【解決IC制造瓶頸難題需解決“缺人缺錢缺積累”的困境】作為信息化時代的核心基石，集成電路的重要性逐漸為人們所認知。但是發(fā)展集成電路是一項系統(tǒng)性工程，它涉及設計、制造、封測、材料、設備等全產(chǎn)業(yè)鏈的整體提升。而光刻機就是集成電路這個基礎性產(chǎn)業(yè)中最具關鍵性的基礎裝備之一。要想解決我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的“掐脖子”問題，推動光刻機的國產(chǎn)化勢在必行。

先進集成電路制造均圍繞光刻工藝展開

集成電路行業(yè)中有“一代器件、一代工藝、一代設備與材料”之說，其意指在整個行業(yè)進入納米時代以后，微納制造技術(shù)更多地依靠引入新材料和提升微觀加工設備的加工能力來實現(xiàn)技術(shù)突破，制造工藝與設備材料更加深度地契合在一起，許多制造工藝往往需要圍繞關鍵設備材料展開。光刻機就是集成電路制造中精密程度最復雜、難度最高、價格最昂貴的設備。

有光刻機專家告訴記者：“在先進的集成電路制造工藝流程當中，一款芯片往往需要經(jīng)過幾十道光刻工藝，每次都需要使用光刻機把電路的設計圖形做到硅片上去。所以，人們經(jīng)常說的某某納米的工藝節(jié)點，往往就是由光刻機及其相關工藝所決定的，或者說它是最核心的一個因素。光刻機的分辨率可以做到多少，集成電路的工藝節(jié)點就做到多少?！?/p>

正因為光刻機如此重要，制造企業(yè)每年在進行資本投入時，大約會有30%—40%投入到光刻機之上。光刻機也經(jīng)歷了一個漫長的演進過程：1960年代的接觸式光刻機、接近式光刻機，1970年代的投影式光刻機，1980年代的步進式光刻機、步進式掃描光刻機，再到浸沒式光刻機，以及當前剛剛出現(xiàn)在市場上的極紫外(EUV)光刻機，設備性能不斷提高。

目前集成電路生產(chǎn)線上主流光刻機產(chǎn)品：用于集成電路關鍵層光刻工藝，28nm以上節(jié)點采用的是193nm波長干式光刻機，28nm—10nm節(jié)點采用193nm波長浸沒式光刻機，至于支撐10nm集成電路制造，業(yè)界已經(jīng)開始嘗試采用極紫外光刻機，下一代產(chǎn)品高數(shù)值孔徑EUV光刻機目前正在研發(fā)當中，預計未來2—3年有可能被開發(fā)出來，其可以支持5nm、3nm及以下的工藝制造。非關鍵層使用的是248nm波長DUV光刻機和I-Line光刻機(365nm波長)。

半導體專家莫大康告訴記者，10nm節(jié)點及以下工藝制造目前較為普遍地采用“193nm波長浸沒式光刻機+多重曝光(MultiplePatterning，MP)技術(shù)”，能實現(xiàn)10nm和7nm工藝生產(chǎn)。然而采用多重曝光會帶來兩大問題，一是光刻加掩膜的成本上升，而且影響良率，多一次工藝步驟就是多一次降低良率;二是工藝的循環(huán)周期延長，多重曝光不但增加曝光次數(shù)，而且增加刻蝕和CMP工藝次數(shù)。采用EUV光刻機則不需要多重曝光，一次就能曝出想要的精細圖形，在產(chǎn)品生產(chǎn)周期、OPC的復雜程度、工藝控制、良率等方面的優(yōu)勢明顯。目前市場上已有多款EUV機型開始出貨。三星、臺積電均已表示將會在7nm工藝中采用EUV光刻機。

國際光刻機高度壟斷我國布局艱難

雖然光刻機在集成電路生產(chǎn)中如此重要，但是光刻機產(chǎn)業(yè)處于高度壟斷狀態(tài)，全球只有3—4家廠商可以生產(chǎn)制造，它們分別是荷蘭的阿斯麥(ASML)、日本的尼康(Nikon)、佳能(Canon)和中國的上海微電子(SMEE)。其中ASML處于優(yōu)勢地位，一家獨占7成以上市場，比如193nm浸沒式光刻機，ASML占據(jù)90%以上市場份額;248nmDUV光刻機，ASML占比超過50%;EUV光刻機更是只有ASML一家獨占;I-Line光刻機市場則基本是ASML、佳能、尼康三家均分。

資料顯示，中國光刻機的研制起步并不晚。從1970年代開始就先后有清華大學精密儀器系、中科學院光電技術(shù)研究所、中電科45所投入研制。當1978年世界第一臺量產(chǎn)型g線分步投影光刻機在美國問世后，45所就投入了分步投影光刻機的研制工作，1985年研制出我國同類型第一臺g線1.5μm分步投影光刻機，在1994年推出分辨率達0.8μm的分步投影光刻機，2000年推出分辨率達0.5μm實用分步投影光刻機。2002年，國家在上海組建上海微電子裝備有限公司(SMEE)，承擔“十五”光刻機攻關項目，中電科45所將從事分步投影光刻機研發(fā)任務的團隊整體遷至上海，參與其中。目前，上海微電子是國內(nèi)技術(shù)最領先的光刻機研制生產(chǎn)單位。

從研制進展來看，目前我國“90nm光刻機樣機研制”任務通過了02專項實施管理辦公室組織的專家組現(xiàn)場測試。28nm工藝節(jié)點的193nm波長浸沒式光刻機正在研發(fā)當中。盡管這些年取得了部分成績，然而我國在光刻機技術(shù)上仍然遠遠落后于國際水平。

需解決“缺人缺錢缺積累”的困境

超高精密度的要求，是造成光刻機技術(shù)難以在短時間內(nèi)取得突破的主要原因之一。在行業(yè)內(nèi)有這樣一個形象的比喻：用光刻機在硅片上刻電路，猶如兩架波音747客機在以每小時1000公里的速度飛行的同時，在一顆小米粒上刻字!這正是高端光刻機工作臺、掩模臺高速同步運動時所達到的納米級同步精度。要制造出如此高精度的芯片，對光刻機本身的各項精度要求就更高了。

除了技術(shù)上的挑戰(zhàn)，專家告訴記者，研制光刻機的難點還有很多?？偨Y(jié)起來可以用“缺人缺錢缺積累”來形容。首先，光刻機研制的投資強度很高。當初英特爾、臺積電、三星為了推進ASML加快研制EUV光刻機，以38億歐元的代價取得其23%的股權(quán)，并另外出資13.8億歐元支持ASML未來五年的EUV技術(shù)研發(fā)。歷年來，我國雖然重視光刻機的研制，可02專項對光刻機的投入力度，與國際廠商相比，就少得太多了。其次，國內(nèi)支撐光刻機開發(fā)的配套基礎工業(yè)體系存在大量空白，這也限制了光刻機的開發(fā)。最后，投身光刻機研制的人才基數(shù)很小，培養(yǎng)難度大，培養(yǎng)周期長，同時光刻機出成果的周期長，人員待遇差，也造成了高水平人才流失嚴重，進一步加劇了國產(chǎn)光刻機的落后狀態(tài)。

此外，莫大康表示，光刻機的開發(fā)還只是成功的一小部分，要想形成相應的光刻工藝，還要掩模廠開發(fā)出與之相配套的掩模、材料廠的光刻膠材料、制造廠結(jié)合設備材料進行工藝的開發(fā)等。這充分顯示了光刻機及相關工藝的精密性與系統(tǒng)性，也進一步加大了工作的挑戰(zhàn)性。

雖然我國的光刻機發(fā)展面臨問題很多，但是隨著國內(nèi)移動電子、通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等終端應用市場的高速發(fā)展，也為國產(chǎn)設備業(yè)提供了難得的發(fā)展機遇。在談到如何突破產(chǎn)業(yè)鏈短板的時候，專家指出：“我國在推進光刻機研制過程中，應當堅持高端積極研發(fā)，中低端盡快實現(xiàn)產(chǎn)品化的路徑。只有這樣才能支撐起整個研發(fā)團隊、人才積累、工程經(jīng)驗積累，形成良性循環(huán)。此外，還應當引起國家對光刻機的重視，繼續(xù)加大對光刻機的投入，改善研發(fā)條件，吸引人才，在投入的同時應當注意投入的持續(xù)性，避免出現(xiàn)脈沖式投入的弊端。

中國電科首席專家柳濱也指出：“與下游芯片制造商建立長期合作關系十分重要，這已經(jīng)成為我國半導體設備產(chǎn)業(yè)發(fā)展長期存在且還未最終解決的關鍵環(huán)節(jié)?！弊鳛榘雽w產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，半導體設備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，離不開國家的支持。由于設備業(yè)自身的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，設備制造單位不可能與世界上已經(jīng)成熟的設備供應商具備相同的實力。所以設備業(yè)的發(fā)展需要巨大研發(fā)經(jīng)費投入、專業(yè)技術(shù)隊伍建設以及與下游芯片制造商建立起長期的合作關系。