傳感新品

　　【Terranet聯(lián)合奔馳推出超快速ADAS傳感器】

　　近日，針對安全問題的駕駛輔助軟件開發(fā)商Terranet AB在STARTUP AUTOBAHN展會上與梅賽德斯-奔馳聯(lián)合展示了其專利的3D VoxelFlow傳感器技術(shù)。

　　VoxelFlow采用高速傳感器技術(shù)，能夠掃描車輛周圍半徑為40米的區(qū)域并在短至3毫秒內(nèi)做出反應。使自動駕駛（AD）和ADAS能夠快速、準確地理解和解讀前方的情況，增強了現(xiàn)有的雷達、激光雷達和攝像頭系統(tǒng)。

　　通過奔馳和Terranet的聯(lián)合項目，VoxelFlow傳感器數(shù)據(jù)被輸入到奔馳導航系統(tǒng)“LiveMap”的安全地圖中，該地圖會實時更新。兩種技術(shù)結(jié)合在一起可以動態(tài)感知移動的物體，并隨后識別事件和危險點。

　　Terranet與戴姆勒（Daimler）之間的合作旨在極大地改善整體導航體驗，并使道路更安全。

　　【三菱電機推出80x60像素熱敏二極管紅外傳感器】

　　近日，三菱電機宣布其紅外（MelDIR）傳感器產(chǎn)品線將于7月1日推出具有寬視場（FoV）和高視野的新型熱傳感器。

　　該新型MelDIR傳感器有著80x60像素分辨率，適用于安全，供暖，通風和空調(diào)（HVAC），人數(shù)統(tǒng)計，智能建筑和熱掃描儀等應用。此外，還可以準確地區(qū)分人類和其他熱源，并能夠識別人類的特定行為，例如步行，跑步或舉手。

　　與傳統(tǒng)的80x32像素MelDIR相比，新型MelDIR傳感器檢測面積大2-4倍，并且100mK或0.1oC的熱分辨率相似。幀速率也提高了一倍，并針對周圍區(qū)域優(yōu)化了靈敏度校正，可提供出色的熱圖像。

　　【研究人員開發(fā)出一體式皮膚貼片傳感器】

　　最近，加利福尼亞大學的工程師宣布開發(fā)出一種傳感器皮膚貼片，該貼片具有靈活性并能夠讀取多種刺激行為的數(shù)據(jù)。比如，戴在脖子上的新傳感器可以同時監(jiān)測血壓和心率，同時還可以記錄皮膚汗液中的乳酸，酒精和咖啡因。

　　新型傳感器的拉伸能力使其可以隨皮膚移動和變形，這對于其可靠性至關(guān)重要。此外，與皮膚一起移動的彈性傳感器比傳統(tǒng)傳感器舒適得多。因此，它的應用范圍擴展到了外部醫(yī)院，以及慢性病患者的家中。

　　該傳感器使用簡單的絲網(wǎng)印刷方法在彈性聚合物上創(chuàng)建電極。葡萄糖傳感器通過在兩個電極之間施加電流來工作，并且該電流使人體釋放組織液（即細胞之間的液）。生成的液體包含與血液中的含量成比例的葡萄糖，因此傳感器可以確定人體中的葡萄糖量。

傳感動態(tài)

　　【索尼收購英特爾專利，以用于圖像傳感器的設計中】

　　2020年底，有報道稱索尼獲得了多項英特爾專利。一家知識產(chǎn)權(quán)分析博客LexisNexis公布了其對這些專利的分析。

　　"相應的重新分配文件列出了35個擁有活躍的美國專利的簡單專利族。從附圖中可以看到，該產(chǎn)品組合包含各種技術(shù)，例如封裝，半導體工藝，系統(tǒng)，計算機內(nèi)存和圖像投影。令人驚訝的是，有幾張首頁圖紙指向了全能柵極晶體管（GAA）技術(shù)，這是預期的下一個晶體管技術(shù)。

　　這一發(fā)現(xiàn)是始料未及的。索尼在先進的CMOS晶體管技術(shù)方面并不活躍，比如GAA，或者說至少鮮為人知。

　　有10個專利系列即將用于全能晶體管，而3個專利系列則涉及finFET晶體管。從表面上看，所描述的結(jié)構(gòu)和方法甚至與文獻中公布的柵極全繞結(jié)構(gòu)相似。

　　索尼憑借少量但強大的GAA產(chǎn)品組合排名第六。投資組合規(guī)模（簡單專利家族的數(shù)量）和投資組合強度（專利資產(chǎn)指數(shù)）之間的差異非常明顯：投資組合強度是投資組合規(guī)模的10倍以上。由于專利資產(chǎn)指數(shù)是競爭影響力與投資組合規(guī)模的乘積，因此該比率表明了通過PatentSight競爭影響力衡量的索尼全能專利的高平均質(zhì)量?！?/p>

　　BusinessKorea認為，英特爾GAA專利將用于未來索尼圖像傳感器的設計中。

　　【華為公開“屏下指紋”相關(guān)專利，可延長指紋提示區(qū)域顯示器件使用壽命】

　　3月13日，華為技術(shù)有限公司公開了“屏下指紋”技術(shù)的相關(guān)專利。

　　在專利簡要中，華為介紹新專利為“一種指紋提示圖案的顯示方法、屏下指紋的解鎖方法和裝置”。專利申請日為2019年9月11日，公開號為CN112487845A。專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┑闹讣y提示圖案的顯示方法有利于提高指紋提示區(qū)域顯示器件的使用壽命。

　　【三星演示3nm MBCFET芯片：采用納米片結(jié)構(gòu)制造晶體管】

　　3月13日，三星電子和臺積電目前都計劃開展3nm制程工藝研發(fā)。據(jù)外媒TomsHardware消息，三星在IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造細節(jié)。

　　GAAFET晶體管（閘極全環(huán)場效晶體管）從構(gòu)造上有兩種形態(tài)，是目前FinFET的升級版。三星表示傳統(tǒng)的GAAFET工藝采用三層納米線來構(gòu)造晶體管，柵極比較薄；而三星MBCFET工藝使用納米片構(gòu)造晶體管，三星已經(jīng)為MBCFET注冊了商標。三星表示，這兩種方式都可以實現(xiàn)3nm，但取決于具體設計。