3-D結(jié)構(gòu)的晶體管首次問世。該公司推出的三柵極(Tri-Gate)3-D晶體管設(shè)計成功實現(xiàn)了22納米制程技術(shù)的突破，從而推翻了摩爾定律即將走到盡頭的判斷。

據(jù)英特爾技術(shù)與制造事業(yè)部亞洲區(qū)發(fā)言人柯必杰介紹，這款3-D三柵極晶體管代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變，同時也為摩爾定律注入了新的活力。

他表示，要在22納米制程時代延續(xù)摩爾定律，是一項非常復(fù)雜的技術(shù)。經(jīng)過十幾年的努力，通過采用3-D結(jié)構(gòu)，英特爾終于在這項技術(shù)上取得了突破。對于22納米三柵極晶體管的大小，他舉了兩個形象的例子：一個針頭上就可以容納超過1億個22納米三柵極晶體管;而要想用肉眼看到它，人們必須把一塊芯片放大到比房子還大。

對于這項成果，英特爾創(chuàng)始人之一、摩爾定律的提出者戈登˙摩爾的評價是：“在多年的探索中，我們已經(jīng)看到晶體管尺寸縮小所面臨的極限。今天這種在基本結(jié)構(gòu)層面上的改變，是一種真正革命性的突破，它能夠讓摩爾定律以及創(chuàng)新的歷史步伐繼續(xù)保持活力。”

記者在發(fā)布會現(xiàn)場看到，與3-D三柵極晶體管相比，傳統(tǒng)“扁平”的2-D平面柵極被從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替。鰭狀物的每一面都安裝了一個柵極，而不是像2-D平面晶體管那樣，只在頂部有一個柵極。更多的控制可以使晶體管在“開”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過，而在“關(guān)”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零，同時還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換。

據(jù)悉，與之前的32納米平面晶體管相比，22納米3-D三柵極晶體管在低電壓下可將性能提高37%，在相同性能的情況下電量消耗將減少50%，而其造價僅提高2%~3%。

當(dāng)天，英特爾還向記者展示了全球首個研發(fā)代號為IvyBridge的22納米微處理器。這款處理器的適用范圍可小到手機、平板電腦等手持式設(shè)備，大到臺式機、服務(wù)器等大型設(shè)備。據(jù)悉，基于IvyBridge的英特爾酷睿系列處理器將是首批采用3-D三柵極晶體管進行批量生產(chǎn)的芯片。IvyBridge預(yù)計將在年底前投入批量生產(chǎn)。

柯必杰還向記者透露，下一步英特爾將著力突破14納米制程技術(shù)，屆時，有可能繼續(xù)采用3-D結(jié)構(gòu)的設(shè)計，也有可能再度進行革命性的創(chuàng)新。