傳感器在當(dāng)代基礎(chǔ)科技研發(fā)與工業(yè)自動化生產(chǎn)等技術(shù)領(lǐng)域都有非常明顯的應(yīng)用，不過應(yīng)用范圍的擴(kuò)展，直接促使產(chǎn)業(yè)對傳感器技術(shù)要求的提高，未來傳感器設(shè)備將向智能化與網(wǎng)絡(luò)化的方向發(fā)展，以適應(yīng)社會發(fā)展需求。

傳感器技術(shù)是現(xiàn)代科技的前沿技術(shù)，其水平高低是衡量一個國家科技發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一。我國傳感器發(fā)展經(jīng)歷了多幾次技術(shù)革新之后，有了很大的提高，。目前全國已經(jīng)有1600多家企事業(yè)單位從事傳感器研制、開發(fā)、生產(chǎn)。雖然我國傳感器產(chǎn)業(yè)在近幾年得到了極大地發(fā)展，但是相交于國外來說，還是存在很大的差距，就目前我國自主的傳感器還不能完全滿足國內(nèi)的需求，總體水平還處于國外上世紀(jì)90年代初期的水平。

我國傳感器業(yè)取得的新進(jìn)展主要表現(xiàn)在：一是在數(shù)景方面，通過多年的積累，隨著裝備的改進(jìn)，產(chǎn)能在近幾年得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，幾乎以每年近一倍的速度在增長；是在品種方面，除少數(shù)品種外，目前國內(nèi)能夠生產(chǎn)多數(shù)品種的產(chǎn)品；三是在質(zhì)量方面，國內(nèi)廠商開發(fā)的多數(shù)產(chǎn)品性能能夠滿足工程需要，產(chǎn)品質(zhì)量丌始接近困外產(chǎn)品水平：四是在新產(chǎn)品方面，由于創(chuàng)新能力小足以及工藝技術(shù)和加工手段的差距，我困企業(yè)自主發(fā)的新產(chǎn)品少。

與此同時，我國自動化方面的專家呼吁：目前復(fù)雜系統(tǒng)越來越復(fù)雜，自動化已經(jīng)陷入低谷，其主要原因之一是傳感技術(shù)的落后，一方面表現(xiàn)為傳感器在感知信息方面的落后；另一方面也表現(xiàn)為傳感器自身在智能化和網(wǎng)絡(luò)化方面的技術(shù)落后。

我國位移傳感器，稱重傳感器，壓力傳感器技術(shù)已經(jīng)成熟，分析儀器產(chǎn)業(yè)迫切需要新型傳感器。分析儀器是我國科技、經(jīng)濟(jì)和社會持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，無論在工業(yè)過程控制、設(shè)施農(nóng)業(yè)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境控制、食品安全乃至航空航天、國防工程等領(lǐng)域，均迫切需要各類新型傳感器作為信息攝取源的小型化、專用化、簡用化、家庭化（甚至個人化）的新一代分析儀器，實現(xiàn)更靈敏、更準(zhǔn)確、更快速、更可靠地實時檢測，以迅速改變我國分析儀器的落后狀況。

如今各方面市場都對傳感器和儀表元器件需求很高，其中以工業(yè)控制、汽車、通訊、環(huán)保、安防等行業(yè)應(yīng)用最為廣泛，這就進(jìn)一步刺激了傳感器和儀表元器件行業(yè)的快速發(fā)展，因此現(xiàn)在我國正在抓緊相關(guān)技術(shù)方面的研發(fā)力度。

目前我國傳感器和儀表元器件技術(shù)仍相對滯后于發(fā)達(dá)國家很多，企業(yè)綜合實力較差，整體產(chǎn)業(yè)發(fā)展阻力極大，產(chǎn)品質(zhì)量跟不上，都在很大程度上制約了我國傳感器和儀表元器件行業(yè)的正常發(fā)展。

今年我國的傳感器產(chǎn)業(yè)將以傳感器、彈性元件、光學(xué)元件、專用電路為重點對象，發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)性技術(shù)和產(chǎn)品，加強(qiáng)制造工藝和新型傳感器和儀表元器件的開發(fā)，并盡快加速傳感器產(chǎn)業(yè)化，今年傳感器將更注重智能化技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)化技術(shù)、MEMS工藝以及集成工藝等各市場方向發(fā)展，總體來說市場潛力相當(dāng)巨大。

未來10～20年，傳統(tǒng)硅技術(shù)將進(jìn)入成熟期（預(yù)測為2014年～2017年）。屆時，直徑300mm硅晶片將大量用于生產(chǎn)，使得硅的低成本制造技術(shù)和硅的應(yīng)用技術(shù)將得到空前的發(fā)展，這無疑將為研制生產(chǎn)微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術(shù)保障。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術(shù)將一直延續(xù)到2047年（即晶體管發(fā)明100周年）才趨于飽和（即達(dá)到芯片特征尺寸的極限）和衰退。而當(dāng)前微電子技術(shù)仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎(chǔ)規(guī)律走下去，在盡力逼近傳統(tǒng)硅技術(shù)極限中，不斷擴(kuò)展硅的跨學(xué)科橫向應(yīng)用（如MEMS等）和突破“非穩(wěn)態(tài)物理器件”（量子、分子器件），而上述微電子技術(shù)發(fā)展中的兩大方向正是當(dāng)前乃至未來20年傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向。