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泰克推出帶KTE V7.1軟件的S530參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),加速半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)

時(shí)間:2021-10-08 14:01:03來源:

導(dǎo)語:?KTE V7.1首次提供的新選項(xiàng)包括:全新并行測(cè)試功能和獨(dú)特的高壓電容測(cè)試選項(xiàng),適用于新興電源和寬帶隙應(yīng)用。與KTE V5.8相比,KTE V7.1把測(cè)試時(shí)間縮短了10%以上,也就是說,工程師可以減少停機(jī)時(shí)間并更快地制造芯片。

      中國(guó)北京2021年9月29日 - 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技日前為吉時(shí)利S530系列參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)發(fā)布了KTE V7.1軟件,在全球市場(chǎng)最需要的時(shí)候幫助加速半導(dǎo)體芯片制造進(jìn)程。

  KTE V7.1首次提供的新選項(xiàng)包括:全新并行測(cè)試功能和獨(dú)特的高壓電容測(cè)試選項(xiàng),適用于新興電源和寬帶隙應(yīng)用。與KTE V5.8相比,KTE V7.1把測(cè)試時(shí)間縮短了10%以上,也就是說,工程師可以減少停機(jī)時(shí)間并更快地制造芯片。

  5G的興起和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,推動(dòng)了全球?qū)Π雽?dǎo)體的需求。全球性短缺不僅要求提高制造能力,還要求能夠更快地測(cè)試正在開發(fā)的新芯片。泰克發(fā)布的這一全新測(cè)試系統(tǒng)有助于加快制造速度,因?yàn)樗s短了測(cè)試時(shí)間,進(jìn)而加快了新芯片的上市速度。

  “當(dāng)今新興的模擬、寬帶隙(SiC和GaN)和功率半導(dǎo)體技術(shù)需要參數(shù)測(cè)試,以最大限度地提高測(cè)量性能,適應(yīng)廣泛的產(chǎn)品組合,并最大限度地降低成本?!碧┛丝萍脊鞠到y(tǒng)和軟件總經(jīng)理Peter Griffiths說,“我們的客戶,包括世界上最大的芯片制造商,將盡享KTE V7.1的增強(qiáng)功能,工程師們將能夠以前所未有的速度持續(xù)設(shè)計(jì)創(chuàng)新方案,滿足不斷變化的市場(chǎng)需求。”

  KTE V7.1的發(fā)布建立在KTE 7.0版本的基礎(chǔ)上,對(duì)S530系統(tǒng)的功能和吞吐量作出了改進(jìn)。全新測(cè)試頭設(shè)計(jì)可以靈活使用不同的探頭插件。升級(jí)后的軟件和硬件實(shí)現(xiàn)了一遍測(cè)試和高吞吐量。在服務(wù)方面,最新發(fā)布的系統(tǒng)參考單元(SRU)把校準(zhǔn)時(shí)間縮短到8小時(shí)以下,這意味著可以在一個(gè)常規(guī)工作班次中就能完成校準(zhǔn)。SRU既可以直接購買,也可以通過年度SSO服務(wù)計(jì)劃購買。

  重要推進(jìn)和行業(yè)首創(chuàng)

  1)并行測(cè)試功能進(jìn)一步改善生產(chǎn)效率,降低測(cè)試成本

  S530 首次作為 KTE V7.1 版本的選項(xiàng)提供,現(xiàn)在擁有強(qiáng)大的并行測(cè)試選項(xiàng),可進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率并降低測(cè)試成本,預(yù)計(jì)改善范圍可達(dá)30%(視測(cè)試和結(jié)構(gòu)而定)。吉時(shí)利并行測(cè)試軟件基于S530獨(dú)特的硬件架構(gòu),該架構(gòu)支持多達(dá)8個(gè)高分辨率SMU,通過系統(tǒng)中任何全Kelvin端口/行連接到任何測(cè)試引腳,優(yōu)化了所有系統(tǒng)資源的效率,以最大限度地提高測(cè)試吞吐量。

  2)為新興電源和寬帶隙應(yīng)用提供獨(dú)特的高壓電容測(cè)試功能

  當(dāng)今工程師需要測(cè)試高壓設(shè)備,對(duì)開關(guān)速度更快、開關(guān)效率更高的芯片的需求正在不斷增長(zhǎng)。效率越高,使用的功率及產(chǎn)生的熱量越少,同時(shí)也利好我們的環(huán)境。為測(cè)試工作電壓更高的寬帶隙器件,工程師正從研發(fā)實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)入制造環(huán)節(jié)。KTE V7.1中的一個(gè)獨(dú)特的功能是高壓電容電壓(HVCV)專用選項(xiàng),它可以與業(yè)界唯一的單程測(cè)試解決方案結(jié)合使用,可以測(cè)量200~1000V電壓,能夠測(cè)試高達(dá)1100 V的DC偏置電容。這種面向生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒的功能可以精確測(cè)量Cdg、Cgs和Cds,支持表征和測(cè)試功率器件的輸入和輸出瞬態(tài)性能。

  3)使用單探頭觸地在任何引腳上測(cè)試高達(dá) 1100 V

  除提供和測(cè)量高達(dá)1100 V的電壓外,一個(gè)S530-HV系統(tǒng)中可以最多配置兩臺(tái)2470 SMU,通過S530-HV內(nèi)部的高壓開關(guān)矩陣,用戶可以在任何測(cè)試引腳上隨時(shí)執(zhí)行這些測(cè)量。這實(shí)現(xiàn)了最大的靈活度,可以滿足各種測(cè)試器件和結(jié)構(gòu)組合的引腳輸出要求,消除了與兩次測(cè)試或?qū)S靡_方法有關(guān)的吞吐量延遲和更高的成本。


標(biāo)簽: 半導(dǎo)體

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