2018年，特斯拉在MODEL 3上破天荒的“一擲千金”，在主逆變器中安裝了24個由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的碳化硅(SiC)MOSFET 功率模塊。

　　當(dāng)時，一塊SiC芯片的價格要比傳統(tǒng)硅芯片貴十倍左右，即使如今SiC售價有所下降，但SiC芯片的價格也是同等硅器件的數(shù)倍。

　　一直以來，特斯拉都是電動汽車市場的先驅(qū)，尤其在成本控制上幾乎到了“喪心病狂”的地步，采用模塊化平臺、壓鑄一體成型后車體、優(yōu)化電池包設(shè)計、放棄激光雷達，只要能夠壓縮成本，幾乎無所不用其極。

　　但如此“吝嗇”的特斯拉卻愿意在幾塊小小的SiC芯片上花費重金，究竟原因何在?就為了顯著提升續(xù)航能力。

　　相較于Model S上使用的IGBT模塊，Model 3所采用的SiC芯片能夠為逆變器帶來5-8%的效率提升，即逆變器效率從82%提升至90%，大幅改善續(xù)航能力。此外，SiC器件在高溫下表現(xiàn)更好，哪怕達到200度的高溫，也能維持正常功率，保證長時間的高效率輸出。

　　正是基于這些優(yōu)勢，馬斯克最終將更昂貴的碳化硅應(yīng)用到Model 3性能版上，由此帶動了一場SiC替代傳統(tǒng)硅基器件的產(chǎn)業(yè)革命。

　　01 一戰(zhàn)成名的第三代半導(dǎo)體

　　隨著Model 3的成功，SiC一戰(zhàn)成名，功率模塊開始迅速“上車”。

　　自此之后，SiC正式成為豐田、比亞迪、蔚來、通用、大眾、雷諾-日產(chǎn)-三菱等車企的重點布局方向。SiC這一較為生疏的名詞，也逐漸被市場所熟知。

　　實際上，SiC屬于第三代半導(dǎo)體，這已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生的第二次產(chǎn)業(yè)突破。

　　第一代即是以硅和鍺等元素為代表的單質(zhì)半導(dǎo)體材料，它的發(fā)現(xiàn)直接推動了人類通信、航空光伏技術(shù)的發(fā)展。

　　雖然被稱為第一代半導(dǎo)體產(chǎn)品，但硅基半導(dǎo)體材料今日依然是產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。

　　第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，相對硅基器件具有高頻、高速的光電性能，被廣泛應(yīng)用于光電子和微電子領(lǐng)域，是制作發(fā)光二極管的關(guān)鍵襯底。

　　第三代半導(dǎo)體材料以SiC和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，適用于高溫、高壓、高頻率場景，同時具有電能消耗較少的優(yōu)勢。

　　值得注意的是，三代半導(dǎo)體之間并非彼此完全替代的關(guān)系，而是更類似于相互補充。每一代產(chǎn)品之間均有著各自的優(yōu)勢，僅在部分場景實現(xiàn)對傳統(tǒng)產(chǎn)品的替換。

　　例如SiC耐高壓，材料擊穿電場強度是硅的10倍;同時熱導(dǎo)率比硅更高，對散熱的要求更低;適用高頻場景，碳化硅的飽和電子漂移速率是硅的2倍，這決定了碳化硅器件可以實現(xiàn)更高的工作頻率和更高的功率密度。

　　這意味著，SiC可以減少能耗損失，提高能源轉(zhuǎn)化效率，SiC材料能夠?qū)崿F(xiàn)在射頻器件和功率器件上對硅基材料的性能完美替代。

　　在此之前，硅基IGBT統(tǒng)治了高壓高電流場景，而硅基MOSFET效率遠不如IGBT，僅適用于低壓場景。不過，硅基IGBT也存在一些缺點，比如無法承受高頻工況、功耗較大等。

　　SiC出現(xiàn)后，由于具備耐高壓、耐高頻的特性，因此僅用結(jié)構(gòu)更簡單的MOSFET器件就能覆蓋現(xiàn)在IGBT耐壓水平，同時規(guī)避硅基IGBT的缺點，耗能更少。數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，相同規(guī)格的碳化硅基 MOSFET較硅基 IGBT 的總能量損耗可大大降低 70%。

　　正是因此在Model 3上的成功，讓第三代半導(dǎo)體迅速商業(yè)化落地，由此也讓資本市場注意到了小小元器件的價值。

　　02 SiC的“奇點時刻”

　　盡管SiC存在諸多性能上的優(yōu)勢，但明顯過高的成本依然限制了它的全面應(yīng)用。

　　硅晶圓制造工藝成熟，硅基器件成本極低。與之相對，目前商用SiC襯底制備需要用到物理氣相傳輸法(簡稱PVT法)，這種方法需要極高溫度，同時生長周期長、控制難度大，良品率低。此外，SiC硬度極高且脆性高，切割耗時遠遠高于普通硅片。

　　這些原因綜合起來，造成了碳化硅的高成本難題。

　　目前來看，SiC器件成本仍是硅基產(chǎn)品數(shù)倍。但考慮到SiC器件的低能耗優(yōu)勢，以及量產(chǎn)和技術(shù)成熟帶來的成本下降趨勢，在新能源時代，SiC即將迎來屬于它的性價比“奇點時刻”。

　　新能源時代將是SiC的大舞臺。在新能源汽車行業(yè)，SiC可用于驅(qū)動和控制電機的逆變器、車載充電器和快速充電樁等。

　　在逆變器上，一輛使用SiC功率器件的電動汽車，在同等電池條件下，續(xù)航能夠提升5-10%。這也是目前碳化硅在新能源汽車應(yīng)用最多的市場。而在充電和快充領(lǐng)域，隨著成本的降低，碳化硅器件的應(yīng)用也在逐漸深入。

　　此前，小鵬布局的800V高壓快充平臺，即配置SiC芯片，用以在高壓場景中發(fā)揮關(guān)鍵性能。

　　與此同時，新能源革命還帶來了更多應(yīng)用場景，光電、風(fēng)電等不規(guī)律發(fā)電模式，以及配套的儲能體系，將成為SiC器件有待開發(fā)的龐大市場。

　　如在光伏發(fā)電上，目前光伏逆變器龍頭企業(yè)已采用SiC功率器件替代硅器件。新基建中，特高壓輸電工程對SiC器件具有重大需求。

　　廣而言之，未來SiC將在固態(tài)變壓器、柔性交流輸電、高壓直流輸電及配電系統(tǒng)等應(yīng)用方面推動智能電網(wǎng)的發(fā)展和變革。

　　據(jù)Yole預(yù)測，SiC器件應(yīng)用空間將從2020年的6億美金快速增長至2030年的100億美金。華為預(yù)計，在2030年光伏逆變器的SiC滲透率將從目前的2%增長至70%以上，在充電基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車領(lǐng)域的滲透率超過80%，通信電源、服務(wù)器電源將全面推廣應(yīng)用。

　　樂觀估計，屬于SiC的大時代即將來臨。

　　03 國產(chǎn)半導(dǎo)體的突破口

　　從更高維度分析，以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料，有望成為中國半導(dǎo)體行業(yè)的突破口。

　　以硅基IGBT為例，全球IGBT等元器件目前仍以英飛凌、安森美、三菱、富士等為主。數(shù)據(jù)顯示，2019年IGBT模組市場份額CR10占比81.10%，其中僅斯達半導(dǎo)為國內(nèi)企業(yè)，占比僅2.50%。

　　雖然在新能源汽車IGBT細分領(lǐng)域上，斯達半導(dǎo)和比亞迪等企業(yè)市場份額占比較大。但在全球硅片產(chǎn)能整體受限的情況下，IGBT產(chǎn)品配額十分匱乏，國產(chǎn)化替代步伐并不算快。

　　而SiC跳出了硅片大局，并不受制于全球硅片產(chǎn)能問題。更重要的是，全球第三代半導(dǎo)體目前總體處于發(fā)展初期階段，國內(nèi)企業(yè)與國際巨頭差距并不大。

　　縱觀整個產(chǎn)業(yè)鏈，SiC的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，制造環(huán)節(jié)對設(shè)備要求相對較低，投資額相對較小，主要關(guān)鍵之一在上游材料端。

　　國際巨頭具有領(lǐng)先優(yōu)勢，如現(xiàn)已更名Wolfspeed的科銳公司，已經(jīng)完成碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的覆蓋，能夠量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。

　　雖然目前國內(nèi)企業(yè)僅能生產(chǎn)4英寸和6英寸襯底，但從它們的量產(chǎn)時間上看，落后國際巨頭的時間由10年以上縮短至7年，差距正在不斷縮小。

　　以全球半絕緣型SiC(即用做氮化鎵射頻器件襯底)市場市場份額看，2020年美國科銳和貳陸公司市場份額分別為33%和35%，而山東天岳市場份額已達30%，排名全球第三。

　　山東天岳在半絕緣型碳化硅市場上份額逼近國際巨頭

　　在導(dǎo)電性SiC晶片(即用作功率器件襯底)上，國際巨頭優(yōu)勢較大，但國內(nèi)企業(yè)也在努力追趕。2018年，國內(nèi)天科合達和山東天岳市場份額分別為1.7%和0.5%，天科合達排名全球第六。

　　新能源大時代，國內(nèi)是最大的新能源汽車市場，更是最大的能源使用國之一，在此催化下，國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈有望實現(xiàn)更快發(fā)展，甚至成為我國在半導(dǎo)體行業(yè)的突破口。

　　04 誰在提前布局SiC?

　　顯而易見，SiC產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)成為資本熱捧的風(fēng)口。

　　由上至下，SiC產(chǎn)業(yè)鏈可以分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)。

　　襯底環(huán)節(jié)，山東天岳、天科合達已經(jīng)成為國內(nèi)龍頭，其中，山東天岳科創(chuàng)板IPO已獲通過，將成為碳化硅襯底第一股。其他公司方面，天科合達申請主動終止了IPO申請，河北同光晶體也傳出科創(chuàng)板IPO計劃。

　　在外延和器件環(huán)節(jié)，市場參與者眾多。外延環(huán)節(jié)主要有瀚天天成、東莞天域等，器件環(huán)節(jié)有泰科天潤、中車時代電氣、綠能芯創(chuàng)、上海瞻芯等企業(yè)，同時覆蓋這兩個環(huán)節(jié)的更有中電科十三所、中電科五十五所、基本半導(dǎo)體等。

　　風(fēng)口之下，SiC也已成為國內(nèi)上市公司投資布局重點方向。

　　目前，三安光電已宣布總投資160億元，將打造國內(nèi)首條、全球第三條SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋襯底、外延和器件三大環(huán)節(jié)。這種模式目前僅科銳和羅姆兩大公司采用，其他國際巨頭們也正在通過投資并購等方式實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局。

　　露笑科技計劃總投資100億布局SiC產(chǎn)業(yè)項目，目前已經(jīng)開啟6英寸導(dǎo)電性SiC襯底小批量試生產(chǎn);光伏晶體設(shè)備生產(chǎn)商晶盛機電也宣布31.34億元投資SiC襯底晶片生產(chǎn)基地項目，設(shè)計產(chǎn)能年產(chǎn)40萬片6英寸及以上尺寸的導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底晶片;鳳凰光學(xué)碳化硅外延材料也已具備量產(chǎn)能力。

　　此外，華潤微、斯達半導(dǎo)等半導(dǎo)體企業(yè)也在布局SiC襯底和器件環(huán)節(jié)。其中，華潤微SiC產(chǎn)品即將發(fā)布。

　　SiC也迎來科技巨頭密集押注。據(jù)山東天岳招股書，華為旗下哈勃投資是山東天岳第四大股東，發(fā)行后持有6.34%股權(quán);同時，哈勃投資也是天科合達第四大股東，IPO終止前持有4.82%股權(quán)。除此之外，華為還投資了瀚天天成以及東莞天域兩大碳化硅外延龍頭企業(yè)。

　　此外，小米旗下湖北小米長江產(chǎn)業(yè)基金也在今年10月底投資SiC器件企業(yè)上海瞻芯，持股6.80%;TCL資本參與了SiC器件企業(yè)泰科天潤的D輪融資。

　　可以看到，SiC已經(jīng)成為科技巨頭和資本布局的重點方向。隨著核心技術(shù)路線更為成熟，其降成本路徑已經(jīng)顯現(xiàn)，在新能源大局和國產(chǎn)半導(dǎo)體崛起契機下，SiC有望開啟千億級藍海市場。