【MRAM新技術(shù)：以同步提高數(shù)據(jù)保持與降低電流的方式增強(qiáng)任何MRAM陣列性能】MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲(chǔ)器專有技術(shù)，據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色？它能成為加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎？

磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MagneticRAM；MRAM)新創(chuàng)公司SpinTransferTechnologies(STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù)，據(jù)稱能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流的方式，增強(qiáng)任何MRAM陣列的性能。

STT技術(shù)長(zhǎng)MustafaPinarbasi在IEEE國(guó)際磁學(xué)大會(huì)(InternationalMagneticsConference；INTERMAG)上介紹，該公司開發(fā)出所謂的“歲差自旋電流”(PrecessionalSpinCurrent；PSC)結(jié)構(gòu)，可望提高M(jìn)RAM的密度和零漏電流的能力。Pinarbasi在接受《EETimes》記者的電話訪問時(shí)說(shuō)，這種新的結(jié)構(gòu)能應(yīng)用于行動(dòng)、數(shù)據(jù)中心CPU，以及儲(chǔ)存、汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與人工智慧等(AI)領(lǐng)域。

Pinarbasi強(qiáng)調(diào)，這種PSC結(jié)構(gòu)將有助于讓MRAM元件的自旋力矩(spin-torque)效率提高40%至70%。這意味著它的數(shù)據(jù)保持能力不僅更高得多，而且還能消耗更少的電力。Pinarbasi表示，這些好處可轉(zhuǎn)化為延長(zhǎng)超過(guò)10,000倍的保持時(shí)間——因此，1小時(shí)可延長(zhǎng)至1年以上——而寫入電流則減少了。此外，隨著垂直磁穿隧接面(pMTJ)越來(lái)越小，PSC結(jié)構(gòu)的效率將會(huì)更高。Pinarbasi說(shuō)：“我們開發(fā)的是一種模組化的結(jié)構(gòu)，它確實(shí)是PMTJ元件的延伸。”。

MRAM新創(chuàng)公司STT表示，其PSC結(jié)構(gòu)能將MRAM元件的自旋力矩效率提高40%～70%

STT業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁JeffLewis補(bǔ)充道，“我們從一開始就將它打造成模組化的設(shè)計(jì)。這意味著我們能將此PSC結(jié)構(gòu)添加到其他任何的pMTJ中。您可以將它視為現(xiàn)有MRAM設(shè)計(jì)的『渦輪增壓器』?！?/p>

Lewis說(shuō)，PSC結(jié)構(gòu)可以被整合于任何MRAM制造商的現(xiàn)有流程中。除了生產(chǎn)STT-MRAM時(shí)原本使用的材料或工具，不必再另行增添，因此，該結(jié)構(gòu)幾乎不會(huì)對(duì)于代工廠帶來(lái)任何復(fù)雜度或成本。

Pinarbasi說(shuō)，PSC結(jié)構(gòu)在工作中有兩種特殊效應(yīng)。一是靜態(tài)的，另一種則是動(dòng)態(tài)的。他進(jìn)一步解釋，“靜電效應(yīng)能夠大量提高元件的數(shù)據(jù)保持能力?！?/p>

而動(dòng)態(tài)效應(yīng)則能從0切換到1，反之亦然，而且這很重要，因?yàn)殪o態(tài)保持能力和電流之間始終存在相關(guān)性。Pinarbasi說(shuō)：“如今，我們已經(jīng)將這兩種效應(yīng)分開來(lái)了，可以在獨(dú)立提高數(shù)據(jù)保持的同時(shí)也降低電流。”

盡管PSC結(jié)構(gòu)能讓STT-MRAM解決SRAM的尺寸和成本缺點(diǎn)，以及DRAM的揮發(fā)性和功耗復(fù)雜度，但Pinarbasi說(shuō)，STT并不僅僅將基于PSC結(jié)構(gòu)的MRAM視為取代現(xiàn)有存儲(chǔ)器的技術(shù)，還打算將它用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車和人工智慧帶來(lái)的綠地機(jī)會(huì)。

PSC結(jié)構(gòu)為特定電流提供了顯著的速度增益。在125μA時(shí)，PSC的速度低于4ns，而使用4Kbit晶片和40nm元件尺寸時(shí)，pMTJ的速度還不到30ns

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates資深分析師兼創(chuàng)辦人ThomasCoughlin預(yù)計(jì)，未來(lái)將會(huì)出現(xiàn)針對(duì)MRAM發(fā)展的原生市場(chǎng)，特別是嵌入式應(yīng)用，而且還取代了裝置內(nèi)部采用SRAM或不同的存儲(chǔ)器快取的位置。Coughlin說(shuō)，“因?yàn)檫@些元件及其非揮發(fā)性存儲(chǔ)器功能，很快地，市占率將會(huì)出現(xiàn)一些變化，同時(shí)帶來(lái)新的市場(chǎng)發(fā)展?！?/p>

雖然MRAM確定將在存儲(chǔ)器元件的未來(lái)發(fā)揮重要作用，但他說(shuō)目前還處于發(fā)展的早期階段，MRAM主要仍然用于利基型應(yīng)用中。至于STT開發(fā)的PSC結(jié)構(gòu)將在這個(gè)市場(chǎng)上扮演多么重要的角色，還有待時(shí)間的證明。Coughlin說(shuō)：“打造更精巧的結(jié)構(gòu)確實(shí)有其價(jià)值，它比傳統(tǒng)的MRAM產(chǎn)品更有利于進(jìn)一步擴(kuò)展。但你必須重新審視，仔細(xì)看看它實(shí)際上如何運(yùn)作。”

Coughlin預(yù)計(jì)，明年將會(huì)有許多的MRAM產(chǎn)品上市，特別是隨著代工廠和主要半導(dǎo)體公司量產(chǎn)，將更加著重于嵌入式市場(chǎng)?！叭藗儗?huì)尋求差異化，而這將有助于其找到一些方法，以減輕其投入產(chǎn)品差異化的技術(shù)與資源?！?/p>

展望未來(lái)五年，Coughlin表示，MRAM將會(huì)是一個(gè)更大的利基市場(chǎng)。他說(shuō)：“許多商用產(chǎn)品甚至在那之后的一、年內(nèi)都還無(wú)法到位或投入使用?！?/p>