【中國傳動網(wǎng) 市場分析】 “NANDFlash存儲器的價格剛剛跌破了兩年前（2016年）的價格，現(xiàn)在NANDFlash價格下跌的還不是很離譜，僅僅跌破兩年前的價格而已。”資深存儲行業(yè)人士日前向集微網(wǎng)記者表示，NANDFlash價格未來還有進一步下探的空間，即使其價格再跌20%，也不足為奇。

今年以來，NANDFlash價格持續(xù)下滑的趨勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)顯示，截止至2018年8月27日，NANDFlash價格指數(shù)已累計下滑超過40%，NANDFlash每GB價格下探至0.13美金，基本已回到了2016年漲價時期的價格水平。

為什么會跌破兩年前價格？

自2016年開始，全球各大閃存芯片廠商紛紛開始技術升級，由2DNAND轉(zhuǎn)向3DNAND技術工藝；但3DNAND因為是新技術，再加之生產(chǎn)設備緊缺，3DNAND實際量產(chǎn)的時間遲于預期時間。而在NAND技術轉(zhuǎn)換期，NANDFlash市場產(chǎn)能供不應求，NANDFlash價格出現(xiàn)了有史以來最大且持續(xù)最長的上漲周期。

據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)顯示，2017年上半年，受NANDFlash缺貨影響，SSD價格自2016年Q2開始漲價，主流120GB、240GBTLCSSD價格均累積年漲幅達46%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金；2017下半年eMMCTLC32GB價格由8.9美金上漲至11美金，累計上漲23.6%；64GB價格則從16.8美金上漲至19.4美金，累計上漲15.5%。eMCP8+8價格則從8.8美金上漲至10美金，上漲13.6%。

在NANDFlash市場，2017年由于市場供貨緊缺的狀況未完全緩解，閃存價格一直上漲。但到2018年，隨著3DNAND技術發(fā)展，三星已開始量產(chǎn)96層3DNAND，今年下半年東芝/西部數(shù)據(jù)將量產(chǎn)96層QLC，美光和英特爾也開始量產(chǎn)64層3DQLC以及96層3DNAND，NANDFlash價格大幅回落。

“NANDFlash的市場需求是不斷在增長，當供給超過需求的時候，價格肯定就不一樣?！鄙钲谑械靡晃㈦娮佑邢挢熑喂臼袌隹偙O(jiān)羅挺向集微網(wǎng)表示，剛開始3DNAND良率只有20-30%，當良率到80-90%時，供給不足的問題就可以解決，當然這還不包括大廠都在不斷的投建新產(chǎn)能。

再加之，3DNAND容量不斷的翻倍，原來是從24層到36層，現(xiàn)在是96層3DNAND都已經(jīng)量產(chǎn)了，每次技術升級層數(shù)增加后，容量也在擴大，這幾方面因素結合起來的話，NANDFlash市場的供貨就很充足，甚至是超份額供給。

當然，需要指出的是，在2020年之前，國產(chǎn)的3DNAND不會對市場價格產(chǎn)生影響。現(xiàn)在NANDFlash降價是因為主流的存儲廠商充分供給，引發(fā)的主動降價，這跟國內(nèi)廠商的3DNAND將要量產(chǎn)并無關聯(lián)，現(xiàn)在FLASH供給量正處于歷史高峰期。

羅挺表示，當FLASH供給充足的時候，整個市場就想做不一樣的產(chǎn)品，現(xiàn)在FLASH降價，誰也不敢把貨囤在手上，什么產(chǎn)品好賣就去做什么，如果只做一款產(chǎn)品，出貨量不大，風險就很大。

而為了降低風險，eMMC好賣存儲芯片設計廠商就做eMMC，UFS在移動終端市場發(fā)展快就去做UFS。所以在FLASH價格下滑的趨勢下，包括得一微電子在內(nèi)的存儲芯片設計廠商都需要有差異化的商業(yè)模式。畢竟，光賣情懷是沒有用的，一定是要給客戶帶來實際的價值，才能長久地活下去。

目前，NANDFlash的價格剛跌破兩年前的價格，如果把時間拉長來看，未來閃存產(chǎn)品價格將會進一步下跌，但全球整個閃存市場營業(yè)額還會不斷上漲，只是產(chǎn)品單價會持續(xù)往下降。

資深存儲行業(yè)人士表示，1GB內(nèi)存跌破1元人民幣是一個供給關鍵價位點。兩年前，1GB內(nèi)存售價預計在6毛錢左右，現(xiàn)在已經(jīng)跌破兩年前的價格，當然這個價格只是一個參考價，不同型號、不同廠家的產(chǎn)品都是有差異。

羅挺表示，從宏觀來看，現(xiàn)在NANDFlash的價格已經(jīng)是歷史最低點，當然后面更低。受閃存芯片降價影響，SSD也呈現(xiàn)出大幅下降，其中消費類SATASSD也跌回2年前價位，且創(chuàng)歷史新低。

決勝于新一輪周期回轉(zhuǎn)

NANDFlash的價格其實是像期貨一樣具有市場波動性，這是一個周期性的行業(yè)，像DRAM過去十年的發(fā)展都是這樣，現(xiàn)在三星在存儲市場能有這么大的產(chǎn)能，最重要的原因就是當存儲市場下跌非常大的時候，廠商一般會砍掉部分產(chǎn)線，三星正好恰恰相反，進行投資擴產(chǎn)，業(yè)界稱之為逆周期投資。

三星投資DRAM內(nèi)存時，DRAM價格從1984年初的4美元/片一路下滑到1985年的30美分/片。此時，三星的生產(chǎn)成本是1.3美元/片。到1986年年底，三星半導體累計虧損達3億美元，股權資本完全虧空。DRAM市場不景氣，Intel等美國公司退出該市場，日本公司縮減投資規(guī)模和生產(chǎn)能力。但三星逆周期投資，繼續(xù)擴大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的DRAM，數(shù)年后，行業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折，DRAM價格開始回升。

2017年，在存儲芯片市場缺貨漲價的行情中，三星一年就賺回了過去十年的投資；三星也在2017年首次從英特爾手中奪走行業(yè)第一寶座，成為全球最大芯片制造商。

如今，正逢存儲芯片市場開始大跌，DRAM價格已經(jīng)下跌20-30%，NANDFlash已經(jīng)下跌到一個新的價位，這對于國內(nèi)正加大投資以及即將迎來量產(chǎn)的存儲廠商來說是不是一個不太好的信號？

羅挺表示，現(xiàn)在整個存儲芯片市場開始下跌，國內(nèi)廠商加大投資，未必是一件壞事。假如，海外廠商在存儲市場下跌時不愿去投資，國內(nèi)廠商加大投資，那么未來中國將有更多存儲芯片產(chǎn)能，真正存儲芯片市場決勝的時間也將在下一個周期。

事實上，內(nèi)存市場和閃存市場有一定的關聯(lián)性，不管是存儲介質(zhì)或是存儲主控芯片也好，它的成敗不在一年兩年，而是一個長期的過程，一個企業(yè)要好這個事情，不可能是做好一款爆品之后，就沒有后顧之憂。

這從行業(yè)轉(zhuǎn)移的過程中就能看出一些端倪。原本DRAM就不是三星發(fā)明的，最早是由英特爾發(fā)明的，英特爾做的也最早，但現(xiàn)在三星做的最大，三星之所以能做大，恰恰是因為三星在行業(yè)下跌是最敢去投資。

在行業(yè)逆周期時敢于投資，未來國內(nèi)存儲廠商就有可能會像三星一樣，一年就賺回了過去十年的投資；如果在行情下跌的時候不愿投資，那么在存儲周期回轉(zhuǎn)的時候，又怎么能獲得產(chǎn)能，怎么有機會實現(xiàn)超越領跑。所以，在這一輪存儲芯片市場周期調(diào)整時，正是國內(nèi)廠商投資布局的機會，下一個周期回轉(zhuǎn)，將是國內(nèi)存儲芯片廠商決勝的機會。