東京大學(xué)開(kāi)發(fā)出薄膜型無(wú)線通信系統(tǒng) 薄膜上任意位置的設(shè)備之間可無(wú)接點(diǎn)通信 東京大學(xué)研究生院工程學(xué)系研究專(zhuān)業(yè)副教授染谷隆夫的研究小組和東京大學(xué)國(guó)際產(chǎn)學(xué)共同研究中心教授櫻井貴康的研究小組共同開(kāi)發(fā)出了薄膜型無(wú)線通信系統(tǒng)。只需將電子設(shè)備放在薄膜上，即可在電子設(shè)備之間進(jìn)行通信。無(wú)線通信薄膜的面積為21cm×21cm，厚度1mm，重量?jī)H50g。還可機(jī)械彎曲。如果達(dá)到實(shí)用水平，還可在桌子及墻壁上粘貼無(wú)線通信薄膜，向薄膜上放置的電子設(shè)備傳輸信息。 如將此次的產(chǎn)品與該共同研究小組06年發(fā)表的無(wú)接點(diǎn)電力傳輸薄膜（參閱本站報(bào)道）組合使用，還有望無(wú)需連接器進(jìn)行機(jī)械連接，即可向薄膜上的電子設(shè)備傳輸電力和信息。無(wú)線通信系統(tǒng)與無(wú)接點(diǎn)電力傳輸系統(tǒng)組合使用的實(shí)驗(yàn)已經(jīng)完成，證實(shí)電力供應(yīng)和信息傳輸均可實(shí)現(xiàn)。 采用該無(wú)線通信薄膜的晶體管的單元構(gòu)造將在“2007 IEEE International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”（2007年12月10～12日，米國(guó)華盛頓D.C.）上發(fā)表。與該薄膜組合的低電力通信電路技術(shù)預(yù)定在“2008 International Solid-State Circuits Conference（ISSCC 2008）”（2008年2月3～7日，米國(guó)舊金山）上發(fā)表。東京大學(xué)VDEC副教授高宮真教授、慶應(yīng)義塾大學(xué)理工學(xué)部教授黑田忠廣也參與了薄膜型無(wú)線通信系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)。 利用電感耦合及容量耦合 　　此次的系統(tǒng)使用的無(wú)線通信薄膜由植入非揮發(fā)性?xún)?nèi)存元件及晶體管的內(nèi)存薄膜、設(shè)置有MEMS開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)薄膜以及線圈薄膜重疊構(gòu)成。在薄膜表面內(nèi)集成了縱8個(gè)×橫8個(gè)，即64個(gè)將非揮性?xún)?nèi)存元件、MEMS開(kāi)關(guān)元件及線圈集成為一組的單元。為了控制無(wú)線通信薄膜，外置了收發(fā)器電路及控制電路等LSI。在外置LSI集成的電路方面，對(duì)無(wú)線通信薄膜的驅(qū)動(dòng)下了一番工夫，將傳輸速度為100Kbs時(shí)的通信能量降到了107pJ/bit。 　　如果在該薄膜上放置兩個(gè)電子設(shè)備，設(shè)備之間就會(huì)按照以下步驟開(kāi)始通信：（1）利用無(wú)接點(diǎn)電力傳輸薄膜中使用的技術(shù)檢測(cè)出薄膜上電子設(shè)備的位置，（2）算出最短的通信路徑，（3）在最短路徑中連接MEMS開(kāi)關(guān)的非揮發(fā)性?xún)?nèi)存開(kāi)始運(yùn)行程序，（4）程序運(yùn)行后的MEMS開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通，通信路徑確立。無(wú)線通信系統(tǒng)利用線圈之間的電感耦合或容量耦合由電子設(shè)備向薄膜、并由薄膜向其它電子設(shè)備通信。因此，需要在電子設(shè)備中內(nèi)置線圈。利用電感耦合時(shí)使用頻率為3MHz的載波。利用容量耦合時(shí)通過(guò)脈沖通信傳輸信息。 采用印刷技術(shù)制造，非揮發(fā)性?xún)?nèi)存可實(shí)現(xiàn)105次以上的擦寫(xiě) 　　在構(gòu)成無(wú)線通信薄膜的內(nèi)存薄膜中，晶體管采用并五苯，非揮發(fā)性?xún)?nèi)存元件采用強(qiáng)介電性高分子的氟化乙烯和三氯乙烯的聚合物，均為有機(jī)材料。采用這些材料并利用噴墨裝置及絲網(wǎng)印刷裝置等印刷技術(shù)形成各元件。另外，柵電極、柵絕緣膜、源電極、漏電極均采用印刷技術(shù)形成。 　　非揮發(fā)性?xún)?nèi)存元件可在大氣中進(jìn)行超過(guò)105次的數(shù)據(jù)擦寫(xiě)。伴隨著封裝技術(shù)、強(qiáng)介電材料技術(shù)及晶體管技術(shù)的進(jìn)步，其可靠性也大為提高。