【三星電子公布其在未來芯片領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新——縮小晶體管，3nmGAA是最終目標(biāo)】在日前于美國舉辦的第三屆三星Foundry論壇上，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理ESJung介紹了公司未來在芯片技術(shù)方面將會(huì)展開的技術(shù)創(chuàng)新。
縮小晶體管是芯片技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，但由于芯片組件的大小越來越接近原子，跟隨摩爾定律已經(jīng)變得非常困難。摩爾定律的內(nèi)容是，芯片上可容納的晶體管數(shù)量每隔兩年就會(huì)增加一倍?？蓪?shí)際上，這個(gè)增長速度已經(jīng)開始放緩了。
為了解決這個(gè)問題，三星本次分享了他們未來在芯片生產(chǎn)計(jì)劃方面的一些細(xì)節(jié)。具體來講，三星今年推出的芯片將會(huì)使用一種名為“極紫外光刻”的技術(shù)——這項(xiàng)晚來10年的芯片生產(chǎn)技術(shù)預(yù)計(jì)可將芯片上的電子電路數(shù)量提高4倍。
與此同時(shí)，三星還公布了使用3nm工藝進(jìn)行芯片生產(chǎn)的計(jì)劃。如果你對(duì)3nm這個(gè)量度沒有概念，那我們不妨進(jìn)行一下對(duì)比：一根DNA鏈的寬度大約是2nm。
想要跟上摩爾定律，使用更精細(xì)的芯片生產(chǎn)工藝是非常關(guān)鍵的部分。對(duì)于電子設(shè)備而言，芯片體積的縮小好處多多，不僅可以增強(qiáng)性能、降低功耗和發(fā)熱，還能提高AI應(yīng)用和計(jì)算機(jī)視覺（自動(dòng)駕駛汽車）的運(yùn)行效果。
三星本次公布了自家芯片生產(chǎn)路線圖的4個(gè)目標(biāo)，但實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的具體時(shí)間還尚不明確：
·在今年，三星將會(huì)使用7nm工藝和極紫外光刻（EUV）技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。
·接下來，他們會(huì)使用5nm工藝縮小芯片體積，并降低其功耗。對(duì)于依賴于電池運(yùn)行的移動(dòng)設(shè)備而言，它的重要意義不言自明。
·4nm工藝將會(huì)進(jìn)一步縮小芯片體積并提升其性能，這也將是三星使用FinFET工藝生產(chǎn)的最后一代芯片。
·最后，名為全包圍柵極(GAA)的3nm工藝將會(huì)取代FinFET。
上面每一個(gè)發(fā)展步驟都會(huì)增加晶體管的復(fù)雜程度，從而增加生產(chǎn)成本。至于每晶體管的生產(chǎn)成本未來會(huì)增加多少，三星并未給出具體數(shù)據(jù)。
網(wǎng)站客服
粵公網(wǎng)安備 44030402000946號(hào)