驪微科技推出高集成pd 20w快充方案

時間:2020-10-24

來源:杜s

導語:驪微電子順勢推出基于PN8162+PN8307H超精簡小體積PD 20W快充方案!

隨著iPhone12的正式開售,不再標配耳機和充電器,沒有標配的充電器,對于充電器廠商來說,這也是一個商機,iPhone 12發(fā)布之后,各大平臺充電器的需求暴漲,國內的充電器廠商出現(xiàn)供不應求,驪微電子順勢推出基于PN8162+PN8307H超精簡小體積PD 20W快充方案!

PN8162封裝訂購信息.jpg

PN8162內部集成了準諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源,該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的保護功能,包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證良好的EMI表現(xiàn)。

PN8307H-1.png

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。PN8307H內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能,提升轉換效率,使得系統(tǒng)效率可以滿足6級能效的標準,并留有足夠的裕量。PN8307H集成了極為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護、防誤開啟、最小導通時間等功能。

PN8162 PD快充芯片典型應用電路.jpg

PD 20W快充方案亮點

★ 原邊主控 PN8162 和次邊同步 PN8307H均實現(xiàn)功率集成,得益于專利智能 MOS 技術,節(jié)省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍,PCBA 尺寸:28mm*28mm*24mm;

★ PN8162 采用 PDFN 專用功率封裝,相比傳統(tǒng) SOP8,封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W,顯著提高充電器功率密度;單邊 drain 腳位,高低壓引腳爬電距離大于 1.2mm,安全可靠;

★ PN8162 采用負載自適應谷底開通技術,徹底解決小體積充電器開關干擾源至 LN 線位移電流帶來的傳導難題,EMC 裕量大于 6dB;

★ PN8162 工作強制 DCM 模式,從而保證最糟工況下 SR 尖峰電壓可控制在 51V 以內,60V 耐壓的 PN8307即可保證電壓 de-rating 裕量充足,進而降低整體方案成本;

★ PN8162 內置輸入欠壓保護,通過 DMG 監(jiān)控市電,防止市低壓工作導致電源異常;

★ PN8162 9-38V VDD 供電、PN8307 3-24V VCC 供電,在 3-12V 輸出電壓范圍內無需外部 LDO;

★ PN8162 內置線電壓補償,根據(jù)市電自動調整內部峰值電流參考,全電壓范圍 OCP 精度在 10%以內;

★ HUSB339B 協(xié)議支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。

PN8162實物圖-1.jpg

20W PD快充方案采用了高集成的芯片PN8162+PN8307H,支持12V1.67A;9V2.22A;5V3A 輸出,內置了mos電源芯片及快充芯片,方案體積十分小巧,最大限度的減少了芯片外圍器件的數(shù)量,降低PCB板的占用面積。


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