Spansion突破尺寸限制,電荷捕獲技術(shù)功不可沒

時(shí)間:2007-12-07

來源:中國傳動(dòng)網(wǎng)

導(dǎo)語:Spansion表示,其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù),這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑

很多廠商都設(shè)計(jì)出了未來的閃存技術(shù),但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢?Spansion表示,其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù),這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭日前向媒體表示,Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營銷活動(dòng),希望向其它制造商許可一些技術(shù)。 伯特蘭說,三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一技術(shù)的一些基礎(chǔ)性專利,這不是一種很容易就開發(fā)出來的技術(shù),我們開發(fā)它已經(jīng)有數(shù)年時(shí)間了。 電荷捕獲技術(shù)能夠被應(yīng)用到NOR和NAND閃存芯片中。盡管AMD在2002年就開始生產(chǎn)采用電荷捕獲技術(shù)的芯片,其中許多基礎(chǔ)技術(shù)都來自以色列的Saifun。 如果Spansion能夠在電荷捕獲技術(shù)方面取得成功,這會大大改進(jìn)其財(cái)務(wù)狀況。第三季度,Spansion銷售收入為6.11億美元,虧損了7200萬美元。芯片廠商通常不愿意許可技術(shù),尤其是來自競爭對手的技術(shù)。 NAND專利有非常高的價(jià)值,因?yàn)橄M(fèi)者電子產(chǎn)品和手機(jī)的需求仍然在不斷增長。盡管價(jià)格會有波動(dòng),但NAND閃存的產(chǎn)量卻每年都在增長。事實(shí)上,許多制造商現(xiàn)在都在升級生產(chǎn)線,它們首先考慮的是滿足NAND需求,過去,許多制造商都在新工廠中生產(chǎn)DRAM或其它芯片。 一些NAND芯片廠商在努力使它們的產(chǎn)品打進(jìn)筆記本電腦和刀片服務(wù)器中,取代硬盤。Applied Materials的CEO邁克說,NAND是一種獲得極大成功的應(yīng)用。 閃存領(lǐng)域的大多數(shù)官員和科研人員都表示,閃存將面臨摩爾定律式的危機(jī)。簡而言之就是,如果在架構(gòu)上沒有重大突破,制造商將無法繼續(xù)縮小芯片。芯片的尺寸不縮小,制造商就無法降低成本、提高產(chǎn)品性能。 Objective Analysis總裁吉姆表示,當(dāng)存儲單元縮小到一定程度時(shí),傳統(tǒng)閃存就會遭遇真正的問題。在發(fā)展到45納米或35納米工藝時(shí),傳統(tǒng)閃存就會遇到極限。閃存芯片將不再能夠使用相同的材料。 45納米工藝的閃存芯片將于未來1-2年問世。其它一些非揮發(fā)性存儲技術(shù)已經(jīng)遭遇了這一問題,例如MRAM目前只能縮小到65納米工藝。 Spansion面臨的一個(gè)大問題是獲得業(yè)界的認(rèn)同。每家廠商在未來的存儲技術(shù)方面都有自己的想法,但是目前,哪種技術(shù)能夠勝出的前景還很不明朗。相互競爭的技術(shù)包括東芝的3D內(nèi)存芯片、Numonyx的相變內(nèi)存芯片、Grandis的STT-RAM。 伯特蘭斷言,與上邊列出的技術(shù)相比,電荷捕獲技術(shù)有二個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)。一是人們已經(jīng)掌握了制造采用這種技術(shù)芯片的方法,這會降低部署這種技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn);其二,實(shí)驗(yàn)室的試驗(yàn)表明,電荷捕獲技術(shù)芯片的尺寸能夠繼續(xù)縮小。 他說,我們在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)制造出了采用20納米工藝的芯片。如果能夠縮小芯片尺寸,我們的產(chǎn)品就是最便宜的。芯片的尺寸越小,性能就越高,制造成本也就越低。 20納米工藝內(nèi)存芯片要到2012年或晚些時(shí)候才會上市銷售。 伯特蘭表示,與采用相同工藝的其它類型內(nèi)存相比,電荷捕獲內(nèi)存單元的尺寸也更小,這會進(jìn)一步降低成本。他說,電荷捕獲將未來10年的一項(xiàng)重要技術(shù)。 伯特蘭指出,到2016年,相變技術(shù)可能是一項(xiàng)重要的技術(shù),但這還需要10年時(shí)間。一些相變技術(shù)的支持者表示,相變內(nèi)存芯片可能在未來數(shù)年問世。其實(shí),早在1970年代,相變技術(shù)內(nèi)存的概念就已經(jīng)被提出來了。 與相變或3D內(nèi)存相比,電荷捕獲技術(shù)更容易部署。一些大公司也表達(dá)了對電荷捕獲技術(shù)的興趣,但是,是否必須向Spansion支付費(fèi)用還是一個(gè)問題。
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