三菱電機（www.MitsubishiElectric-mesh.com）今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。
今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。
工業(yè)及光伏發(fā)電市場
針對工業(yè)光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。
這次展出的第7代IGBT模塊，特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性；涵蓋模塊電流100A至1000A；采用預(yù)涂熱界面材料(TIM)，與傳統(tǒng)硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%。它繼承現(xiàn)有的統(tǒng)一封裝(NX)和傳統(tǒng)封裝(A/NF/MPD)，適應(yīng)不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計需求；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。
第7代IGBT模塊
整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應(yīng)的驅(qū)動保護電路。 它采用第7代CSTBTTM硅片；提供短路保護和欠壓保護；內(nèi)置自舉二極管； 提供LVIC溫度模擬量輸出功能；額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設(shè)計通用變頻器，可以最大程度地簡化布線設(shè)計，縮小基板面積，縮短開發(fā)周期；同時還可以降低布線電感及濾波器成本，使噪聲設(shè)計變得簡單。
整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+
4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專門為提高光伏發(fā)電效率而開發(fā)的400A模塊， 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流開關(guān)采用第7代650V IGBT硅片，損耗低、允許結(jié)溫高達(dá)175℃；內(nèi)部雜散電感小，正負(fù)端子之間為32nH、正零端子之間為和零負(fù)端子之間均27nH；絕緣耐壓高達(dá)4000Vrms/1min；更采用了易于并聯(lián)的封裝結(jié)構(gòu)。
4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊
在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中，1200V級和1700V級均采用第6代IGBT硅片，實現(xiàn)更低損耗，方便客戶根據(jù)不同需要構(gòu)建I型或者T型三電平拓?fù)?；模塊內(nèi)部雜散電感小，一單元模塊為8nH，兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達(dá)4000Vrms/1min，結(jié)溫最高可達(dá)175℃。
1in1三電平逆變器用IGBT模塊
三菱電機大中國區(qū)半導(dǎo)體總經(jīng)理四個所大亮先生稱：“三菱電機承持可持續(xù)發(fā)展信念，不斷研發(fā)高性能、高可靠性及小型化的功率器件，來滿足電力電子市場的需要。對于功率器件市場的前景，我們抱持十分樂觀的態(tài)度，隨著中國政府加大力度治理環(huán)境，必將給新能源利用產(chǎn)業(yè)帶來更大的發(fā)展空間。”
變頻家電市場
對于變頻家電應(yīng)用，三菱電機這次特別推介兩款產(chǎn)品，分別為SJMOS DIPIPMTM模塊與專為變頻冰箱及變頻風(fēng)機設(shè)計的SLIMDIP模塊。
SJMOS DIPIPMTM模塊采用IGBT和SJMOS并聯(lián)技術(shù)，達(dá)至同時優(yōu)化小電流段和大電流段的損耗，封裝和功能完美，兼容第6代超小型DIPIPM模塊。
SJMOS DIPIPMTM模塊
SLIMDIP則采用第3代RC-IGBT技術(shù)，集成短路保護和欠壓保護，內(nèi)置自舉二極管（和限流電阻），同時提供LVIC溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本，封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達(dá)30%。
SLIMDIP模塊
軌道牽引及電動汽車驅(qū)動市場
在PCIM 2015亞洲展上，三菱電機為軌道牽引領(lǐng)域帶來兩款新的功率模塊，分別為X系列HVIGBT模塊及下一代兩單元HVIGBT模塊，可應(yīng)用于牽引變流器及直流輸電變流子模塊；而J1系列車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅(qū)動器。
X系列是最新一代HVIGBT模塊，進(jìn)一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等級的額定電流；使用了第7代IGBT和RFC Diode硅片技術(shù)，實現(xiàn)更低飽和壓降和開關(guān)損耗。它同時采用LNFLR技術(shù)，實現(xiàn)低熱阻；并有更寬的安全工作區(qū)。針對電力傳輸應(yīng)用而開發(fā)的6500V/1000A單管HVIGBT模塊已率先發(fā)布。
X系列HVIGBT模塊
至于下一代兩單元HVIGBT模塊，將提供三個電壓等級3.3kV/450A、4.5kV/400A及6.5kV/275A，均采用全新封裝，實現(xiàn)更低的雜散電感及更易于并聯(lián)，其絕緣耐壓達(dá)10.4kVrms/1min。
下一代兩單元HVIGBT模塊
J1系列車用IGBT模塊專為電動汽車驅(qū)動器設(shè)計，是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模塊。它采用第7代IGBT硅片技術(shù)及高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術(shù)，以及基于硅片的溫度和電流檢測技術(shù)；與傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%。三菱電機將提供包括驅(qū)動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術(shù)支持，以方便客戶快速應(yīng)用該模塊實現(xiàn)車用逆變器的設(shè)計。
J1系列車用IGBT模塊
三菱電機機電（上海）有限公司簡介
三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在2014年的《財富》500強排名中，名列第273。
作為一家技術(shù)主導(dǎo)型的企業(yè)，三菱電機擁有多項領(lǐng)先技術(shù)，并憑強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)著重要的地位。
三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創(chuàng)機電新紀(jì)元視為責(zé)無旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻(xiàn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會繁榮。
三菱電機半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。
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