北京優(yōu)納無掩模光刻設備研發(fā)成功

時間:2010-04-02

來源:北京優(yōu)納科技有限公司

導語:優(yōu)納科技與其日本控股公司共同完成無掩模光刻設備的研發(fā),成為國內(nèi)第一臺基于數(shù)字微反射技術實現(xiàn)的無掩模光刻的設備。

      優(yōu)納科技與其日本控股公司共同完成無掩模(Maskless)光刻(Lithography)設備的研發(fā),成為國內(nèi)第一臺基于數(shù)字微反射(DMD)技術實現(xiàn)的無掩模光刻的設備,該設備可廣泛應用于納米電子,平板顯示,半導體,MEMS,μTAS,LCD,s生物芯片,和各類功能材料等領域,該設備具有以下特點:

      1,利用DMD的縮影投射技術實現(xiàn)1每米的像素

      2,實現(xiàn)薄膜透明材料的自動對焦

      3,利用灰度圖像投影可實現(xiàn)三維保護膜加工

      4,采用405納米波長LED光源,極大提高設備的可維護性和使用壽命

      5,利用TTL(through-the-lens)對位技術實現(xiàn)高精度位置對準

      6,可以實現(xiàn)不同厚度(亞微米-100微米以上)的保護膜兼容

      7,重復位置精度0.1微米

      8,各類光刻參數(shù)可以自由調(diào)節(jié)實現(xiàn)各種光刻的需要,可以制作出高質(zhì)量的光變圖像,例如2D圖像,2D/3D圖像,3D圖像以及各種精密的微刻圖像和文字等

      9,支持標準CAD格式,兼容DXF,GDSII等

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