2018年，對中國的集成電路而言，是不平靜、也是不平凡的一年。有中美貿(mào)易戰(zhàn)爆發(fā)的震驚和思考，也有AI和5G等推進的振奮和憧憬；有芯片業(yè)的緊迫和焦灼，也有社會力量和資本的關注和熱捧！

摩爾定律正在逐漸放緩，想要遵循摩爾定律就需要投入越來越高的成本，這也使得愿意向12nm以下前進的客戶越來越少。

從目前來看，采用12nm節(jié)點以下技術的主要客戶還集中在智能手機等少數(shù)領域，各大晶圓廠在先進制程上的布局都有所變化。集微網(wǎng)將介紹2018年以來各大晶圓廠先進制程的進展，以及對于未來的展望。

臺積電：7nm占比穩(wěn)步提升，5nm將試產(chǎn)

在7nm技術路線的選擇上，全球最大芯片代工企業(yè)臺積電務實地在第一代放棄EUV（極紫外光刻），同時上馬整合扇出封裝技術提升可靠度，最終使得自己的進度超越三星，從而贏下包括華為、AMD、蘋果等一眾關鍵客戶。

2018年4月，臺積電表示，該公司將開始生產(chǎn)7nm處理器。6月，根據(jù)供應鏈消息，臺積電著手將其7nm制程工藝擴大到大規(guī)模生產(chǎn)，從而能夠滿足客戶對其需求。

臺積電第三季度財報顯示，7nm制程營收已占晶圓銷售金額的11%。在7nm制程營收上揚的同時，臺積電的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)也在下半年成功流片，相較于第一代7nmDUV，第二代7nmEUV能將晶體管密度提升20％，同等頻率下功耗可降低6-12％。

臺積電總裁魏哲家表示，采用EUV設備的第二代7nm產(chǎn)品進度依預期會在2019年量產(chǎn)，客戶大量采用預估則落在2020年。

另外，在臺積電積極發(fā)展的第2代采用EUV技術的7nm制程開始進行投片同時，最新一代全程采用EUV技術的5nm制程將于2019年的四月進行風險試產(chǎn)。

三星：7nm姍姍來遲，5nm提上日程

2018年10月，三星宣布7nmLPP（LowPowerPlus）制程已進入量產(chǎn)階段，并在工藝中成功應用極紫外光（EUV）微影技術。

三星電子的7nmLPP工藝相比上一代10nmFinFET的面積減少了40%，性能提升20%，耗電減少50%，消耗的掩膜也減少了20%。

目前，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nmLPP工藝。12月，IBM也宣布POWER處理器和LinuxONE系統(tǒng)的處理器等，未來都將采用三星的7nmLPP工藝。

另一方面，2019年，三星計劃將風險性試產(chǎn)的5nm和4nm，同樣也會采用EUV技術。而首度導入閘極全環(huán)(GAA)晶體管的3nm工藝預計將在2020年風險試產(chǎn)。

英特爾：14nm產(chǎn)能不夠，10nm繼續(xù)推遲

英特爾自2014年進入14nm制程時代，先進制程推進便原地踏步，原預定2016年中登場的10nm放量時程一再延遲。

一方面，進入2018年，英特爾在處理器路線圖上遭遇了難題，核心問題在于10nm工藝難產(chǎn)，10nmCannonLake處理器預計于2019年第4季才會上市，英特爾不得不繼續(xù)使用14nm工藝再撐一年。

盡管英特爾曾表示自己的10nm在工藝上遠超友商臺積電和三星的7nm，但實際拿出的基于CannonLake的Corei3-8121U連核顯都沒有，同頻性能和能耗比甚至不如目前的14nm。

另一方面，2018年9月，宏碁在內(nèi)的多家客戶共同表示，英特爾14nm的產(chǎn)品供貨不足，據(jù)報道，其產(chǎn)能缺口一度接近50%。英特爾甚至還將一部分基礎芯片交由臺積電代工，同時產(chǎn)能擴增也在匆忙進行。

除了2019年將面世的10nm，英特爾還暗示7nm產(chǎn)品可能比預期的更早，即在10nm制程的4年后上市。

英特爾指出，7nm開發(fā)是由一個獨立的團隊的獨立作業(yè)，更表示該團隊已經(jīng)從10nm經(jīng)驗中汲取了大量經(jīng)驗，并制造出更高的晶體管密度，功率和性能以及進度可預測性，10nm處理器的遞延并沒有阻礙其7nm處理器的發(fā)展。

聯(lián)電：賺錢第一！停止12nm以下先進制程研發(fā)

2018年8月，臺積電正在琢磨第二代7nm工藝，而同為臺灣晶圓代工廠的聯(lián)電在這時卻宣布將停止12nm以下先進工藝的研發(fā)，在晶圓代工市場上不再拼技術，更看重投資回報率，賺錢第一。

2017年聯(lián)電的14nm成功量產(chǎn)，短短一年后就決定不再投資12nm以下的先進制程，究竟是為什么呢？

據(jù)分析，過去的聯(lián)電由于過度的投資先進制程，導致每次生產(chǎn)時產(chǎn)能利用率必須達到9成以上，才能盈利，而這樣的營收方式顯然不能長久，于是聯(lián)電轉變布局，選擇把“錢用在正確的地方”。

不過，根據(jù)聯(lián)電所述，他們未來還會投資研發(fā)14nm及改良版的12nm工藝，不過更先進的7nm及未來的5nm等工藝不會再大規(guī)模投資了。

格芯：差異化才是出路，7nm不搞了

2018年年初，格芯放話將于年底開始量產(chǎn)7納米芯片，首位客戶為AMD。同時還表示準備在生產(chǎn)線內(nèi)引進用于先進制程的EUV設備。

然而8月29日，格芯突然宣布將擱置7nmFinFET項目，并調(diào)整相應研發(fā)團隊來支持強化的產(chǎn)品組合方案，轉攻ASIC市場，建立了獨立于晶圓代工業(yè)務外的ASIC業(yè)務全資子公司。

格芯表示，微縮的速度正在逐漸放緩，先進節(jié)點的吸引力正在減小，格芯將會相應地優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12nmFinFET制程能夠被更多的客戶所使用，同時還提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能，更好的實現(xiàn)差異化。

中芯國際：28nmHKC持續(xù)上量，14nm呼之欲出

中芯國際的28nm在2017年的收入占比中超預期達標，梁夢松博士出任聯(lián)合CEO后，帶來了雄厚的技術水平和先進的管理模式，加強了研發(fā)隊伍的建設，調(diào)整更新了14nmFinFET規(guī)劃，將3DFinFET工藝鎖定在高性能運算、低功耗芯片應用上。

2018年3月，中芯國際預計，14nm將比原計劃提前半年投產(chǎn)。5月份，中芯國際向ASML訂購新型EUV光刻機，這臺機器價值1.2億美元，預期將于2019年年初交付。另外，中芯國際預計其14nm工藝也將在2019年上半年量產(chǎn)，不知這臺EUV屆時是否會投入14nm的生產(chǎn)當中。

8月9日，中芯國際在第二季的財報會議上表示，14nmFinFET技術開發(fā)上獲得重大進展，第一代FinFET技術研發(fā)已進入客戶導入階段。28nmHKC持續(xù)上量，同時28nmHKC+技術的開發(fā)工作也已完成。

華力微電子：28nm進入量產(chǎn)，14nm只是時間問題

中芯國際之外，華虹集團旗下的上海華力半導體也是國內(nèi)重要的晶圓代工廠。2018年10月18日，華力二期工程正式投產(chǎn)，該項目總投資387億元，12英寸月產(chǎn)能可達4萬片晶圓，工藝等級涵蓋28到14nm。

根據(jù)《解放日報》的消息，該項目建成后，華虹集團的集成電路制造能力將覆蓋0.5微米到14納米各工藝技術平臺，制造規(guī)模進入全球前五位，工藝技術進入全球第一梯隊。

12月11日，上海華力與聯(lián)發(fā)科技共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，基于上海華力28nm低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。

華虹集團董事長張素心表示，公司目前28nm工藝產(chǎn)品良率達到93-98%，2020年將具備14nmFinFET產(chǎn)品生產(chǎn)能力。

隨著摩爾定律的放緩，制程的縮小越來越困難，只有像臺積電和三星這樣的老牌勁旅才有實力跟精力去繼續(xù)拓展。雖然市面上目前最新的只有7nm的制程，但是5nm、3nm量產(chǎn)已經(jīng)被提上了日程，更有科學家已經(jīng)實現(xiàn)了1nm級別的工藝，究竟半導體工藝的極限在哪里，而摩爾定律是否會被終結，這些只有留給時間去證明了！

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