2013年8月8日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)已經(jīng)大幅擴充針對嚴格的汽車應用設計的AEC-Q100和AEC-Q101合格認證標準元器件陣容。

汽車電子成分持續(xù)提升，使設計人員需要更多通過AEC-Q認證、提供強固物理及電氣性能以符合乘用車系統(tǒng)嚴格工作環(huán)境要求的元器件。

根據(jù)市場研究公司IHS的信息及分析，平均每輛高檔汽車的半導體成分價值336美元，其中包括集成電路(IC)及分立元件，用于先進的駕駛人輔助系統(tǒng)、動力系統(tǒng)、車身及信息娛樂系統(tǒng)。單是信息娛樂系統(tǒng)的IC成分價值，在原設備制造商(OEM)系統(tǒng)層面約為平均每輛車52美元，包括零配件市場系統(tǒng)則為平均每輛車約81美元。

HIS高級汽車電子分析師Luca De Ambroggi說：“近年來，隨著總體汽車電子成分上升，平均每輛汽車中的半導體成分已在快速上升，并預計將繼續(xù)增加。高檔車中標準IC的數(shù)量約為5,000至6,000顆。針對汽車應用的半導體元器件的品質是一項關鍵要求，業(yè)界的目標是不良率達到每100萬顆元件中不良元件數(shù)量為零(0 ppm)。”

最新產(chǎn)品

安森美半導體第一款推出的新產(chǎn)品是100%經(jīng)過“雪崩”能量測試的NVMFS單及NVMFD雙N通道邏輯電平功率MOSFET系列。這些器件提供低導通阻抗及大電流能力組合，同時將導電損耗降至最低，確保提供強固的負載性能，用于嚴格的汽車動力系統(tǒng)、安全及車身控制模塊應用，包括燃油直接噴射、安全氣囊、汽車空調(HVAC)及混合電子系統(tǒng)中。這些器件采用小占位面積、低高度的SO-8FL封裝，相比傳統(tǒng)的DPAK封裝節(jié)省超過50%的電路板空間，而功率處理能效相近。

新的NUP2115LT1G接收器ESD保護二極管的設計旨在保護FlexRayTM收發(fā)器免受靜電放電(ESD)及其它有害瞬態(tài)電壓事件損傷，為每條數(shù)據(jù)線路提供雙向保護，而且其設計提供盡可能最高的信號完整性。NUP2115LT1G采用緊湊型SOT-23封裝，為系統(tǒng)設計人員提供一種增強系統(tǒng)可靠性并超越嚴格電磁干擾(EMI)要求的方式。由于車載網(wǎng)絡的高速屬性，F(xiàn)lexRayTM標準要求達20皮法(pF)的低電容保護及±2%的數(shù)據(jù)線路電容偏差；NUP2115LT1G遠超F(xiàn)lexRayTM標準，提供領先業(yè)界的最大10 pF雜散電容(stray capacitance)，電容匹配度達0.26%。

公司通過汽車行業(yè)認證的NSV1C系列，SOT-23及SOT-223封裝100 V、2 A PNP及NPN超低飽和電壓(VCEsat)、大源電流雙極晶體管提供極高能效，幫助將汽車電池需求降至最低。典型應用包括 儀表盤模塊及用于燃油直接噴射的發(fā)動機控制單元(ECU)。NSV1V系列器件與公司符合汽車應用要求的寬范圍數(shù)字晶體管相輔相成，包含阻抗值范圍為1.0 kΩ至100 kΩ的額定50 V、100 mA器件。這些器件提供7種封裝類型，包括單、雙、NPN、PNP及互補型器件。

安森美半導體還推出NCV857x及NCV87xx系列高性能后穩(wěn)壓低壓降(LDO)穩(wěn)壓器，提供增強的性能及從-40℃至+125℃的擴展工作溫度范圍。這些LDO用于信息娛樂系統(tǒng)、安全、照明及小型電機電子控制單元；當中低噪聲及低電源抑制比(PSRR)至關重要，用于增強系統(tǒng)性能。這些新器件非常適合用于低噪聲性能極為關鍵的藍牙應用。

最后，安森美半導體還推出幾個系列的汽車級一級(Level 1)串行EEPROM，提供-40℃至+125℃的擴展工作溫度范圍。CAV24Cxx I2C總線及CAV25Cxx SPI總線接口串行EEPROM系列提供1 Kb至1 Mb的密度。這些產(chǎn)品由安森美半導體采用幾何尺寸低至0.18 µm的硅工藝生產(chǎn)，提供業(yè)界標準的SOIC及TSSOP汽車級封裝。CAV93C86 (16 Kb) 將是Microwire總線接口串行EEPROM系列器件中推出的首款產(chǎn)品。