IR推出AC-DC同步整流功率MOSFET,應(yīng)用擴(kuò)展至電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

時(shí)間:2006-07-24

來(lái)源:中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)

導(dǎo)語(yǔ):國(guó)際整流器公司近日推出為AC-DC同步整流設(shè)計(jì)的全新60V和75V HEXFET MOSFET產(chǎn)品系列

國(guó)際整流器公司近日推出為AC-DC同步整流設(shè)計(jì)的全新60V和75V HEXFET MOSFET產(chǎn)品系列,其應(yīng)用范圍除了擴(kuò)展至服務(wù)器、筆記本電腦適配器和臺(tái)式電腦之電源應(yīng)用外,還可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 由于業(yè)界的不斷努力,數(shù)據(jù)處理電路的功率密度和速度都在增加,對(duì)高功率密度電源的需求也隨之增加。新型IRFB/S/SL3206、3306、3207Z和3307Z MOSFET系列通過(guò)改善AC-DC SMPS應(yīng)用的RDS(on),可提供卓越的同步整流功能。與以前的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)相比,該器件通過(guò)降低RDS(on),可使功率密度提高達(dá)百分之十之高。 該75V器件的最大RDS(on)值為4.1-5.8毫歐,60V器件則為3.0-4.2毫歐。新產(chǎn)品分別采用TO-220、D2Pak及TO-262封裝,符合工業(yè)應(yīng)用級(jí)別和一級(jí)潮濕敏感度(MSL1)要求。IR的不同封裝可為現(xiàn)有設(shè)計(jì)提供簡(jiǎn)單的性能升級(jí)方案。全部封裝類(lèi)型均不含鉛,有助于客戶符合最新SMPS方案的有害物質(zhì)限制(RoHS)規(guī)定,而對(duì)性能表現(xiàn)沒(méi)有任何影響。
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