科技助力能源發(fā)展——東芝半導(dǎo)體亮相PCIM Asia 2015

導(dǎo)語:上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIMAsia2015)將于2015年6月24日至26日在上海世博展覽館舉辦。

中國上海,2015年6月15日–上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIMAsia2015)將于2015年6月24日至26日在上海世博展覽館舉辦。日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司將以其“HumanSmartCommunitybylifenology-thetechnologyliferequires(智社會,人為本,以科技應(yīng)人類之求)”的企業(yè)理念,于4號廳A18展位展示多款電力領(lǐng)域節(jié)能環(huán)保的功能器件與專利技術(shù),展出產(chǎn)品包括其IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor)專利產(chǎn)品、MOSFET、光耦產(chǎn)品以及IPD+MCU電機驅(qū)動方案等。

隨著能源危機制約著現(xiàn)代社會的發(fā)展,開發(fā)和利用可再生能源是人類立早自身解決能源問題的重要舉措之一。東芝作為能源領(lǐng)域引領(lǐng)者,自1875年創(chuàng)始之際堅信使命,秉持“HumanSmartCommunity(智社會人為本)”企業(yè)理念:以創(chuàng)新的科技服務(wù)于社會,并為創(chuàng)造一個舒適美好的人類生活環(huán)境而不懈努力。目前,“能源”(包含能源生成及再利用、輸配電等)已成為了東芝三大支柱產(chǎn)業(yè)之一,以期面對全球化亟待解決的復(fù)雜課題。

在本次2015年P(guān)CIMAsia展覽上,IEGT作為東芝半導(dǎo)體的專利產(chǎn)品參展。其通過采取“注入增強結(jié)構(gòu)(IE:InjectionEnhanced)”實現(xiàn)了低通態(tài)電壓,有效地實現(xiàn)了大功率變頻器的節(jié)能,且其優(yōu)勢隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高,逐步得到了體現(xiàn)和認可。目前,東芝半導(dǎo)體的IEGT主要應(yīng)用于柔性高壓直流輸電(HVDC)、新能源、牽引、中高壓變頻器等特大功率電力領(lǐng)域。現(xiàn)在國內(nèi)市場上已經(jīng)有以東芝的IEGT作為核心器件成功運行項目。并且,為了更好的滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的具體需求,東芝半導(dǎo)體專門推出了不同封裝的IEGT產(chǎn)品,適用于高速EMU的3.3kVPMI封裝(塑封模塊)的IEGT、適用于重型EL的4.5kVPMI封裝的IEGT、適用于電力機車驅(qū)動要求尺寸小、重量輕并節(jié)能降耗的3.3kV/1.5kV碳化硅混合模塊封裝IEGT以及適用于大功率節(jié)能的4.5kV/3.3kVPPI封裝(壓接式封裝)的IEGT。

在光耦方面,東芝半導(dǎo)體將展出應(yīng)用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的光耦,其可以保證高達40kV/μs的共模抑制(CMR)。這些光耦非常適合應(yīng)用于像逆變器和伺服器等在電噪聲環(huán)境中的安裝應(yīng)用。

東芝半導(dǎo)體在MOSFET方面已擁有十余年的開發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗,能夠提供具有各種電路結(jié)構(gòu)和封裝的低VDSS和中/高VDSSMOSFET廣泛產(chǎn)品組合,并采用最新的工藝技術(shù)提高開關(guān)電源的功率。

在本次展覽上,東芝半導(dǎo)體還將展出智能模塊IPD與專用驅(qū)動芯片MCD相結(jié)合的BLDC馬達解決方案——具有良好的系統(tǒng)穩(wěn)定性和豐富的系統(tǒng)保護功能,并能夠?qū)崿F(xiàn)零速和順逆風(fēng)啟動。

2015年,東芝公司即將迎來創(chuàng)建140周年紀念,在“智社會人為本”的全新企業(yè)理念指引下,東芝將繼續(xù)以領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品和高品質(zhì)服務(wù),推動節(jié)能環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展事業(yè),為人類打造安心、安全、舒適的智能社會,持續(xù)為推動社會進步做出貢獻。

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