羅姆（ROHM）半導體集團是全球最知名的半導體廠商之一。ROHM IGBT產(chǎn)品利用ROHM特有的溝槽柵、薄晶圓技術實現(xiàn)了低VCE(sat）、低開關損耗等特性。目前有第二代和第三代產(chǎn)品，第三代IGBT整體損耗更低，效率更高，元器件溫度更低。涵蓋650V/1200V、4A-50A多個規(guī)格，主流封裝，有車規(guī)級（AEC-Q101）產(chǎn)品。大量應用于車載壓縮機，電機市場，電源市場，空調冰箱等。

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主要產(chǎn)品及應用 

 第三代650V耐壓IGBT：兼?zhèn)涞蛡鲗p耗和高速開關特性。

這些產(chǎn)品非常適用于UPS（不間斷電源）、焊接機及功率控制板工業(yè)設備、空調、IH（感應加熱）等消費電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉換器的功率轉換。

羅姆半導體穿通型IGBT技術演化 

650V IGBT RGTV和RGW產(chǎn)品系列

·    用于快速開關的RGTV系列，其短路耐受時間（SCWT）為2 μs；

·  用于更快速開關的RGW系列，主要針對SCWT不做要求的應用

RGTV和RGW產(chǎn)品系列特點：

1．實現(xiàn)業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關性能

在本新系列產(chǎn)品中，利用薄晶圓技術使晶圓厚度比以往產(chǎn)品再薄15％，另外采用ROHM獨創(chuàng)的單元微細化結構，成功實現(xiàn)業(yè)界頂級的低導通損耗（VCE(sat)＝1.5V）和高速開關特性（tf=30～40ns）。

2．實現(xiàn)軟開關，減輕設備的設計負擔

通過元器件內部優(yōu)化，實現(xiàn)了ON/OFF順暢切換的軟開關。由此，開關時產(chǎn)生的電壓過沖與普通產(chǎn)品相比減少了50％，可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數(shù)量。使用IGBT時，應用端不再需要以往需要的過沖對策，有利于減輕設計負擔。

完整產(chǎn)品系列如下表所示，羅姆IGBT型號的前部分為TC=100 °C時額定電流的兩倍。對于當前所有類別中有兩種芯片配置方式，即IGBT芯片單獨封裝或與快速恢復二極管（FRD）共同封裝。在RGTV系列中，FRD與IGBT具有相同的額定電流。RGW系列中的FRD的額定電流比IGBT的低，其FRD的額定電流如表中的括號內所示。這些器件的額定電流在TC=100 °C的情況下從30 A到80 A，并采用TO-247N（非隔離型）和TO-3PFM（隔離型）等封裝中，具體如下表所示：

1200V耐壓IGBT：汽車級（AEC-Q101）、短路耐受時間為10μsec（Tj=25℃）

“RGS系列”產(chǎn)品

RGS系列產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)界領先的低傳導損耗（Vce(sat.)），達到業(yè)界領先水平，非常適用于電動壓縮機的逆變器電路和PTC加熱器的開關電路，非常有助于應用的小型化與高效化。

此外，1200V耐壓產(chǎn)品的短路耐受時間為10μsec（Tj=25℃），即使在要求高可靠性的車載領域也可放心使用。

RGS系列產(chǎn)品特點：

1.   業(yè)界領先的低傳導損耗

通過優(yōu)化器件結構，在1200V耐壓級別將傳導損耗（VCE(sat.)）降至1.70V（typ Tj=25℃），與其他公司同等產(chǎn)品（1200V、40A產(chǎn)品）相比，傳導損耗改善了約10～15%。

尤其是在電動壓縮機和PTC加熱器中，由于驅動頻率較低，故對傳導損耗的重視程度高于開關特性，RGS系列的出色表現(xiàn)已經(jīng)獲得客戶的高度好評。

2. 產(chǎn)品陣容豐富，滿足客戶多樣化需求

此次推出的四款1200V耐壓產(chǎn)品，加上量產(chǎn)中的650V耐壓產(chǎn)品，共11種機型。產(chǎn)品陣容中包括IGBT單品和續(xù)流二極管）內置型兩種類型的產(chǎn)品，客戶可根據(jù)需求自由選用。