【論文摘要】在無刷直流電動機(jī)伺服系統(tǒng)中,為了減小電動機(jī)的轉(zhuǎn)矩脈動,功率元件通常選IGBT,逆變頻率取20KHz~40KHz。本文在介紹IGBT的驅(qū)動和保護(hù)技術(shù)的基礎(chǔ)上,設(shè)計了一套經(jīng)濟(jì)實(shí)用的IGBT驅(qū)動電路,獲得了滿意的效果。
1 引 言
絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT)的驅(qū)動一般采用厚膜集成驅(qū)動器EXB840(841)等。但厚膜集成電路價格昂貴,而且雖然EXB840(841)具有過流關(guān)斷功能,但它不能徹底封鎖門極脈沖,在故障不消失情況下會出現(xiàn)每周期軟關(guān)斷保護(hù)一次的情況,由此產(chǎn)生的熱積累也會造成IGBT損壞[1]。
本文在分析IGBT的驅(qū)動和保護(hù)技術(shù)的基礎(chǔ)上,設(shè)計了一套IGBT驅(qū)動電路,并應(yīng)用霍爾電流傳感器實(shí)現(xiàn)過流、短路保護(hù),同時防止了故障不消失情況下出現(xiàn)每周期軟關(guān)斷保護(hù)一次的情況。
2 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
該伺服系統(tǒng)為三閉環(huán)結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)速環(huán)、位置環(huán)由單片機(jī)實(shí)現(xiàn),電流環(huán)由硬件實(shí)現(xiàn)。逆變器采用IGBT構(gòu)成,系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。
3 IGBT的驅(qū)動
IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計主要應(yīng)考慮如下因素:[2]
(1)導(dǎo)通損耗 當(dāng)IGBT開通時,升高基、射極電壓VGE會減小導(dǎo)通損耗,因此,工程設(shè)計中希望把VGE升高到器件手冊中最大的允許值,使導(dǎo)通損耗為最小,一般取VGE=15V。
(2)開關(guān)損耗 當(dāng)IGBT開通和關(guān)斷時,開關(guān)損耗受VGE的高低和門極電阻RG的影響。增加VGE或減小RG會縮短器件的延遲時間、上升時間和下降時間,從而降低開關(guān)損耗。降低VGE或增加RG將導(dǎo)致開關(guān)損耗的增加,但能降低電磁輻射。選擇驅(qū)動電路時要綜合考慮。
(3)反并聯(lián)二極管開關(guān)損耗 減小二極管上di/dt的數(shù)值可以降低二極管的損耗,但這是以增加IGBT的損耗為代價的。在橋路結(jié)構(gòu)中,還可以通過降低VGE開通IGBT的方法來減少反并聯(lián)二極管的損耗。
(4)驅(qū)動電路絕緣和控制信號傳輸 為了防止強(qiáng)電串入弱電電路,IGBT驅(qū)動電路與脈沖發(fā)生電路應(yīng)采取隔離措施,如采用光電耦合器或脈沖變壓器傳輸控制信號。
4 IGBT的保護(hù)
(1)短路保護(hù) 有兩種形式的短路需要考慮:一種是器件開通時短路情況已經(jīng)存在(典型波形如圖2所示);另一種是器件開通期間出現(xiàn)了短路情況(典型波形如圖3所示)。
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短路電流能通過降低基、射極兩端電壓VGE來減小,如果在短路電流上升時降低VGE使其小于15V,電路承受短路電流的時間會增加;⑸錁O兩端電壓為: VGE=C*dv/dt*RG+VG 。為了防止VGE過高,在門極、發(fā)射極兩端直接跨接兩個反向連接的穩(wěn)壓二極管以限制VGE(如圖4所示)。
(2)過電壓保護(hù) IGBT關(guān)斷時的換相過電壓,決定于主電路的雜散電感及關(guān)斷時的di/dt,在正常工作狀態(tài)時,di/dt較低,通常不會造成IGBT損壞,但在過電流故障狀態(tài)時,di/dt迅速增大,造成較高的過電壓,為此應(yīng)盡量減小主回路的布線雜散電感。
(3)過電流保護(hù) 當(dāng)過電流的倍數(shù)小于工作電流的2倍時,可采用瞬時封鎖門極脈沖的方法來實(shí)現(xiàn)保護(hù)。但當(dāng)過電流的倍數(shù)較高,加瞬時封鎖門極脈沖會因-di/dt很大(2000A/μs~3000A/μs),在回路雜散電感上感應(yīng)出較高的過電壓,造成IGBT擊穿損壞。為此應(yīng)使門極正電壓在2~5μs內(nèi)軟關(guān)斷下降至零電壓。
5 主電路
該伺服系統(tǒng)的主電路如圖5所示,其結(jié)構(gòu)為常用的交-直-交型結(jié)構(gòu)。圖中R為壓敏電阻,用于抑制浪涌電壓。C為濾波電容,其值取2200μF。
主回路中各功率IGBT按照電動機(jī)的換相信號分別導(dǎo)通[3],屬于120º導(dǎo)通型。
6 驅(qū)動和保護(hù)電路
當(dāng)IGBT用于功率小于5KW的場合時,驅(qū)動電路可以不必使用價格較昂貴的厚膜驅(qū)動電路。此外,為了避免EXB840(841)在故障不消失情況下出現(xiàn)每周期軟關(guān)斷保護(hù)一次的情況,在本系統(tǒng)的設(shè)計中采用分立元件構(gòu)成驅(qū)動電路,具體電路如圖6所示。圖中CS為霍爾電流傳感器。在門極電路失電時為了泄放掉門極和發(fā)射極之間的電荷,在門極和發(fā)射極間引入電阻R7。
電路工作原理如下:
(1)當(dāng)光耦原邊有控制脈沖輸入時,光耦導(dǎo)通,V1基極電位下降,處于截止?fàn)顟B(tài),V3導(dǎo)通,V4截止,電源通過V3、R6給IGBT提供電流,使其迅速導(dǎo)通。
(2)當(dāng)光耦原邊控制脈沖消失時,光耦截止,V1基極電位上升,處于導(dǎo)通狀態(tài),V3截止,V4導(dǎo)通,IGBT柵極電荷通過V4、R6迅速放電,當(dāng)IGBT柵極施加-5V反壓時,它可靠關(guān)斷。
(3)當(dāng)IGBT出現(xiàn)短路故障時,霍爾電流傳感器CS流過一定的電流使V2飽和導(dǎo)通C2通過V2、R4放電,圖中A點(diǎn)電位慢慢下降,實(shí)現(xiàn)IGBT的慢關(guān)斷。只要故障存在,V2就不會退出飽和,不論有無控制脈沖IGBT都不會導(dǎo)通。故障消失時,V2恢復(fù)截止?fàn)顟B(tài),電路仍能正常工作。
IGBT的過電壓保護(hù)利用電壓檢測元件封鎖控制脈沖的方式實(shí)現(xiàn)。
7 仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果
仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,本系統(tǒng)所采取的驅(qū)動和保護(hù)措施是有效的。驅(qū)動電路輸出波形如圖7所示。
系統(tǒng)取得了+3脈沖/轉(zhuǎn)的控制精度(光電編碼器的分辨率為5000脈沖/轉(zhuǎn)),并且連續(xù)運(yùn)行6個月未發(fā)生IGBT損壞現(xiàn)象。
參考文獻(xiàn):
[1] 王志良. 電力電子新器件及其應(yīng)用技術(shù). 北京:國防工業(yè)出版社,1995
[2] Mitel Corporation. 1998 Publication No. AN4507-1 Issue No. 1.3 . 1998
[3] 郭慶鼎,王成元. 交流伺服系統(tǒng). 北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1994
作者簡介:
侯景陽 男,1974年生,助教,現(xiàn)為電力電子與電力傳動專業(yè)研究生。
張慶范 男,1949年生,教授,中國電工技術(shù)學(xué)會、電力電子學(xué)會理事,主要從事電力電子技術(shù)的教學(xué)與科研工作。