總投資240億美元的國家存儲器基地項目(一期)的一號生產(chǎn)及動力廠房9月28日實現(xiàn)提前封頂，預(yù)計2018年投入使用。全面建成后，該項目年產(chǎn)值將超過100億美元。
國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，一期工程于2016年12月30日正式開工建設(shè)，規(guī)劃3座全球單座潔凈面積最大的廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。
國家存儲器基地項目是新中國成立以來湖北省單體投資最大的高科技產(chǎn)業(yè)項目，項目一期達產(chǎn)后，預(yù)計可實現(xiàn)月產(chǎn)能30萬片12寸晶圓，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年月產(chǎn)能提升至100萬片。
據(jù)介紹，存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝，同時也是中國進口金額最大的集成電路產(chǎn)品。國家存儲器項目落戶武漢，填補了此前國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的一塊空白。
目前，武漢東湖高新區(qū)已為國家存儲器基地項目規(guī)劃建設(shè)1100畝配套產(chǎn)業(yè)園區(qū)和1500畝國際社區(qū)用地，正在加快引進產(chǎn)業(yè)鏈頂級配套企業(yè)和國際化人才。同時加快建設(shè)武漢國際微電子學(xué)院，組建長江芯片研究院、國家先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、存儲芯片聯(lián)盟、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。
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