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高性能 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器支持高效率與高可靠性，可為電源系統(tǒng)提供 100 V 的浪涌保護(hù)

2012 年 1 月 9 日，北京訊
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)。

首款 120 V 啟動(dòng)高側(cè)／低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
UCC27210 與 UCC27211 是業(yè)界首批 120 V 啟動(dòng)高低側(cè)雙通道輸出 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，可在解決驅(qū)動(dòng)器輸入 -10 V 直流電 (VDC) 抗擾度問(wèn)題的同時(shí)，提供高達(dá) 4 A 的輸出電流。這兩款驅(qū)動(dòng)器提供 18 納秒 (ns) 傳播延遲，支持多種高頻率半橋及全橋電源拓?fù)?。上述綜合特性可為具有 100 V 浪涌需求的電信、服務(wù)器以及工業(yè)電源設(shè)計(jì)提高效率，增強(qiáng)可靠性。如欲了解樣片、PSpice 瞬態(tài)模型與評(píng)估板，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)： www.ti.com.cn/product/cn/ucc27210。

UCC27210 與 UCC27211 的主要技術(shù)特性：
• 業(yè)界首批額定 120 V 的 4 A 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)器（TTL 與偽 CMOS 兼容輸入版本），可驅(qū)動(dòng) N 通道高低側(cè) FET；
• 0.9 歐姆上拉及下拉電阻可最大限度降低 MOSFET 轉(zhuǎn)換通過(guò)米勒效應(yīng)平臺(tái)時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗；
• 增強(qiáng)的系統(tǒng)可靠性：輸入支持 -10 伏直流，無(wú)需整流二極管便可實(shí)現(xiàn)到柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的直接接口連接。

更快速度驅(qū)動(dòng)更大電流
此外，TI 還面向二次側(cè)同步整流器 MOSFET 及 IGBT 電源開(kāi)關(guān)推出了業(yè)界速度最快的 5 A 雙通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該 UCC27524 提供低脈沖失真與高效性，并支持 12 ns 傳播延遲， 6 ns 上升時(shí)間與 1 ns 輸出延遲匹配。該驅(qū)動(dòng)器支持 4.5 V 至 18 V 寬泛工作電壓，可高度靈活地結(jié)合兩組輸出驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)等高達(dá) 10 A 的應(yīng)用。如欲了解樣片、PSpice 瞬態(tài)模型與評(píng)估板，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.ti.com.cn/product/cn/ucc27524。

UCC27524 的主要技術(shù)特性：
• 大電流與高性能：支持高效率的 5 A 峰值源極與汲極驅(qū)動(dòng)器電流。支持 4.5 V 至 18 V 寬泛輸入。2 組輸出可并行，支持更大電流的驅(qū)動(dòng)器；
• 極快的速度：12 ns 典型傳播延遲，6 ns 典型上升時(shí)間，兩個(gè)通道間僅 1 ns 的典型輸出延遲匹配；
• 外形小巧：采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) 8 引腳 SOIC 及 PDIP 封裝。