英飛凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC™MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。它們將有助于電源轉換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁HelmutGassel博士指出：“20多年來，英飛凌一直走在開發(fā)SiC解決方案的最前列，致力于滿足用戶對節(jié)能、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。英飛凌制造出數(shù)百萬件含有SiC器件的產(chǎn)品，而我們的肖特基二極管和J-FET技術使設計人員能夠實現(xiàn)利用傳統(tǒng)芯片不可能達到的功率密度和性能。該解決方案現(xiàn)在朝前邁出了一大步，將功率MOSFET涵蓋在內(nèi)，這使得從SiC技術獲得的益處將被提升到前所未有的新水平。”

HelmutGassel博士

SiCMOSFET帶來的影響非常顯著。電源轉換方案的開關頻率可達到目前所用開關頻率的三倍或以上。這能帶來諸多益處，如減少磁性元件和系統(tǒng)外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量，便于打造更小、更輕的系統(tǒng)，從而減少運輸工作量，并且更便于安裝。新解決方案有助于節(jié)能的特點由電源轉換設計人員來實現(xiàn)。這些應用的性能、效率和系統(tǒng)靈活性也將提升至全面層面。

全新1200VSiCMOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應用的系統(tǒng)改進，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。

該MOSFET完全兼容通常用于驅動IGBT的+15V/-5V電壓。它們將4V基準閾值額定電壓（Vth）與目標應用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結合起來。與SiIGBT相比的關鍵優(yōu)勢包括：獨立于溫度的開關損耗和無閾值電壓的靜態(tài)特性。

全新MOSFET融匯了多年SiC半導體開發(fā)經(jīng)驗，基于先進的溝槽半導體工藝，代表著英飛凌CoolSiC產(chǎn)品家族的最新發(fā)展。該產(chǎn)品系列包括肖特基二極管和1200VJ-FET器件以及在一個模塊中集成SiIGBT和SiC二極管的一系列混合解決方案。

首款分立式1200VCoolSiCMOSFET的導通電阻（RDS(ON)）額定值為45mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝，針對光伏逆變器、UPS、電池充電和儲能應用。由于集成了反向恢復損耗接近零的耐用型體二極管，所以這兩種型號的器件都可供用于同步整流方案。4引腳封裝有一個額外的源極連接端子（Kelvin），作為門極驅動電壓的參考電位。通過消除由于源極電感引起的壓降的影響，這可以進一步降低開關損耗，特別是在更高開關頻率時。

另外，英飛凌還宣布推出基于SiCMOSFET技術的1200V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接，有良好的熱界面、低雜散電感和堅固的設計，每種封裝的模塊均有11mΩ和23mΩ的RDS(ON)額定值選項。

更多資訊請關注電源頻道