中國，2015年12月23日——意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認(rèn)證，采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTMDM2超結(jié)制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。

400V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個(gè)獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全系列產(chǎn)品專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成快速恢復(fù)體二極管（fastbodydiode）、恢復(fù)軟度系數(shù)更高的換向行為（commutationbehavior）和背對背柵源齊納（gate-sourcezener）二極管保護(hù)功能，是全橋零壓開關(guān)拓?fù)涞睦硐脒x擇。

意法半導(dǎo)體的新功率MOSFET是汽車市場上Trr（反向恢復(fù)時(shí)間）/Qrr（反向恢復(fù)電荷）比和恢復(fù)軟度系數(shù)表現(xiàn)最好的功率MOSFET，同時(shí)也擁有最出色的高電流關(guān)斷能量（Eoff），有助于提高汽車電源能效。此外，內(nèi)部快速體二極管的性能表現(xiàn)亦十分出色，有助于降低EMI電磁干擾，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用尺寸更小的被動(dòng)濾波器件。MDmeshTMDM2技術(shù)通過這種方式讓電源設(shè)計(jì)變得更環(huán)保、能耗更低，從而使能效最大化、終端產(chǎn)品的尺寸最小化。

意法半導(dǎo)體的新款車用功率MOSFET擁有以下主要特性：

●快速恢復(fù)體二極管

●極低的柵電荷量及輸入電容，500VD2PAK產(chǎn)品的柵電荷量及輸入電容分別為44nC和1850pF

●低導(dǎo)通電阻

●最短的Trr（反向恢復(fù)時(shí)間）：600VTO-247在28A時(shí)是120ns；650VTO-247在48A時(shí)是135ns

●柵源齊納二極管保護(hù)

欲了解更多產(chǎn)品詳情，請瀏覽：www.st.com/mdmeshdm2

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics;ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，提供創(chuàng)新先進(jìn)的產(chǎn)品及解決方案，為人們帶來更智能且具有更高能效的電子產(chǎn)品，提升日常生活的便利性。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品無處不在，致力于與客戶共同努力實(shí)現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體主張智能科技引領(lǐng)智慧生活（life.augmented）的理念。