2016年3月28日，世界級的國家存儲器基地項目在湖北武漢東湖高新區(qū)正式啟動，計劃5年內(nèi)投資1600億元人民幣（約240億美元），到2020年形成月產(chǎn)能30萬片芯片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片芯片的產(chǎn)能。作為國家發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略部署、湖北省改革開放以來單體投資最大的高新產(chǎn)業(yè)項目，將為我國提供打破主流存儲器領(lǐng)域空白、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)跨越發(fā)展的堅實支撐。

為保證該項目順利實施，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資作為股東，在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上組建一家存儲器公司，作為國家存儲器基地項目實施主體公司。

工信部副部長懷進(jìn)鵬在致辭時表示，“國家存儲器基地項目的啟動，是我國信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)在“十三五”開局之年抓機(jī)遇、補(bǔ)短板、推動重大生產(chǎn)力布局的戰(zhàn)略機(jī)遇，在我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展史中具有里程碑意義。工信部將會同國家相關(guān)部委，堅定支持存儲器項目建設(shè)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。”

十年磨劍—武漢新芯承接存儲器基地項目的基礎(chǔ)

歷經(jīng)10年發(fā)展，武漢新芯現(xiàn)已成為我國唯一以存儲器為主的集成電路制造企業(yè)。據(jù)悉，項目分期建造晶圓廠，生產(chǎn)3DNANDFlash。與平面（2D）相比，3DNAND技術(shù)更具有優(yōu)勢，能利用立體空間提高存儲密度，并且在提高性能的同時降低成本。

武漢新芯集成電路制造有限公司執(zhí)行副總裁/商務(wù)長陳少民先生接受記者采訪時表示，目前“中國光谷”已具備實施存儲器基地項目的五大基礎(chǔ)：

一、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。中國半導(dǎo)體在過去10年中同比成長18%，全世界的半導(dǎo)體成長則是跟著全球經(jīng)濟(jì)的經(jīng)濟(jì)發(fā)生變化，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展驚人。本次基地項目預(yù)計2020年達(dá)到20萬片3D-NANDFlash晶圓及10萬片DRAM晶圓；12寸晶圓按照每片700顆芯片計算，年產(chǎn)能估算為25億顆芯片。據(jù)悉2018年二期、三期也將陸續(xù)啟動，總投資將近1600億人民幣。

二、技術(shù)基礎(chǔ)。武漢新芯多年來主要從事NORFlash閃存的芯片代工，在研發(fā)和生產(chǎn)過程中積累了豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗，并且已與國內(nèi)外知名廠商和研發(fā)機(jī)構(gòu)開展合作。同時，東湖高新區(qū)已組建具備國際水平的集成電路工業(yè)技術(shù)研究院、集成電路IP交易中心、集成電路共享服務(wù)平臺，搭建產(chǎn)學(xué)研鏈條，為快速投入量產(chǎn)奠定了強(qiáng)大技術(shù)基礎(chǔ)。擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，同時又打造了完整的產(chǎn)業(yè)鏈，自主技術(shù)可控、時間窗口適宜，是發(fā)展的絕佳時機(jī)。

三、資本基礎(chǔ)。省、市、區(qū)共同設(shè)立了500億元湖北集成電路產(chǎn)業(yè)專屬投資基金，用于建設(shè)存儲器生產(chǎn)研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游項目。

四、人才基礎(chǔ)。首先，武漢新芯在楊士寧博士的帶領(lǐng)下，擁有一支實戰(zhàn)經(jīng)驗豐富的研發(fā)和制造隊伍，為實施存儲器戰(zhàn)略提供有力保障。武漢新芯舉全球英才，更進(jìn)一步引進(jìn)國際化的技術(shù)團(tuán)隊。與此同時，武漢科教實力雄厚，人才資源豐富，是中國三大智力密集區(qū)之一。東湖高新區(qū)半導(dǎo)體發(fā)展人才資源豐富，半導(dǎo)體行業(yè)工程技術(shù)和研究人員超過2萬人。其次，省、市和東湖高新區(qū)將制定切實可行的集成電路產(chǎn)業(yè)各層次專業(yè)人才引進(jìn)方案和專項政策。近期重點為滿足存儲器基地項目需求，引進(jìn)存儲器產(chǎn)業(yè)各個環(huán)節(jié)高層次人才。此外，還將依托區(qū)內(nèi)高校和相關(guān)企業(yè)建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)實訓(xùn)基地，為存儲器基地項目定向培養(yǎng)一線研發(fā)制造專業(yè)人才。

五、市場基礎(chǔ)。存儲器是電子信息化產(chǎn)業(yè)的重要元器件之一，隨著汽車電子、醫(yī)療電子、消費電子（含智能終端）產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，尤其是日趨電子化的汽車領(lǐng)域，使得對存儲器的需求量迅速增加。目前，中國國內(nèi)外多家知名智能終端龍頭企業(yè)和汽車生產(chǎn)商，對存儲器芯片的需求量極大，能快速形成產(chǎn)業(yè)鏈互補(bǔ)推動效應(yīng)。武漢新芯已經(jīng)和國內(nèi)外多家產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)簽訂了合作協(xié)議和開展合作洽談，產(chǎn)品有了龐大市場需求的基礎(chǔ)。

戰(zhàn)略高地—打破存儲器進(jìn)口依賴

集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，被稱為“工業(yè)糧食”和“生死攸關(guān)的工業(yè)”，是未來產(chǎn)業(yè)競爭、科技競爭、綜合實力競爭的制高點。若說集成電路產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代工業(yè)的糧食，那么存儲器在現(xiàn)階段就是糧食中的主糧。然而，這關(guān)乎國家信息安全的“糧食”，我國一直依賴進(jìn)口。清華大學(xué)微電子學(xué)研究所所長魏少軍教授接受記者采訪時直言，“從某種意義上說，如果沒有芯片，整個信息產(chǎn)業(yè)就建在沙灘上。”

2014年全球存儲器市場規(guī)模約750億美元，約占全球集成電路市場份額的25%，同比增長約10%。我國是全球最大的電子信息產(chǎn)業(yè)基地，電子整機(jī)所用存儲器市場需求約2465.5億元，占我國集成電路市場規(guī)模的23.7%。2014年，我國集成電路進(jìn)口額2176.2億美元，是我國進(jìn)口額最大的產(chǎn)品，其中存儲器進(jìn)口額占24.9%。近幾年中國集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)保持高速增長，近十年平均增長率18%，而全球平均增長率僅有3.5-6%。

彎道超車—本土“智造”把握歷史新機(jī)遇

“全球集成電路產(chǎn)業(yè)面臨新的轉(zhuǎn)折點，這為我國集成電路彎道超車提供了機(jī)遇。”中國科學(xué)院微電子研究所所長葉甜春表示，這承載了國家自主創(chuàng)新的使命，隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲芯片的需求還將激增，中國必須有企業(yè)站出來填補(bǔ)空白，搶占市場。

武漢新芯集成電路制造有限公司執(zhí)行副總裁/商務(wù)長陳少民先生接受記者采訪時表示，“NANDFlash可廣泛應(yīng)用于智能終端、云計算、IOT等領(lǐng)域，每年市場增長超過10%。目前3D-NANDFlash市場份額占存儲器總市場的11-13%，到2020年中國市場占據(jù)其中的40-50%；2D-NANDFlash目前已經(jīng)到達(dá)了物理極限，可以說該項目是我國集成電路產(chǎn)業(yè)彎道超車的絕佳時機(jī)，未來即使?jié)M產(chǎn)也還遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了國內(nèi)市場需求，市場潛力巨大。”

據(jù)悉，自2015年武漢新芯與美國Spansion公司宣布合作開發(fā)與生產(chǎn)3DNAND閃存技術(shù)，同時簽署共同開發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)議。雙方在3DNAND項目研發(fā)取得了突破性進(jìn)展。陳少民先生回應(yīng)稱，“武漢新芯與競爭對手的差距只有一代半，我們有信心在三代產(chǎn)品后趕上國際廠商”。

打造存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈——國家大力發(fā)展存儲器芯片的意義

存儲器發(fā)展于上世紀(jì)60年代的美國，80年代日本企業(yè)抓住商業(yè)計算機(jī)發(fā)展機(jī)遇，實現(xiàn)存儲器發(fā)展，進(jìn)而走向集成電路強(qiáng)國；90年代韓國企業(yè)抓住個人計算機(jī)、消費電子發(fā)展機(jī)遇，集中資源、持續(xù)支持，奠定了現(xiàn)在存儲器強(qiáng)國的地位。國家存儲器基地項目的啟動，不僅僅是再投資建設(shè)一個12英寸晶圓代工廠，更重要的是打造完整的存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，包括EDA軟件、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、應(yīng)用方案及相關(guān)設(shè)備材料等環(huán)節(jié)，真正意義上的實現(xiàn)本土“智造”。

深圳市硅格半導(dǎo)體股份有限公司是一家專注于固態(tài)存儲控制領(lǐng)域，是全球重要的閃存（NANDFlash）控制芯片供應(yīng)商，產(chǎn)品包括SSD、eMMC、SD、USB閃存盤等控制芯片。固態(tài)硬盤（SSD）以及手機(jī)是NANDFlash最主要的兩塊應(yīng)用，2014年這兩者的消耗量超過了66%，預(yù)計2018年這個數(shù)據(jù)將會達(dá)到78%。深圳市硅格半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理吳大畏先生接受記者采訪時表示，“通過與武漢新芯的合作，國產(chǎn)存儲控制芯片公司將獲得前所未有的趕超國際同行的發(fā)展機(jī)會，硅格半導(dǎo)體的閃存控制芯片將率先支持武漢新芯的3DNANDFlash存儲器，為全球市場更有競爭力的存儲解決方案。”

此外，深圳市江波龍電子有限公司總經(jīng)理李志雄先生表示，“武漢新芯3DNANDFlash項目對FLASH的國產(chǎn)化具有重要意義，其產(chǎn)品能夠廣泛應(yīng)用于江波龍現(xiàn)有的4條存儲產(chǎn)品線。江波龍專注于FLASH存儲產(chǎn)品的研發(fā)和銷售，深刻掌握FLASH控制核心技術(shù)和算法，江波龍的產(chǎn)品包括USBDisk、MicroSD、eMMC和SSD。”

東電電子上海戰(zhàn)略市場總監(jiān)錢立群先生接受記者采訪時表示，“無論從國家戰(zhàn)略還是市場需求來看，對中國來說存儲器都是很必要的產(chǎn)品。這次武漢項目啟動儀式上，各界領(lǐng)導(dǎo)和業(yè)界巨頭紛紛前來捧場，可見對這個項目寄予了極高的厚望。國內(nèi)對存儲器項目的重視固然值得欣喜，但我們也應(yīng)看到，存儲器相對于logic、Foundry，國際化壟斷更高、投資更大、壁壘更高，因此存儲器項目今后要走的是一條充滿挑戰(zhàn)之路。因此絕對不能閉門造車，也要盡量少走彎路少試錯，必須要利用上下游供應(yīng)鏈和全球產(chǎn)業(yè)鏈的資源，聚合眾人之力才有望推動其發(fā)展。東電電子(TEL)作為一家國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，目前正在與武漢存儲器項目接洽合作事宜，希望能為國內(nèi)的存儲器產(chǎn)業(yè)的建設(shè)和發(fā)展貢獻(xiàn)力量。”

中國“智造”——前所未有的發(fā)展機(jī)會

雖然近些年，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進(jìn)，自給率逐年提高。但不可忽視的現(xiàn)狀是，這些國產(chǎn)芯片的成功應(yīng)用大多在消費類領(lǐng)域。在對穩(wěn)定性和可靠性要求很高的通信、工業(yè)、醫(yī)療以及軍事的大批量應(yīng)用中，國產(chǎn)芯片距離國際一般水平差距較大。尤其是一些技術(shù)含量很高的關(guān)鍵器件：CPU、存儲器、大規(guī)模FPGA、高速高精度ADC/DAC等領(lǐng)域，還完全依賴美國供應(yīng)商。前不久的中興事件給中國通信行業(yè)再次敲響了警鐘：缺乏核心技術(shù)，中國或?qū)⑦M(jìn)一步加快開發(fā)自主高端芯片的步伐。

就在存儲器基地項目啟動的同一天，還有另一家海外派晶圓廠開工——TSMC臺積電在南京投資的12寸晶圓廠恰好也是在28日動工。此工程是TSMC首次進(jìn)軍大陸，投資額高達(dá)30億美元，而且直接會使用先進(jìn)的16nm工藝。臺積電董事長張忠謀表示，“近年來大陸半導(dǎo)體市場成長快速，臺積電在南京設(shè)立十二寸廠與設(shè)計服務(wù)中心，就是為了就近協(xié)助客戶并進(jìn)一步增加商機(jī)，期待未來能與客戶更緊密結(jié)合，讓臺積電在大陸的市占率持續(xù)成長。”

綜上所述，中國集成電路產(chǎn)業(yè)面臨巨大的競爭壓力和發(fā)展契機(jī)，中國“智造”必將完成華麗轉(zhuǎn)型，群雄并起的時代已經(jīng)來臨，讓我們拭目以待！

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