新工藝面臨技術(shù)挑戰(zhàn) 半導(dǎo)體材料時代來臨

時間:2008-03-31

來源:中國傳動網(wǎng)

導(dǎo)語:新工藝面臨技術(shù)挑戰(zhàn) 半導(dǎo)體材料時代來臨

編者按:新工藝面臨技術(shù)挑戰(zhàn) 半導(dǎo)體材料時代來臨。 在消費電子與綠色能源需求的推動下,新型半導(dǎo)體材料將更多地在生產(chǎn)中得到應(yīng)用,新材料的使用同時也是降低成本的需求。此外,新的工藝技術(shù)也會對材料提出新的要求。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向45nm、32nm延伸,越來越多的新材料將在生產(chǎn)中采用。2007年半導(dǎo)體材料的銷售額已達(dá)到了420億美元,占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的16%,與半導(dǎo)體設(shè)備銷售額持平。據(jù)SEMI(國際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會)預(yù)測,到2010年,半導(dǎo)體材料的銷售額將達(dá)到530億美元。2008中國國際半導(dǎo)體材料研討會3月19日-20日在上海與SEMICONChina同期召開,半導(dǎo)體材料越來越引起業(yè)界的關(guān)注。 新材料研發(fā)投入與日俱增 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2007年的銷售額達(dá)到了2590億美元,在過去的5年中平均增長率為9.5%。半導(dǎo)體材料的銷售額占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的16%,為此,全球半導(dǎo)體制造公司、設(shè)備與材料公司在新材料方面的人力與資金投入都與日俱增。據(jù)了解,中芯國際45nm研發(fā)團(tuán)隊中就有超過一半的人在從事新材料的研發(fā)?!鞍雽?dǎo)體材料是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),材料技術(shù)的發(fā)展使集成電路技術(shù)的升級成為可能?!笨萍疾扛辈块L曹健林在中國國際半導(dǎo)體材料研討會上如是說。 美國AirProducts先進(jìn)集成材料總監(jiān)DanO‘Connell認(rèn)為,半導(dǎo)體材料時代已經(jīng)來臨,在消費電子與綠色能源需求的推動下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展,新材料和新元素將更多地在生產(chǎn)中得到應(yīng)用。如何選擇與鑒定最合適的材料,如何預(yù)測材料對薄膜及工藝性能的影響,如何將新材料從研發(fā)快速轉(zhuǎn)入大規(guī)模生產(chǎn),成為材料時代的新挑戰(zhàn)。 隨著45nm技術(shù)時代的來臨,新材料在半導(dǎo)體前道和后道工藝中都得到了日益廣泛的應(yīng)用。Praxair公司研發(fā)總監(jiān)兼中國國際半導(dǎo)體材料研討會技術(shù)委員會主席黃丕成介紹說,半導(dǎo)體制造中通常有6個典型的工藝步驟,分別為光刻、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、刻蝕、電鍍、薄膜淀積和離子注入工藝。在45nm技術(shù)中,新材料不僅包括新的光刻膠、更好的CMP工藝研磨液與研磨墊,也包括刻蝕工藝中的氣體與試劑、電鍍與薄膜淀積中的新材料與試劑。黃丕成認(rèn)為,在前段工藝過程中的高k(介電常數(shù))金屬柵與應(yīng)力硅材料以及后段工藝過程中的低k與阻擋層材料及相關(guān)工藝,都是當(dāng)今半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)研究熱點中的熱點。 亞洲是最大半導(dǎo)體材料市場 中國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅速,SEMI預(yù)計,中國半導(dǎo)體材料銷售額2008年將達(dá)到40.3億美元,較2007年增長23%,增長率居全球首位。 與半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)相比,材料產(chǎn)業(yè)相對穩(wěn)定,沒有很大的跌宕起伏。最近5年的年平均增長率為11%。與設(shè)備行業(yè)類似,亞洲地區(qū)的增長速率高于全球平均水平,其中中國的增長為21%,居全球第一。 產(chǎn)業(yè)對新材料的需求對供應(yīng)商來說也是市場機(jī)遇所在。納米時代,如何開發(fā)出能夠滿足技術(shù)性能要求的產(chǎn)品,如何降低材料的成本,如何實現(xiàn)新材料的大規(guī)模生產(chǎn),如何滿足環(huán)保與安全的需求,這些都是材料供應(yīng)商的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。 未來的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展最離不開的就是材料的革新。碳納米管、可印刷集成電路等在未來的幾年都將逐漸走進(jìn)市場。黃丕成認(rèn)為,新材料研究的目標(biāo)不僅在于滿足技術(shù)的要求,應(yīng)對技術(shù)挑戰(zhàn),同時降低成本也是業(yè)界的一大需求,這是追隨摩爾定律的必然結(jié)果。 與半導(dǎo)體相關(guān)的太陽能、FPD(平板顯示器)等產(chǎn)業(yè)也拉動了對新材料的需求。半導(dǎo)體材料的銷售額占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的16%,2007年的銷售額為410億美元,其中60%來自前道,40%來自后道。64%來自亞洲,13%來自北美,9%來自歐洲。因此,包括中國在內(nèi)的亞洲地區(qū)是目前最大的半導(dǎo)體材料市場。 新材料迎合新工藝需求 專家認(rèn)為,在光刻、CMP、刻蝕等領(lǐng)域都存在著一些材料與工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)。黃丕成介紹說,在光刻領(lǐng)域,為了實現(xiàn)更小的技術(shù)節(jié)點,提高分辨率就成為必然。浸入式光刻、EUV(遠(yuǎn)紫外線光刻)、雙掩模等新技術(shù)的出現(xiàn)就會對光刻膠材料與結(jié)構(gòu)提出更多的要求。 黃丕成認(rèn)為,介電材料的選擇與集成對降低晶體管的RCDelay(電阻-電容延遲時間)也是至關(guān)重要的。因此對低k介電材料的研究與應(yīng)用一直是業(yè)界的一個關(guān)注點。不僅材料公司在關(guān)注這一問題,設(shè)備公司對此也極為重視,包括應(yīng)用材料、諾發(fā)等公司都有專門的研發(fā)隊伍與自己獨特的產(chǎn)品,這說明他們都認(rèn)識到工藝集成中離不開材料。應(yīng)用材料公司的BlackDiamond技術(shù)與諾發(fā)的Coral技術(shù)都已在實際生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。而且隨著線寬的減小,低k材料也在不斷地升級,這也為互連工藝中的銅與低k材料的CMP工藝帶來了挑戰(zhàn)。 英特爾在45nm首先引入了高k金屬柵工藝,而高k金屬柵在32nm會被更多地采納與應(yīng)用。這是應(yīng)對漏電問題的根本解決方案。為此,不僅材料廠商在探索與實驗,積極尋找各種備選材料,英特爾、臺積電、中芯國際等廠商也在研發(fā)隊伍中投入了更多的人力從事材料的研發(fā)。 中國市場較其他地區(qū)而言是獨一無二的。中國的客戶非常多元化,包括國有企業(yè)、中外合資公司和外商獨資公司等。甚至在技術(shù)方面,中國范圍內(nèi)也存在較大差異,從較早的4英寸晶圓技術(shù)到尖端的45nm工藝技術(shù),在中國都能找到足跡。無論是設(shè)備市場還是材料市場,中國無疑是最受關(guān)注的。
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