SiCMosfet對(duì)比SiIGBT主要有以下優(yōu)勢(shì)：
    低導(dǎo)通電阻RDS（ON），使SiCMosfet具有優(yōu)越的正向壓降和導(dǎo)通損耗性能，更適應(yīng)高溫環(huán)境下的工作；
    優(yōu)良的輸入特性，即SiCMosfet擁有低柵極電荷，具備卓越的切換速率；
    寬禁帶寬度材料，SiCMosfet具有相當(dāng)?shù)偷穆╇娏?，更適應(yīng)在高電壓環(huán)境中的應(yīng)用；

    日前，MORNSUN與SiCMosfet行業(yè)龍頭企業(yè)合作，打造了一款SiCMosfet專用的隔離轉(zhuǎn)換DC-DC模塊電源--QA01C。

    QA01C在效率高達(dá)83%的情況下，具有不對(duì)稱+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA輸出，完美滿足SiCMosfet的可靠開啟及關(guān)斷要求。低至3.5pF的隔離電容，允許QA01C工作在高頻應(yīng)用中，不被重復(fù)充放電拖慢工作頻率。3500VAC高隔離耐壓，減少了高壓總線對(duì)低壓控制側(cè)的干擾。220uF大容性負(fù)載使得QA01C具有瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)大功率特性，更好地應(yīng)對(duì)SiCMosfet對(duì)高頻開關(guān)的要求。

    目前，QA01C系列已經(jīng)通過了UL/CE/CB60950認(rèn)證，產(chǎn)品可靠性已經(jīng)得到了權(quán)威機(jī)構(gòu)的認(rèn)可。

產(chǎn)品特點(diǎn)：
    ●隔離電容3.5pF
    ●高隔離電壓3500VAC
    ●不對(duì)稱驅(qū)動(dòng)電壓：輸出電壓+20/-4VDC
    ●輸出電流+100/-100mA
    ●大容性負(fù)載220uF
    ●效率高達(dá)83%
    ●工作溫度范圍:-40℃~+105℃
    ●可持續(xù)短路保護(hù)