硅壓力傳感器存在的三大技術(shù)問題

時間:2013-08-20

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導語:在壓阻式壓力傳感器橋臂串并聯(lián)電阻或者熱敏電阻等方法來實現(xiàn)對已經(jīng)封裝好的壓阻式壓力傳感器的溫度補償。而這種方法的缺陷是只能用于精度較低的場合。

硅壓力傳感器,在許多方面都存在著廣泛的應(yīng)用,如在汽車車用壓力傳感器、氣壓計、醫(yī)療設(shè)備、風力控制、空氣流量計、呼吸器和通風機等方面。而在使用的過程中,硅壓力傳感器在技術(shù)上存在三大方面的問題。

1、溫度:對硅壓力傳感器芯片的影響非常大,主要是影響零點和靈敏度,產(chǎn)生漂移的根本原因在:在工藝制作中,組成惠斯登電橋的四個電阻條的表面摻雜濃度和擴散電阻條寬度不可能完全一致,致使四個電阻的阻值不完全相等,溫度系數(shù)不相等,導致當輸入壓力為0時,電橋輸出不為0。

同時該輸出隨溫度的變化而發(fā)生漂移,即零點溫度漂移;半導體的溫度特性導致壓阻系數(shù)隨溫度變化,導致壓力靈敏也隨溫度發(fā)生漂移。此外,后道工序的芯片與玻璃的靜電封裝、粘接、硅油及容腔設(shè)計等都會附加溫度影響。綜上因素,對封裝后的壓力傳感器的補償包括零點偏移校準、零點溫度漂移補償和靈敏度溫度補償。

一般是在壓阻式壓力傳感器橋臂串并聯(lián)電阻或者熱敏電阻等方法來實現(xiàn)對已經(jīng)封裝好的壓阻式壓力傳感器的溫度補償。而這種方法的缺陷是只能用于精度較低的場合。

由于補償電阻與壓力傳感器中惠斯登電橋的電阻系數(shù)不一致,測試也比較困難,所以無論哪種溫度補償方式都無法達到良好的效果,對于要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域這些補償方法很難實現(xiàn)。因此,壓力傳感器的溫度補償一直是困擾用戶的難題所在,也是壓力傳感器研究和生產(chǎn)的一個關(guān)鍵技術(shù)問題。

2、微壓、低壓傳感器的制造技術(shù)和工藝比較高,所涉及到的制造設(shè)備非常昂貴。現(xiàn)在市面低壓量程壓力傳感器比較少,價格不菲。與之相反,高壓量程的壓力傳感器的制造成本卻比較低。所以,微壓、低壓傳感器的精度和價格也是用戶所擔憂的問題。

3、壓力傳感器晶圓的封裝技術(shù)已經(jīng)成為生產(chǎn)中的瓶頸。因此,壓力傳感器的封裝是否可靠也是用戶憂慮所在?,F(xiàn)在越來越多客戶傾向于選擇電容式的壓力傳感器。

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