近日消息，研究機(jī)構(gòu)指出，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)目前以投入NANDFlash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于行動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營(yíng)為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來(lái)看，其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018年下半年，隨著三大陣營(yíng)的量產(chǎn)的時(shí)間可能皆落在2019年上半年，揭示著2019年將成為中國(guó)存儲(chǔ)器生產(chǎn)元年。

從三大廠目前布局進(jìn)度來(lái)看，合肥長(zhǎng)鑫的廠房已于去年6月封頂完工，去年第三季開始移入測(cè)試用機(jī)臺(tái)。合肥長(zhǎng)鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致雷同，試產(chǎn)時(shí)程將會(huì)落于今年第三季，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年，時(shí)程較預(yù)期落后。此外，由于合肥長(zhǎng)鑫直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR48Gb，爾后面臨專利爭(zhēng)議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權(quán)外，初期可能將鎖定于中國(guó)銷售。

反觀專注于利基型記憶的晉華集成，在2016年7月宣布于福建省晉江市建12英寸廠，投資金額約53億美元，以目前進(jìn)度來(lái)看，其利基型內(nèi)存的試產(chǎn)延后至今年第三季度，量產(chǎn)時(shí)程也將落在明年上半年。

此外，從中國(guó)廠商N(yùn)ANDFlash的發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，2016年12月底，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式動(dòng)土，官方預(yù)期分三階段，共建立三座3D－NANDFlash廠房。第一階段廠房已于去年9月完成興建，預(yù)定2018年第三季開始移入機(jī)臺(tái)，并于第四季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過(guò)1萬(wàn)片，用于生產(chǎn)32層3D－NANDFlash產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于自家64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第二、三期生產(chǎn)計(jì)劃。

觀察中國(guó)存儲(chǔ)器廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計(jì)劃，2019年將是中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年，但也由于兩家DRAM廠預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大，短期尚不會(huì)撼動(dòng)全球市場(chǎng)現(xiàn)有格局。

長(zhǎng)期來(lái)看，隨著中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計(jì)2020－2021年兩家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預(yù)估下，屆時(shí)兩家合計(jì)約有每月25萬(wàn)片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場(chǎng)的供給。另一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃設(shè)有的三座廠房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30萬(wàn)片，不排除長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成64層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片，進(jìn)而在未來(lái)三到五年對(duì)NANDFlash的供給產(chǎn)生重大影響。