近期參加了LED與化合物行業(yè)內(nèi)的各項論壇，現(xiàn)將參展感悟以及相關(guān)分析匯編成報告。通過參會，我們更加加深了對產(chǎn)業(yè)及相關(guān)上市公司的認知。
LED：新型襯底與MicroLED是發(fā)展新動力在行業(yè)經(jīng)歷瘋狂之后，LED產(chǎn)業(yè)逐步平穩(wěn)，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、產(chǎn)能過剩、新技術(shù)挑戰(zhàn)等等因素都使得深耕LED的產(chǎn)業(yè)人士，特別是處于LED最大市場的中國企業(yè)家、專家不得不尋找產(chǎn)業(yè)的新增長點——尋找優(yōu)良的襯底技術(shù)與發(fā)展MicroLED。在襯底技術(shù)方面，硅襯底材料的出現(xiàn)是結(jié)合了導(dǎo)熱性、成本低、工藝成熟等優(yōu)勢的融合。發(fā)展硅襯底技術(shù)能進一步推動LED照明技術(shù)革新。
MicroLED為LED技術(shù)的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯(lián)網(wǎng)時代趨勢帶動下，MicroLED成為平板顯示界的新熱點。
化合物半導(dǎo)體是未來核心材料從2000年開始，化合物半導(dǎo)體市場逐步擴大，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵、碳化硅為首的半導(dǎo)體材料應(yīng)用增多。第三代半導(dǎo)體是以GaN、Sic與ZnO，由于其極高的光電轉(zhuǎn)化效率，多制備成寬禁帶、高功率、高效率的微電子、電力電子、LED光電等器件。由于氮化鎵的應(yīng)用范圍主要在中低功率產(chǎn)品，相關(guān)機構(gòu)由此預(yù)估，氮化鎵半導(dǎo)體材料在2015年2021年期間成長率達到83％，其中電源應(yīng)用占比較大，達到近60％；相比而言，碳化硅由于市場空間小，成長相對緩慢，成長率在21％左右。全球各大廠商都在布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領(lǐng)域有極大市場。我國作為相關(guān)器件的消費大國，通過提升制造能力，正以全新姿態(tài)往化合物半導(dǎo)體方向布局。
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