三星與格羅方德(GF)都以攻擊態(tài)勢進軍晶圓代工事業(yè)，其中以臺積電為假想敵的三星，更宣稱將比臺積電更早推出10nm的方案，也會更早導入EUV的設備，希望在幾年內(nèi)翻轉晶圓代工產(chǎn)業(yè)被臺積電獨占利益的格局。
格羅方德也以新的22nmFD-SOI工程架構投入新的戰(zhàn)局，除了美國的工廠擴廠之外，落腳成都也讓一度乏人問津FD-SOI，再受到矚目！
市占率排名第一的臺積電，最近也推出22nmULP、12nmFFC、7+nmEUV等項目制程應戰(zhàn)，其中又以7+nmEUV最受矚目。而根據(jù)內(nèi)部透露，臺積電下半年7nm多家客戶的十幾個產(chǎn)品就將進入流片(tape-out)。
據(jù)悉，臺積電原先在導入EUV時，抱持著消極的態(tài)度，甚至傳言到5nm時才會導入。同時，臺積電最新的EUV進展是，最新ASML曝光機臺已經(jīng)可以達到連續(xù)3天穩(wěn)定處理超過1,500片12吋晶圓。
但最近面對格羅方德的積極攻擊時，選擇了22nm與12nm的制程，迎戰(zhàn)GF的22nmFD-SOI，而三星的10nm計劃，也深受臺積電注意。
原先市場的認知是，EUV的設備到5nm世代才會真正導入，但三星與臺積電同步提前到2018年的7nm世代便引用EUV的設備，獲利的當然是ASML這些生產(chǎn)設備的業(yè)者，但也因為Multi-patterning的次數(shù)減少，對一些生產(chǎn)蒸鍍設備的業(yè)者，就會有不利的影響。
至于FD-SOI的技術，原先是由STMicro所研發(fā)的絕緣，并與FinFET具有相互替代效益的技術。在FinFET技術的排擠下，F(xiàn)D-SOI一度乏人問津，但在三星與格羅方德相繼導入之后，似乎有了新的轉機。此項技術在物聯(lián)網(wǎng)相關應用時，具有低耗電的特色，而用于爭取晶圓代工的商機上也頗受矚目。
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