科友半導(dǎo)體開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項(xiàng)目

時(shí)間:2024-04-03

來源:全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語:資料顯示,科友半導(dǎo)體長期致力于碳化硅長晶裝備研制和工藝技術(shù)研發(fā),有豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),八英寸電阻爐已在高端制造領(lǐng)域得到高度認(rèn)可并被廣泛應(yīng)用。俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制有著豐富的研究經(jīng)驗(yàn),在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。

       2024年3月27日,科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。

  資料顯示,科友半導(dǎo)體長期致力于碳化硅長晶裝備研制和工藝技術(shù)研發(fā),有豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),八英寸電阻爐已在高端制造領(lǐng)域得到高度認(rèn)可并被廣泛應(yīng)用。俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制有著豐富的研究經(jīng)驗(yàn),在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。

  科友半導(dǎo)體表示,通過與俄羅斯N公司的合作,科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管,低位錯(cuò)”完美籽晶,應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長,會(huì)進(jìn)一步大幅降低八英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度,從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率,并推動(dòng)碳化硅長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。雙方將長期友好合作,發(fā)揮各方的技術(shù)優(yōu)勢,共同推進(jìn)八英寸碳化硅晶體生長良率提升以及晶體缺陷降低。

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