠生產(chǎn)暫停，其KrF光刻膠產(chǎn)線受到嚴重破壞。重建一條KrF光刻膠產(chǎn)線(特別是樹脂產(chǎn)線)需要大約2-3年，因此進一步加劇了半導體光刻膠產(chǎn)能的短缺，有部分中小晶圓廠已經(jīng)斷供，國內(nèi)光刻膠企業(yè)正在抓住這個寶貴的替代窗口期加快產(chǎn)品進度。

　　目前，晶瑞電材高端KrF(248)光刻膠已完成中試并已進入客戶測試階段，其ArF(193)高端光刻膠研發(fā)工作已正式啟動。此外，廣信材料擬定增募資5.7億元用于年產(chǎn)5萬噸電子感光材料及配套材料項目，加速布局光刻膠領(lǐng)域。

　　相較于光刻膠，國內(nèi)在特種氣體領(lǐng)域有著更好的基礎(chǔ)。特種氣體是指在半導體芯片制備過程中需要使用到的各種氣體，可劃分為摻雜氣、外延氣、離子注入用氣、LED用氣、蝕刻用氣、化學汽相沉淀用氣、載運和稀釋氣體等幾大類，種類繁多，在半導體工業(yè)中應用的有110余種電子氣體，常用的有20-30種。目前，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品已基本可以覆蓋電子氣體品類。

　　國內(nèi)另一個產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較好的關(guān)鍵材料是濺射靶材。濺射靶材主要應用于超大規(guī)模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積(PVD)工藝，用于制備電子薄膜材料靶材市場最大的下游應用包括半導體、液晶面板等在內(nèi)的電子行業(yè)。其中，半導體芯片是金屬濺射靶材的主要應用領(lǐng)域之一，對靶材成分、組織和性能要求最高。在純度上，通常要求達到99.9995%(5N5)以上，價格最為昂貴。

　　全球半導體靶材供應基本上集中在美、日龍頭企業(yè)，如日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等，這些企業(yè)掌握了完整的制備技術(shù)，包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各環(huán)節(jié)。

　　2018年全球半導體用靶材市場規(guī)模為67.6億元，中國大陸和臺灣地區(qū)分別為10.9億元和15億元。中國整體對靶材的銷售額為25.9億元，需求量占全球比例高達38%。預計2022年全球及中國半導體對靶材的需求分別上升至86.3和21億元，中國占比達到24%。

　　總結(jié)

　　總的來看，現(xiàn)階段中國的晶圓制造材料市場的總體規(guī)模處于擴張期，增速明顯。國內(nèi)的晶圓制造材料產(chǎn)業(yè)已經(jīng)具有一定基礎(chǔ)，并在一些核心高端領(lǐng)域破局，打破壟斷形成替代。與非研究院認為，未來驅(qū)動國內(nèi)晶圓制造材料產(chǎn)業(yè)實力持續(xù)增長的因素有四個：產(chǎn)能擴張、先進制造、新技術(shù)和應用、國家政策和資本的扶持。

　　就產(chǎn)能擴張而言，無疑，當前隨著中美貿(mào)易沖突的持續(xù)和全球半導體景氣周期的上行——包括本輪缺貨的影響刺激——全球正在進入半導體擴產(chǎn)周期。全球晶圓代工資本開支占收入比重達53%，連續(xù)三年提升，而整個半導體產(chǎn)能正在持續(xù)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，2020-2030年，中國大陸半導體資本開支復合增速有望高于全球。

　　未來兩年，中國大陸和臺灣地區(qū)將分別建立8座晶圓廠，美國新建6座。這29座晶圓廠建成后將新增260萬片/月的晶圓產(chǎn)能，有望拉動全球晶圓制造材料市場規(guī)模繼續(xù)高速成長。

　　具體看，中國大陸晶圓代工廠未來的擴產(chǎn)規(guī)劃十分巨大，8寸的產(chǎn)能將從當前的74萬片/月增長至135萬片/月;12寸產(chǎn)能將從當前38.9萬片/月增長至145.4萬片/月，分別實現(xiàn)82%及274%的增長，這將直接帶動晶圓制造材料的需求。而從產(chǎn)能擴張結(jié)構(gòu)看，12寸晶圓的增速將遠超8寸晶圓，這一制程結(jié)構(gòu)的升級也將帶動更大的晶圓制造材料用量的增長。

　　在先進制造方面，極紫外(EUV)和高數(shù)值孔徑(高NA)EUV、異構(gòu)集成、材料和工藝創(chuàng)新以及FinFET是突破后摩爾定律發(fā)展半導體制造的動力。這一過程中，舊材料將被新材料取代，預計到2025年，30%的先進邏輯生產(chǎn)將依賴于新材料和新工藝。

　　在新技術(shù)和應用上，全球經(jīng)濟數(shù)字化程度的提高，5G技術(shù)的部署，數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)帶來的系統(tǒng)升級，以及對AI的強勁投資，這些新應用都需要更先進的芯片來支持，這也將依賴于先進制造，包括3D存儲和異構(gòu)集成，這些都需要更多的處理步驟，從而推動更高的晶圓制造材料的消耗。

　　另一個來自于新應用的機遇是隨著全球碳中和目標的確定，圍繞綠色能源的應用推動了第三代半導體的發(fā)展，繼而增加了相關(guān)產(chǎn)能和材料的供應。截至2020年底，國內(nèi)約有8條SiC制造產(chǎn)線，10條正在建設(shè)。7條GaN-on-Si產(chǎn)線，4條正在建設(shè)。目前，國內(nèi)SiC導電型襯底產(chǎn)能(折合6英寸)約18萬片，外延22萬片，Si基GaN外延約28萬片。到2025年，我國新能源汽車板塊需75萬片等效SiC 6寸晶圓，快充部分需要67萬片GaN相關(guān)晶圓，現(xiàn)有產(chǎn)能與需求差距較大，需要在2025年前加速擴產(chǎn)，才能解決供給缺口。

　　另根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2025年全球功率器件市場規(guī)模將達25.62億美元，需求的釋放將帶動襯底產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。2020年我國生產(chǎn)半絕緣型襯底9萬片/年，導電型襯底18萬片/年。預計2030年半絕緣型襯底產(chǎn)量將達20萬片/年，導電型襯底產(chǎn)量將達40萬片/年，大尺寸襯底將成為主流趨勢。國內(nèi)相關(guān)龍頭企業(yè)的業(yè)績也反映出一些趨勢，例如天岳先進在2020年實現(xiàn)營收4.25億元，同比增長58.2%，其中碳化硅襯底產(chǎn)能4.81萬片/年，同比增長達140.5%。

　　在國家政策和資本扶持方面，前者結(jié)合當前全球政經(jīng)環(huán)境毋庸贅言。在資金投入上，國家集成電路大基金已經(jīng)開始介入。在與非網(wǎng)梳理的《國家集成電路大基金二期投資概覽》https://www.eefocus.com/component/506432中，可以看到截至2021年10月22日，在大基金二期對外投資的15家企業(yè)(戰(zhàn)略配售除外)中，有兩家材料企業(yè)在列——派瑞特種氣體和南大光電，前者獲投7355萬元，后者大基金二期以1.833億元的價格認購其新增注冊資本6733.19萬元，認繳出資比例18.33%。

　　綜此，隨著半導體技術(shù)和應用的發(fā)展，產(chǎn)能的周期性擴張，以及國內(nèi)產(chǎn)業(yè)成熟度的提高，作為半導體生產(chǎn)制造核心基礎(chǔ)的晶圓制造材料產(chǎn)業(yè)，正在給國內(nèi)企業(yè)帶來一個充滿挑戰(zhàn)的發(fā)展機遇。