日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。

世強(qiáng)代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面，連續(xù)通電時(shí)最大為404A（@25℃），285A（@90℃）， 脈沖通電時(shí)最大為1500A（@25℃），導(dǎo)通電阻在柵源間電壓為+20V、周圍溫度為25℃時(shí)只有5mΩ（標(biāo)準(zhǔn)值）。此外，即使周圍溫度上升至+150℃，導(dǎo)通電阻也只有8.6mΩ（標(biāo)準(zhǔn)值），溫度上升對(duì)導(dǎo)通電阻增加的影響非常小?？倴艠O電荷僅1025nC（標(biāo)準(zhǔn)值），因此十分容易提高開關(guān)頻率。

圖1：Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2

Cree方面表示，如果使用SiC功率模塊，與使用Si功率的電源裝置相比，由開關(guān)損失引起的功率損耗可降低5倍以上。與采用Si材料IGBT的電源裝置相比，CAS300M12BM2可改善裝置整體的轉(zhuǎn)換效率，而且能將開關(guān)頻率提高，從而能夠縮小外置部件，因此可削減電源裝置整體的體積和重量。在感應(yīng)效率達(dá)到99%的同時(shí)，CAS300M12BM2在高頻感應(yīng)加熱系統(tǒng)可減少2.5倍的電源模塊數(shù)。CAS300M12BM2的轉(zhuǎn)換效率和性能可使設(shè)計(jì)師減少冷卻片和散熱片，降低系統(tǒng)的熱要求，提升兩倍的功率密度并降低系統(tǒng)成本，最終減少了用戶的成本。

圖2：使用SiC與Si技術(shù)比較

Cree功率和RF產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理MrinalDas表示：“Cree的SiC功率模塊系列還可以為太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和工業(yè)電源等應(yīng)用帶來極大益處。即使設(shè)計(jì)人員只是在電動(dòng)機(jī)中用SiC取代硅模塊，SiC的增強(qiáng)性能也可以降低功率耗損和冷卻要求，從而降低動(dòng)力電子設(shè)備系統(tǒng)的尺寸、重量、復(fù)雜性和總成本”。

Cree與世強(qiáng)已于日前宣布，雙方將展開緊密合作，共同開拓汽車和工業(yè)市場(chǎng)。來自Cree的CAS300M12BM2現(xiàn)可通過世強(qiáng)訂購(gòu)。歡迎致電世強(qiáng)熱線400-887-3266咨詢。