受大環(huán)境影響，手機、PC、服務器等終端市場疲軟，城門失火殃及池魚，受連累的存儲器也逃不過利益縮水的危況，三星、SK海力士、美光等存儲大廠紛紛調(diào)整生產(chǎn)戰(zhàn)略，這對于國內(nèi)存儲企業(yè)是好還是壞呢?

手機需求放緩

對于剛過去的2018年，手機銷量總體平平。據(jù)中國信息通信研究院發(fā)表的數(shù)據(jù)顯示，2018年國內(nèi)手機市場總體出貨量為4.14億部，同比下降15.6%。據(jù)多家調(diào)查機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球智能手機銷量同比下降在1%-3%。

全球手機需求疲軟，預計2019年手機產(chǎn)量為14.1億臺，比2018年同比下降3.3%。加上中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，下降幅度有可能會擴大到5%由于市場疲軟，蘋果最新款的銷售情況沒有達到預期，甚至iPhoneXR的庫存已經(jīng)膨脹，網(wǎng)友更是放出“蘋果滯銷，救救果農(nóng)”的圖片。近日來，國內(nèi)電商平臺包括京東、蘇寧等已對iPhone8、iPhone8Plus、iPhoneXR三款機型大幅降價。

受多種因素影響，導致手機市場整體低迷，援引某行內(nèi)人士觀點，智能手機行業(yè)終于接近飽和，換機行為持續(xù)拉長，從用戶的角度來看，這主要由三個長期因素所驅(qū)動：升級到最新型號手機的好處不斷減少、新設備的平均價格不斷上漲、越來越多的人不愿將智能手機視為一兩年就要處理掉的東西。

同時，也受整體大環(huán)境的影響。據(jù)韓媒《世界日報》報道，手機銷量下滑的主要原因是因為國際貿(mào)易環(huán)境不確定因素等影響，生產(chǎn)量減少率將達5%。

不僅手機需求疲軟，PC和服務器等銷量也有所下降。

存儲器利益縮水

手機市場的萎縮，導致存儲芯片也受挫。存儲器應用于所有個人消費類或工業(yè)設備，包括手機、筆記本、服務器等，三星、SK海力士和美光作為存儲器的全球性企業(yè)，紛紛受到波及，利潤都有所下降。

“成也存儲，敗也存儲”是對存儲大廠三星的論調(diào)，三星半導體的營收貢獻了78%的利潤，其中存儲和面板占據(jù)了大部分，有關(guān)人士戲稱，賣手機也可能是賣芯片的工具。從2018年第四季度三星負責芯片制造的營業(yè)利潤來看，首度低于10萬億韓元，三星電子表示，盈利下降部分原因是存儲器需求疲軟，芯片需求疲軟是導致三星業(yè)績不盡人意的主要原因。

海力士也表示2018年第四季度DRAM芯片的出貨量下跌2%，其銷售價格環(huán)比降低11%。在NAND閃存芯片領(lǐng)域，海力士當季的出貨量上漲一成，但平均售價則縮水21%。

同樣，美光也深受其害，美觀發(fā)布的2019年Q1財報業(yè)績顯示，已經(jīng)呈走跌趨勢，營收環(huán)比衰退6%。

另外，存儲市場產(chǎn)能過剩導致價格下跌。DRAM內(nèi)存價格的下降對三星、SK海力士和美光三大存儲公司整體不利。據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從2018年下半年開始，NAND閃存價格下滑了15%，預計2019年第一季度價格下滑幅度約為15%。另一方面，更有觀點認為NAND閃存將出現(xiàn)價格腰斬的局面，如果2019年沒有強勁的需求支撐，價格將下跌50%。

三星、SK海力士、美光減產(chǎn)

據(jù)DRAMeXchange最新調(diào)查指出，PC、智能手機和伺服器等終端產(chǎn)品需求疲軟，為了改善存儲器供應過剩的局面，適應經(jīng)濟放緩的趨勢，三星、美光、SK海力士等紛紛調(diào)整產(chǎn)出量、減緩投資計劃，下調(diào)資本支出等戰(zhàn)略，以緩價格跌勢。

三星則采用“非常經(jīng)營模式”來挽救存儲價格，將減少DRAM內(nèi)存設備的采購，適應DRAM內(nèi)存的供需情況，等待下一輪高增長需求出現(xiàn)，并且，三星在2019年轉(zhuǎn)投更有信心的5G、人工智能領(lǐng)域。

SK海力士今年投資DRAM的金額降至55億美元，主要用于新制程轉(zhuǎn)進及良率提升。美光則下調(diào)今年投資DRAM至30億美元左右，并且為了應對產(chǎn)業(yè)低迷的狀況，用15億美元收購全資控股英特爾的IFFlash，研發(fā)3-DXPoint技術(shù)。

存儲企業(yè)陸續(xù)放出減產(chǎn)投資計劃，臺灣DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示：“DRAM廠同步降低今年資本支出，主要是要減緩產(chǎn)能過剩壓力，并減緩價格下跌速度。但他也表示，在消費電子領(lǐng)域，短期內(nèi)受中美貿(mào)易的不穩(wěn)定因素干擾，DRAM搭載容量仍維持成長，2019年DRAM市場總體需求仍會穩(wěn)定增加?！?/p>

國產(chǎn)存儲加大自主研發(fā)進程

在全球經(jīng)濟放緩的背景下，中國迎來絕佳的“逆戰(zhàn)期”，韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會常務董事安基賢認為：“在經(jīng)濟衰退時期能夠清楚一家企業(yè)真正的實力，由于美國的阻攔，中國芯片制造商不得不加大自主研發(fā)力度?！?/p>

存儲事業(yè)一直都是本土產(chǎn)業(yè)的“芯病”，一直被美日韓大廠所控制，為了實現(xiàn)自主可控的目的，紫光集團在國產(chǎn)存儲更進一步。紫光集團旗今年1月8日宣布成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3DNAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。紫光表示，這標志著內(nèi)資封測產(chǎn)業(yè)在3DNAND先進封裝測試技術(shù)實現(xiàn)從無到有的重大突破。

據(jù)媒體報道，長江存儲在八月的FlashMemorySummit上宣布64層的3DNAND將會在今年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。時任長江存儲執(zhí)行董事、代行董事長高啟全強調(diào)，長江存儲將與三星、SK海力士、東芝等國際大廠的技術(shù)差距縮短至一代左右，并考慮要自主開發(fā)DRAM技術(shù)，切入點可能是18/20納米制程。

在技術(shù)方面，國內(nèi)存儲正在扮演一個追趕者的角色。西部數(shù)據(jù)在2017年時就已經(jīng)成功研發(fā)出96層芯片和QLC技術(shù)，2018年五月，三星宣布已經(jīng)批量生產(chǎn)第五代V-NAND3D堆疊閃存。當下國內(nèi)存儲事業(yè)努力縮小與國際大廠的差距，盡管中國半導體產(chǎn)業(yè)在NAND、DRAM等領(lǐng)域取得不錯的進步，但是依然存在著很大的不足，相信國產(chǎn)存儲會走出一條康莊大道。

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