近日,中科院微電子研究所科研團隊聯合江蘇艾特曼電子科技有限公司,借助中科院微電子所8英寸CMOS工藝平臺,完成了“高精度三軸加速度計”產品工藝的開發(fā)與驗證,經使用測試,器件性能表現良好,符合設計預期,可為MEMS設計單位提供產品服務。
目前,中科院微電子所科研人員針對產業(yè)界對MEMS代工的需求,以高精度三軸加速度計開發(fā)為牽引展開攻關,致力于在現有8英寸硅工藝線上,實現與CMOS工藝兼容的通用MEMS加工平臺技術,成功開發(fā)出大深寬比MEMS結構刻蝕、MEMS與ASIC晶圓堆疊、TSV電學連接及晶圓級蓋帽鍵合封裝等關鍵工藝技術的量產,最終實現了TSV的ASIC晶圓、MEMS結構晶圓及蓋帽晶圓的三層鍵合工藝,順利交付首款三軸加速度計產品。
目前,中科院微電子所在現有8英寸硅工藝線基礎上,已經形成了適用于多種MEMS傳感器件(例如高精度兩軸、三軸加速度計,高度計,壓力、紅外熱敏等器件)加工的PostCMOS-MEMS標準工藝,并實現了該工藝技術平臺化的開發(fā),可為MEMS設計單位提供產品工藝研發(fā)與批量加工服務。
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