2014年11月18日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出新一代絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)平臺(tái)。全新第八代(Gen8)1200VIGBT平臺(tái)適用于符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，并采用IR新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。
全新的Gen8組件提供從8A到高達(dá)60A的電流額定值，加上1.7V典型VCE(ON)和10μs短路額定值，能夠減少功耗，有效增加功率密度并帶來(lái)卓越的耐用性。
IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR通過(guò)開(kāi)發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺(tái)，彰顯其數(shù)十年來(lái)致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)實(shí)現(xiàn)百分百變頻，從而更有效地使用電能，并且綠化環(huán)境。”
新技術(shù)為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更理想的軟關(guān)斷功能，通過(guò)盡量降低dv/dt來(lái)減少電磁干擾和過(guò)壓情況，有助于提升可靠性及耐用性。該平臺(tái)的參數(shù)分布狹窄，在進(jìn)行多個(gè)IGBT并聯(lián)時(shí)便可帶來(lái)出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱阻，還可達(dá)到175°C的最高結(jié)溫。
潘大偉指出：“IR的Gen8IGBT平臺(tái)旨在為工業(yè)應(yīng)用提供卓越的技術(shù)。該IGBT平臺(tái)憑借頂尖的VCE(ON)、卓越的耐用性及頂級(jí)的開(kāi)關(guān)功能，使工業(yè)市場(chǎng)所面臨的難題迎刃而解。”
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